حال ہی میں، سنگھوا یونیورسٹی کے شعبہ کیمسٹری کے پروفیسر سو ہواپنگ کی سربراہی میں تحقیقی ٹیم نے انتہائی الٹرا وائلٹ (EUV) فوٹو ریزسٹ مواد میں اہم پیش رفت کی۔ انہوں نے polytelluoxane (PTeO) پر مبنی ایک ناول فوٹو ریزسٹ تیار کیا، جو جدید سیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ میں کلیدی مواد کے لیے ایک نئی ڈیزائن کی حکمت عملی پیش کرتا ہے۔

جیسا کہ مربوط سرکٹ کے عمل 7nm نوڈ اور اس سے آگے بڑھتے ہیں، 13.5 nm طول موج کی EUV لتھوگرافی اعلی درجے کی چپ تیار کرنے کے قابل بنانے والی بنیادی ٹیکنالوجی بن گئی ہے۔ تاہم، EUV روشنی کے ذرائع کی خصوصیات جیسے زیادہ عکاسی کا نقصان اور کم چمک فوٹو ریزٹس پر جذب کی کارکردگی، رد عمل کے طریقہ کار، اور خرابی پر قابو پانے کے حوالے سے زیادہ چیلنجز لاتی ہے۔ موجودہ مرکزی دھارے کے EUV فوٹو ریزٹس حساسیت کو بڑھانے کے لیے اکثر کیمیائی امپلیفیکیشن میکانزم یا دھاتی حساس کلسٹرز پر انحصار کرتے ہیں لیکن اکثر پیچیدہ ڈھانچے، اجزاء کی ناہموار تقسیم، رد عمل کا آسان پھیلاؤ، اور اسٹاکسٹک نقائص کا تعارف جیسے مسائل کا سامنا کرنا پڑتا ہے۔ موجودہ EUV لتھوگرافی مواد کے میدان میں ایک مثالی فوٹو ریزسٹ سسٹم کی تعمیر کے لیے ان رکاوٹوں کو توڑنا ایک بنیادی چیلنج ہے۔ تعلیمی برادری بڑے پیمانے پر اس بات پر متفق ہے کہ ایک مثالی EUV photoresist کو بیک وقت مندرجہ ذیل چار اہم عناصر کا حامل ہونا چاہیے: 1) نمائش کی خوراک کو کم کرنے اور حساسیت کو بہتر بنانے کے لیے اعلی EUV جذب کرنے کی صلاحیت؛ 2) اعلی توانائی کے استعمال کی کارکردگی، اس بات کو یقینی بناتے ہوئے کہ ہلکی توانائی کو مؤثر طریقے سے فوٹو ریزسٹ مواد کی حل پذیری میں تھوڑی مقدار میں تبدیلیوں میں تبدیل کیا جائے۔ 3) بے ترتیب اجزاء کی تقسیم اور پھیلاؤ کی وجہ سے خرابی کے شور سے بچنے کے لیے مالیکیولر پیمانے کی یکسانیت؛ 4) ریزولوشن پر عنصری خصوصیت کے سائز کے اثر کو ختم کرنے اور لائن ایج کھردری (LER) کو کم کرنے کے لیے کم سے کم عمارتی یونٹ۔ ایک طویل عرصے تک، چند مادی نظام چاروں معیارات پر پورا اتر سکتے ہیں۔

پروفیسر سو ہواپنگ کے تحقیقی گروپ نے پولیٹیللوکسن کی اپنی پہلے کی ایجاد پر مبنی ایک ناول EUV photoresist تیار کیا، جو مذکورہ مثالی فوٹو ریزسٹ کی شرائط کو پورا کرتا ہے۔ اس مطالعہ میں، ٹیم نے براہ راست Te─O بانڈز کے ذریعے پولیمر ریڑھ کی ہڈی میں ٹیلوریم (Te)، ایک اعلی EUV-جذب کرنے والے عنصر کو شامل کیا۔ Tellurium تمام عناصر کے درمیان سب سے زیادہ EUV جذب کراس سیکشن رکھتا ہے سوائے غیر فعال گیسوں زینون (Xe)، ریڈون (Rn)، اور تابکار عنصر ایسٹیٹائن (At) کے۔ اس کی EUV جذب کرنے کی صلاحیت قلیل مدتی عناصر سے کہیں زیادہ ہے جو عام طور پر روایتی photoresists اور دھاتی عناصر جیسے Zn، Zr، Hf، اور Sn میں استعمال ہوتے ہیں، جو فوٹو ریزسٹ کی EUV جذب کرنے کی کارکردگی کو نمایاں طور پر بڑھاتے ہیں۔ اس کے ساتھ ہی، Te─O بانڈ کی نسبتاً کم انحطاطی توانائی EUV جذب کرنے پر براہ راست مین چین سکشن کی اجازت دیتی ہے، حل پذیری میں تبدیلیاں لاتی ہے اور اعلیٰ حساسیت کے مثبت ٹون کی نشوونما کو قابل بناتی ہے۔ یہ فوٹو ریزسٹ مکمل طور پر واحد جزو والے چھوٹے مالیکیولز سے ترکیب کیا گیا ہے، جو ایک مثالی فوٹو ریزسٹ کی خصوصیات کو ایک انتہائی سادہ ڈیزائن کے تحت مربوط کرتا ہے، جو اگلی نسل کے EUV فوٹوریسٹس کی تعمیر کے لیے ایک واضح اور قابل عمل راستہ فراہم کرتا ہے۔

Polytelluoxane: مثالی EUV فوٹو ریزسٹ مواد

یہ تحقیق فوٹو ریزسٹ ڈیزائن کا راستہ فراہم کرتی ہے جو ہائی جذب کرنے والے عنصر Te، ایک مین چین سکیشن میکانزم، اور مادی یکسانیت کو مربوط کرتی ہے۔ اس سے اگلی نسل کے EUV لتھوگرافی مواد کی ترقی کو فروغ دینے اور جدید سیمی کنڈکٹر کے عمل کی تکنیکی اختراع میں مدد کی توقع ہے۔

متعلقہ کامیابی 16 جولائی کو سائنس ایڈوانسز میں "EUV photoresist کے لیے مثالی فارمولیشن کے طور پر Polytelluoxane" کے عنوان سے شائع ہوئی تھی۔

اس بارے میں SLKOR:

SLKORجس کا صدر دفتر شینزین، چین میں ہے، پاور سیمی کنڈکٹر سیکٹر میں تیزی سے ابھرتا ہوا قومی ہائی ٹیک انٹرپرائز ہے۔ بیجنگ اور سوزو میں R&D مراکز کے ساتھ، اس کی بنیادی تکنیکی ٹیم سنگھوا یونیورسٹی سے نکلتی ہے۔ سلکان کاربائیڈ (SiC) پاور ڈیوائس ٹیکنالوجی میں ایک اختراع کار کے طور پر، SLKORکی مصنوعات کو نئی انرجی گاڑیوں، فوٹو وولٹک پاور جنریشن، صنعتی IoT، اور کنزیومر الیکٹرانکس میں وسیع پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے، جو عالمی سطح پر 10,000 سے زیادہ کلائنٹس کو اہم سیمی کنڈکٹر حل فراہم کرتے ہیں۔

کمپنی اپنے SiC MOSFETs اور 2th-generation ultrafast recovery SBD diodes کے ساتھ سالانہ 5 بلین یونٹس فراہم کرتی ہے جو کارکردگی کے تناسب اور تھرمل استحکام میں صنعت کے معیارات کو قائم کرتی ہے۔ SLKOR 100 سے زیادہ ایجادات کے پیٹنٹ رکھتا ہے اور 2,000+ پروڈکٹ ماڈل پیش کرتا ہے، اپنے IP پورٹ فولیو کو پاور ڈیوائسز، سینسرز، اور پاور مینجمنٹ ICs میں مسلسل پھیلاتا ہے۔ ISO 9001، EU RoHS/REACH، اور CP65 تعمیل سمیت سرٹیفیکیشنز تکنیکی جدت، دبلی پتلی مینوفیکچرنگ، اور پائیدار ترقی کے لیے کمپنی کی ثابت قدمی کو ظاہر کرتے ہیں۔