"Hualinkona-سیمک کنڈکٹر کرافٹ" سلکان کاربائیڈ MOSFET مینوفیکچرنگ کے بعد بھٹی کے سامنے گیلا علاج

آگے

     سلکان کاربائیڈ (SiC) ڈیوائس مینوفیکچرنگ ٹیکنالوجی اور سلکان مینوفیکچرنگ ٹیکنالوجی کے درمیان بہت سی مماثلتیں ہیں، لیکن اس ترقی پذیر فیلڈ کے لیے یہ شناخت کرنا اہم ہے کہ آیا مادی فرق صفائی کی صلاحیت کو متاثر کرے گا۔ مادی اختلافات میں ڈفیوژن گتانک، سطحی توانائی اور کیمیائی بانڈ کی طاقت شامل ہے، یہ سبھی اہم سطحوں کی صفائی میں کردار ادا کر سکتے ہیں۔ اس کام میں، مرکری پروب کیپیسیٹینس وولٹیج (MCV) میپنگ کے بعد 100 ملی میٹر یا 150 ملی میٹر 4H سلکان کاربائیڈ ویفر کی ٹریس سطح کی آلودگی کی سطح کا موازنہ بعد کی صفائی کے بعد کیا گیا۔ MCV کے دوران، مرکری، آئرن اور نکل جیسی ٹریس میٹلز کو کنٹرول کے ساتھ شامل کیا گیا، اور یہ دکھایا گیا کہ صفائی کے مختلف طریقے سلکان کاربائیڈ کی سطح کو 5x1010 ایٹم/cm2 سے کم صفائی کی سطح پر بحال کر سکتے ہیں۔ مربوط آلات کے عمل کے بہاؤ میں ان صفائیوں کی پوزیشن اور لاگت کے موازنہ پر تبادلہ خیال کیا گیا ہے۔

تجربہ اور بحث

مرکری پروب CV (MCV)، TXRF اور صفائی کا تجربہ

     سلیکون کاربائیڈ کی سطح پر آلودگیوں کو قابو میں لانے اور صفائی کی صلاحیت کو جانچنے کے لیے، مرکری کا پتہ لگانے کا عمل 100mm اور 150mm ایپیٹیکسیل سلکان کاربائیڈ ویفرز پر انتہائی کم مائیکرو ٹیوبول کثافت کے ساتھ سیمیراب MCV-530 ٹیسٹر میں کیا گیا، ٹریس میٹل کے ذریعے پیمائش کی گئی۔ TXRF، ویفرز کو مختلف صفائی کیمیکلز سے صاف کیا گیا، اور صاف کیے گئے ویفرز میں موجود نجاستوں کا دوبارہ تجزیہ کیا گیا۔ MCV پیمائش متعدد پیمائش کے طریقوں کا استعمال کرتے ہوئے کی جاتی ہے، جیسے کہ رداس سکیننگ، ویفر میپنگ اور ایک ہی جگہ پر متعدد پیمائشیں، جو پہلے TXRF پیمائش کو غیر آلودہ علاقے کا آلودہ علاقے سے موازنہ کرنے کے قابل بناتی ہے، اور بعد از صفائی TXRF کا موازنہ کرنے کے لیے پہلے سے صفائی کی حالت.

چترا 1 ہے. اس مطالعہ میں استعمال ہونے والے کچھ ماڈلز کی ترتیب؛ دونوں صورتوں میں، 50 ملی میٹر سلکان کاربائیڈ ویفر اور تقریباً 10 ملی میٹر قطر کے TXRF کی پوزیشن ظاہر ہوتی ہے (100 ملی میٹر سلکان کاربائیڈ ویفر کا تجرباتی موڈ نہیں دکھایا گیا ہے)۔ بائیں: MCV 10 نکاتی رداس سکیننگ (~ 1.7 ملی میٹر قطر کی پیمائش کا نقطہ) 5 نکاتی TXRF پیمائش کو پارے سے آلودہ علاقوں اور مرکری سے پاک علاقوں کا تجزیہ کرنے کی اجازت دیتا ہے۔ دائیں: 165mm 150H سلکان کاربائیڈ ویفر پر 4-پوائنٹ TXRF پیمائش 200mm TXRF بیس پر دکھائی دیتی ہے۔MCV، پری کلیننگ TXRF اور پوسٹ کلیننگ TXRF کے نتائجتمام صفائی ستھرائی کچھ حد تک دھات کی نجاست کو دور کرنے میں کارگر ثابت ہوئی ہے۔ مولیبڈینم اینوڈ TXRF کے ساتھ 100mm سلکان کاربائیڈ ویفر پر ماپی گئی میپ شدہ پارے کی سطح سے پتہ چلتا ہے کہ یہ 2.5x1013 ایٹم/cm2 کی عام اوسط قدر سے کم ہوا اور 2.4x1014 ایٹم/cm2 کی عام زیادہ سے زیادہ قدر 300 سے نیچے کی حد تک کم ہو گئی۔ سیکنڈ ~7x1010 ایٹم/cm2 ایپیٹیکسیل ٹیسٹ کے فوراً بعد۔ 50 ملی میٹر سلکان کاربائیڈ ویفر پر آر سی اے کی صفائی مرکری، نکل، آئرن اور دیگر دھاتوں کو دور کرنے میں کارگر ثابت ہوئی ہے۔ صفائی کے بعد پیمائش کے نتائج مرتکز RCA ترتیب کی کھوج کی حد سے کم ہیں، پتلے ہوئے RCA ترتیب سے کم، لیکن پھر بھی قابل پیمائش ہیں۔تصویر 2 پتلی آر سی اے کی صفائی سے پہلے اور بعد میں میپ شدہ TXRF کی پیمائش شدہ اقدار کے موازنہ کی وضاحت کرتا ہے۔ سطح پر لوہے کی آلودگی کو صفائی سے پہلے ویفر کے کنارے کے قریب ہی محدود کر دیا گیا تھا، اور ان مقامات کو اب بھی پتلا RCA سے صاف کرنے کے بعد بھی ماپا جا سکتا تھا، حالانکہ وہ کم ہو گئے تھے۔ پیداوار اور وشوسنییتا کی خاطر، صفائی کا رجحان مختلف دلچسپی رکھنے والی دھاتوں (بشمول مرکری، آئرن اور نکل) پر دیکھا جا سکتا ہے، اور متعدد ویفرز پر صفائی کا رجحان بار بار دیکھا جا سکتا ہے۔

چترا 2 ہے. DHF کے SC150&SC4 ٹینک میں 50mm 1H سلکان کاربائیڈ ویفر کی سطح پر ناپی گئی لوہے کی آلودگی کو 2℃ پر 50:5:1 کے RCA ترتیب کے مطابق ہر بار 2 منٹ کے لیے صاف کیا گیا، اور صفائی کا وقت 30 سیکنڈ تھا۔ پہلے سے صفائی کے مرحلے میں، کنارے پر لوہے کا ارتکاز زیادہ ہوتا ہے۔ اگرچہ صفائی کے بعد تمام علاقوں میں لوہے کا ارتکاز کم ہو جاتا ہے، لیکن ارتکاز اب بھی اس عمل کی کھوج کی حد سے زیادہ ہے۔پیداوار اور وشوسنییتا کی خاطر، صفائی کا رجحان مختلف متعلقہ دھاتوں (بشمول کیلشیم، مرکری، آئرن اور نکل) پر دیکھا جا سکتا ہے، اور صفائی کے رجحان کو متعدد ویفرز پر بار بار دیکھا جا سکتا ہے، حالانکہ کچھ عناصر کو مکمل طور پر صاف کیا جاتا ہے TXRF کا پتہ لگانے کی حد پتلی ہوئی ڈائی کلوروسیٹک ایسڈ (ٹائٹینیم، کرومیم، کاپر اور زنک) کا استعمال کرتے ہوئے۔ تصویر 3 نکل کی سطح کی آلودگی کو کم کرنے کے لیے پتلے ہوئے RCA عمل کے استعمال کی وضاحت کرتا ہے۔ ایک بار پھر، یہ نوٹ کیا گیا ہے کہ نکل کا ارتکاز ویفر کے کنارے پر زیادہ ہے، اور صفائی نے زیادہ تر علاقوں کو پیمائش کی کھوج کی حد سے کم کر دیا ہے۔

چترا 3 ہے. 50:5:1 کے RCA ترتیب میں 2mm 150H سلکان کاربائیڈ ویفر پر 4 منٹ (ہر SC1 اور 2 ٹینک، DHF قدم) پر 50℃ پر صفائی سے پہلے اور بعد میں سطح کی میپ شدہ نکل کی آلودگی کو 30 سیکنڈ کے لیے انجام دیا گیا۔ پہلے سے صفائی کے مرحلے میں، کنارے پر نکل کا ارتکاز زیادہ ہوتا ہے۔ اگرچہ صفائی کے بعد تمام علاقوں میں نکل کم ہو جاتی ہے، لیکن کچھ جگہوں پر نکل کا ارتکاز اب بھی پتہ لگانے کی حد سے زیادہ ہے۔

سمری
     چونکہ یہ معلوم ہے کہ آر سی اے کیمسٹری سلکان کی سطح کو آکسائڈائز کرکے اور ہائیڈروجن فلورائیڈ میں آکسائیڈز کو ہٹا کر آلودگیوں کو دور کرسکتی ہے، اس لیے یہ طریقہ کار سلکان کاربائیڈ پر عمل میں نہیں آسکتا، کیونکہ یہ کیمیکل اس کام میں استعمال ہونے والے درجہ حرارت پر سلکان کاربائیڈ کو کھینچنے یا آکسیڈائز کرنے کی توقع نہیں رکھتے۔ . پچھلے کام میں، یہ تجویز کیا گیا ہے کہ کھردری دھاتی آلودگیوں کو پکڑنے میں ایک کردار ادا کرتی ہے، اور ہائیڈروجن فلورائیڈ کے علاج کے نتیجے میں ہائیڈرو فیلک سطح زیادہ تر سلکان ہائیڈرو آکسائیڈ اور کاربن آکسیجن گروپس کے ذریعے ختم ہو جاتی ہے۔ نتائج سے پتہ چلتا ہے کہ کم وقت اور کم درجہ حرارت کے ساتھ پتلا ہوا آر سی اے لوہے، نکل اور ممکنہ پارے کو ہٹانے میں مؤثر نہیں ہے۔ اگرچہ کھردرا پن ایک عنصر ہو سکتا ہے، درجہ حرارت اور وقت کا اثر اس بات کی نشاندہی کر سکتا ہے کہ SC4 اور SC1 کیمسٹری میں دھاتوں (ہائیڈروکلورک ایسڈ اور NH2OH) کی تحلیل بنیادی طریقہ کار ہے، لیکن ہم یہاں تجویز کرتے ہیں کہ یہ پھیلاؤ کے ذریعے اپنا کردار ادا کر سکتا ہے۔ سلکان ہائیڈروکسیل اور کاربن آکسیجن سطح کی تہہ۔ یہ بھی واضح رہے کہ لوہے اور نکل کو شامل کرنے کا صحیح طریقہ کار ابھی تک واضح نہیں ہے، اور وسرجن باکس کے کنارے کا علاج اور/یا ویفر مینوفیکچرنگ کی آلودگی ممکنہ بنیادی وجوہات ہیں۔ چونکہ لاگت وقت سے بہت متاثر ہوتی ہے (آؤٹ پٹ کو متاثر کرتی ہے) اور ارتکاز (مادی کی لاگت اور علاج کی لاگت کو متاثر کرتی ہے)، لیکن درجہ حرارت سے کم متاثر ہوتا ہے (صرف ابتدائی آلات کی لاگت کو متاثر کرتا ہے)، اس لیے ہٹانے کو کنٹرول کرنے کے لیے پیرامیٹرز کو تلاش کرنا اہم ہے۔ مستقبل میں دھاتی آلودگیوں کا۔ اس کام کو اسپرے ٹریٹمنٹ کے قابل آلات میں انجام دینا بھی ضروری ہے، کیونکہ ویفر کے قریب زیادہ بہاؤ کی شرح زیادہ تحلیل کی شرح حاصل کر سکتی ہے، جس سے نجاست کو سطح (15) سے زیادہ تیزی سے پھیلنے کا موقع ملتا ہے۔ پولیمر ہٹانے (16) میں اس اثر کا اچھی طرح سے جائزہ لیا گیا ہے، اور سلکان کاربائیڈ کی تشخیص دھاتی آلودگیوں کے ساتھ اس کے تعلق کو بھی ظاہر کر سکتی ہے، حالانکہ اس آلات میں پروسیسنگ کی وجہ سے سطح کی آلودگی کی قدر TXRF کا پتہ لگانے کی حد سے مزید کم ہو سکتی ہے۔

ڈس کلیمر: یہ مضمون "وارنگ کونا" سے دوبارہ تیار کیا گیا ہے۔ یہ مضمون صرف مصنف کے ذاتی خیالات کی نمائندگی کرتا ہے، اور Sacco Micro اور صنعت کے خیالات کی نمائندگی نہیں کرتا ہے۔ یہ صرف دوبارہ پرنٹ کرنے اور اشتراک کرنے کے لیے ہے تاکہ املاک دانش کے حقوق کے تحفظ کی حمایت کی جا سکے۔ دوبارہ پرنٹ کرتے وقت براہ کرم اصل ماخذ اور مصنف کی نشاندہی کریں۔ اگر کوئی خلاف ورزی ہوتی ہے تو اسے حذف کرنے کے لیے ہم سے رابطہ کریں۔

کمپنی کا ٹیلی فون: +86-0755-83044319
فیکس/فیکس:+86-0755-83975897
ای میل: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 منیجر Qiu
پتہ: کمرہ 809، بلاک سی، ژانتاو ٹیکنالوجی بلڈنگ، نمبر 1079 منزی ایونیو، لونگہوا نیو ڈسٹرکٹ، شینزین