MOS ٹیوب اور IGBT میں کیا فرق ہے؟

ہوم پیج (-) کالمسٹ ڈیلی ہائی لائٹ MOS ٹیوب اور IGBT میں کیا فرق ہے؟

2022-03-17 1303

الیکٹرانک سرکٹس میں، MOS ٹیوبیں اور IGBT ٹیوبیں اکثر ظاہر ہوتی ہیں، اور ان دونوں کو سوئچنگ عناصر کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔ MOS ٹیوبیں اور IGBT ٹیوبیں ظاہری شکل اور خصوصیت کے پیرامیٹرز میں ایک جیسے ہیں۔ پھر کیوں کچھ سرکٹس MOS ٹیوبیں استعمال کرتے ہیں اور کچھ سرکٹس IGBT ٹیوبیں کیوں استعمال کرتے ہیں؟

آئیے ایم او ایس ٹیوب اور آئی جی بی ٹی ٹیوب کے درمیان فرق پر ایک نظر ڈالیں۔

MOS ٹیوب کیا ہے؟

FET کی دو اہم اقسام ہیں، جنکشن FET (JFET) اور موصل گیٹ FET (MOS)۔ MOS MOSFET ہے، جس کا پورا نام چینی زبان میں میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر ہے۔ چونکہ اس فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کا گیٹ ایک انسولیٹنگ پرت سے الگ تھلگ ہوتا ہے، اس لیے اسے انسولیٹڈ گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر بھی کہا جاتا ہے۔

MOSFET کو N-چینل کی کمی کی قسم اور بڑھانے کی قسم میں تقسیم کیا جا سکتا ہے۔ P-Dich depletion قسم اور اضافہ کی قسم۔
MOSFET种类与电路符号
کچھ MOSFET کے اندر ایک ڈایڈڈ ہوتا ہے، جو کہ باڈی ڈائیوڈ، یا پرجیوی ڈائیوڈ یا فری وہیلنگ ڈائیوڈ ہوتا ہے۔

پرجیوی ڈایڈس کے کردار کے بارے میں دو وضاحتیں ہیں:

MOSFET کے طفیلی ڈایڈڈ کا استعمال MOS ٹیوب کو جلانے سے روکنے کے لیے کیا جاتا ہے جب VDD زیادہ وولٹیج ہوتا ہے، کیونکہ اس سے پہلے کہ زیادہ وولٹیج MOS ٹیوب کو نقصان پہنچاتا ہے، ڈایڈڈ پہلے الٹا ٹوٹ جاتا ہے، اور بڑا کرنٹ براہ راست اس ٹیوب پر چلا جاتا ہے۔ زمین، اس طرح MOS ٹیوب کو جلنے سے روکتی ہے۔
یہ MOS ٹیوب کو جلنے سے روک سکتا ہے جب MOS ٹیوب کا ماخذ اور ڈرین الٹا جڑے ہوئے ہوں، اور جب سرکٹ میں ریورس انڈوسڈ وولٹیج ہو تو یہ ریورس انڈسڈ وولٹیج کے لیے راستہ بھی فراہم کر سکتا ہے، تاکہ ریورس انڈوسڈ وولٹیج کو روکا جا سکے۔ MOS ٹیوب کے ذریعے توڑنا.

MOSFET میں اعلی ان پٹ رکاوٹ، تیز رفتار سوئچنگ، اچھی تھرمل استحکام، وولٹیج کنٹرول کرنٹ وغیرہ کی خصوصیات ہیں۔ اسے سرکٹس میں ایمپلیفائر، الیکٹرانک سوئچ وغیرہ کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔

آئی جی بی ٹی کیا ہے؟

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)، موصل گیٹ بائپولر ٹرانزسٹر، ٹرانزسٹر اور MOS ٹرانزسٹر پر مشتمل ایک جامع سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے۔

ایک نئی قسم کے الیکٹرانک سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کے طور پر، IGBT میں ہائی ان پٹ مائبادا، وولٹیج کنٹرول کے لیے کم بجلی کی کھپت، سادہ کنٹرول سرکٹ، ہائی وولٹیج مزاحمت، ہائی کرنٹ ٹولرنس اور اسی طرح کی خصوصیات ہیں، اور یہ مختلف الیکٹرانک سرکٹس میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتا ہے۔

IGBT کی سرکٹ علامتیں ابھی تک متحد نہیں ہیں۔ اسکیمیٹک ڈایاگرام بناتے وقت، عام طور پر ٹرائیوڈ اور ایم او ایس ٹیوب کی علامتیں مستعار لی جاتی ہیں۔
اس وقت، یہ اندازہ لگایا جا سکتا ہے کہ آیا یہ آئی جی بی ٹی ہے یا ایم او ایس ٹیوب اسکیمیٹک ڈایاگرام پر نشان زد ماڈل سے۔ اسی وقت، اس بات پر توجہ دیں کہ آیا آئی جی بی ٹی میں باڈی ڈائیوڈ ہے۔ اگر یہ اعداد و شمار پر نشان زد نہیں ہے، تو اس کا مطلب یہ نہیں ہے کہ ایسا نہیں ہے۔ جب تک کہ سرکاری ڈیٹا میں خصوصی ہدایات نہ ہوں، یہ ڈائیوڈ موجود ہے۔

IGBT کا اندرونی باڈی ڈایڈڈ طفیلی نہیں ہے، لیکن خاص طور پر IGBT کے نازک ریورس اسٹینڈ وولٹیج کی حفاظت کے لیے ترتیب دیا گیا ہے، جسے FWD (فری وہیلنگ ڈائیوڈ) بھی کہا جاتا ہے۔

یہ فیصلہ کرنا مشکل نہیں ہے کہ آیا آئی جی بی ٹی کے اندر باڈی ڈائیوڈ موجود ہے۔ IGBT کے C اور E پولز کو ملٹی میٹر سے ناپا جا سکتا ہے۔ اگر IGBT اچھا ہے اور C اور E پولز کی مزاحمتی قدریں لامحدود ہیں، تو اس کا مطلب ہے کہ IGBT میں کوئی باڈی ڈائیوڈ نہیں ہے۔ IGBT فیلڈز جیسے کہ AC موٹر، فریکوئنسی کنورٹر، سوئچنگ پاور سپلائی، لائٹنگ سرکٹ، کرشن ڈرائیو وغیرہ میں اطلاق کے لیے بہت موزوں ہے۔

MOS ٹرانجسٹر اور IGBT کی ساختی خصوصیات

ایم او ایس ٹیوب اور آئی جی بی ٹی ٹیوب کی اندرونی ساخت مندرجہ ذیل تصویر میں دکھائی گئی ہے۔

MOSFET کے نالے میں ایک تہہ جوڑ کر IGBT بنتا ہے۔ IGBT کا مثالی مساوی سرکٹ مندرجہ ذیل شکل میں دکھایا گیا ہے۔
IGBT دراصل MOSFET اور ٹرانزسٹر ٹرائیوڈ کا مجموعہ ہے۔ MOSFET میں ہائی آن ریزسٹنس کا نقصان ہے، لیکن IGBT اس کمی پر قابو پاتا ہے، اور IGBT میں ہائی وولٹیج پر اب بھی کم مزاحمت ہوتی ہے۔

اس کے علاوہ، اسی طرح کی طاقت کی صلاحیت کے ساتھ IGBT اور MOSFET کی رفتار MOSFET کی رفتار سے کم ہو سکتی ہے، کیونکہ IGBT کا ٹرن آف ٹیلنگ ٹائم ہوتا ہے، اور IGBT کا ڈیڈ ٹائم اس کے لمبے ٹرن آف ٹیلنگ ٹائم کی وجہ سے طویل ہو جاتا ہے، اس طرح سوئچنگ فریکوئنسی متاثر ہوتی ہے۔

MOS ٹیوب یا IGBT کا انتخاب کریں۔

سرکٹ میں، ایم او ایس ٹیوب کو پاور سوئچ ٹیوب کے طور پر منتخب کرنا ہے یا آئی جی بی ٹی ٹیوب ایک ایسا مسئلہ ہے جس کا اکثر انجینئرز کو سامنا کرنا پڑتا ہے۔ اگر نظام کی وولٹیج، کرنٹ اور سوئچنگ پاور جیسے عوامل کو مدنظر رکھا جائے تو درج ذیل نکات کا خلاصہ کیا جا سکتا ہے۔

مندرجہ ذیل اعداد و شمار سے یہ بھی دیکھا جا سکتا ہے کہ ان دونوں کے لیے شرائط استعمال ہوتی ہیں۔ سایہ دار علاقہ اشارہ کرتا ہے کہ MOSFET اور IGBT دونوں کو منتخب کیا جا سکتا ہے، "؟" اس سطح کی نشاندہی کرتا ہے جس تک موجودہ عمل نہیں پہنچ سکتا۔

عام طور پر، MOSFET میں اعلی تعدد کی اچھی خصوصیات کے فوائد ہیں، جو کئی سو کلو ہرٹز اور میگاہرٹز تک کی فریکوئنسی پر کام کر سکتے ہیں، لیکن ہائی وولٹیج اور ہائی کرنٹ حالات میں بڑے آن مزاحمت اور زیادہ بجلی کی کھپت کے نقصانات ہیں۔ تاہم، آئی جی بی ٹی کی کم تعدد اور اعلی طاقت پر بہترین کارکردگی ہے، جس میں چھوٹی آن مزاحمت اور زیادہ برداشت کرنے والی وولٹیج ہے۔

MOSFET بجلی کی فراہمی، بیلسٹ، ہائی فریکوئینسی انڈکشن ہیٹنگ، ہائی فریکوئینسی انورٹر ویلڈنگ مشین، کمیونیکیشن پاور سپلائی اور دیگر ہائی فریکوئنسی پاور سپلائی فیلڈز میں استعمال ہوتا ہے۔ IGBT بڑے پیمانے پر ویلڈنگ مشین، انورٹر، فریکوئنسی کنورٹر، الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرولائٹک پاور سپلائی، الٹراسونک انڈکشن ہیٹنگ اور دیگر شعبوں میں استعمال ہوتا ہے۔

پچھلا

تفریق ماڈل فلٹرنگ اور کامن موڈ فلٹر تجزیہ

اگلے

"Hualinkona-سیمک کنڈکٹر کرافٹ" سلکان کاربائیڈ MOSFET مینوفیکچرنگ کے بعد بھٹی کے سامنے گیلا علاج