حول سلكور:

يقع المقر الرئيسي لشركة Slkor في مدينة شنتشن، بمقاطعة قوانغدونغ، الصين. ويعتمد تطوير الشركة على مواد وعمليات ومنتجات جديدة. يتألف فريق Slkor الفني بشكل رئيسي من خبراء من جامعة يونسي في كوريا الجنوبية وجامعة تسينغهوا في الصين. وقد أتقنوا عملية الإنتاج الرائدة عالميًا لترانزستورات MOSFET المصنوعة من كربيد السيليكون، وتقنية ثنائيات الطاقة فائقة السرعة من الجيل الخامس. ومنذ بدايتها كشركة تصميم بدون مصانع، تطورت Slkor لتصبح شركة متكاملة تجمع بين البحث والتطوير في مجال التصميم، والتصنيع، والمبيعات، والخدمات الفنية. Slkor هي شركة وطنية عالية التقنية، وحاصلة على شهادة نظام إدارة الجودة ISO9001، بالإضافة إلى شهادات من الاتحاد الأوروبي مثل ROHS وREACH.

تمتلك شركة Slkor مؤسسات بحث وتطوير في بوسان، كوريا الجنوبية، وبكين، وسوتشو، الصين. تتم معظم عمليات تصنيع الرقائق وتعبئتها واختبارها داخل الصين. يوجد لدى المقر الرئيسي في شنتشن مختبرات ومستودع مركزي. تمتد شبكة التعاون الدولي للشركة في جميع أنحاء العالم، وتخدم أكثر من عشرة آلاف عميل في جميع أنحاء العالم. تقدمت Slkor بطلب للحصول على مائة اختراع حاصل على براءة اختراع مشروطة وتقدم أكثر من 2000 نموذج منتج. لقد أسسوا أنظمة إدارة شاملة وسير عمل مبسط. مع الجودة الممتازة والخدمات الموحدة، "SLKORاكتسبت علامتها التجارية شهرةً وسمعةً وحصةً سوقيةً كبيرةً بسرعة. تشمل منتجات Slkor الثنائيات والترانزستورات وأجهزة الطاقة المنفصلة ورقائق إدارة الطاقة، مُصنّفةً ضمن ثلاث سلاسل رئيسية. كما طرحت الشركة منتجاتٍ جديدةً مثل مستشعرات هول، والمحوّلات التناظرية إلى الرقمية، وأنظمة إدارة البطاريات. وتتمتع الشركة بخبرةٍ تقنيةٍ طويلةٍ في وحدات التحكم الدقيقة المتخصصة ورقائق الواجهات.

1. دليل تطبيق

تُستخدم المرحلات الصغيرة بشكل شائع في الأنظمة الإلكترونية للتحكم في تبديل الدوائر، ولها تطبيقات واسعة النطاق في المعدات الصناعية والأدوات والأجهزة المنزلية. عادة ما يكون قلب دوائر التحكم الحديثة هو رقائق الكمبيوتر مثل وحدات MCU، وDSPs، وFPGAs. لا تحتوي هذه الرقائق الأساسية على طاقة خرج كافية للتحكم مباشرة في المرحلات الصغيرة ويمكن تشغيلها بواسطة SLKORالترانزستورات الصغيرة BC817-25، BC848B، BC847B، و MOSFETs الصغيرة 2N7002E، SL2302S، SL2300، SL3400، SL3402، ومصفوفات Darlington ULN2001D، ULN2003AU، ULN2803AS، وما إلى ذلك.

في المثال التالي، سوف نستخدم قيادة مرحل صغير عالي الطاقة JQC-3FF/12VDC-1ZS (551) من HF كمثال. يحتوي ملف المرحل على جهد مقدر 12 فولت، وجهد عمل 9 فولت، وجهد أقصى 15.6 فولت، ومقاومة الملف 400 أوم. عند تشغيله بجهد 12 فولت، يكون تيار الملف 30 مللي أمبير. هنا سوف نقدم تصميم قيادة المرحل الصغير باستخدام BC848B، SL2302، وULN2803AS، على التوالي. بأخذ STM32F030C8T6 MCU كمثال، يمكن لأي دبوس IO أن يوفر حدًا أقصى يبلغ 25 مللي أمبير من تيار السحب لأعلى أو السحب لأسفل، والحد الإجمالي لتيار السحب لأعلى أو السحب لأسفل لجميع دبابيس IO هو 80 مللي أمبير. لذلك، عند تطبيق منافذ الإدخال/الإخراج، يجب أن يكون هناك هامش كافٍ. القيمة النموذجية للمقاومة الضعيفة المنسدلة لطرف IO هي 40KΩ. عند تشغيله بجهد 3.3 فولت، إذا كان طرف الإدخال/الإخراج 8 مللي أمبير من التيار، فإن الحد الأدنى لمستوى الإخراج العالي هو 2.9 فولت، وإذا كان طرف الإدخال/الإخراج يسحب 8 مللي أمبير من التيار، فإن الحد الأقصى لمستوى الإخراج المنخفض هو 0.4 فولت.

2. باستخدام Sلكور BC847B إلى Dشاطئ

جهد المجمع-الباعث (VCEO) للترانزستور BC847B هو 45 فولت، وتيار المجمع (IC) هو 100 مللي أمبير. يتراوح كسب التيار المستمر (HFE) من 200 إلى 450، والحد الأقصى لجهد تشبع المجمع والباعث هو 600 مللي فولت. سعة الإدخال النموذجية (CIB) هي 9pF.

عند قيادة ملف مرحل، يعمل الترانزستور إما في حالة القطع (تحرير المرحل) أو حالة التوصيل المشبع (تشغيل المرحل).

أثناء الانتقال من تشغيل المُرحّل إلى تحريره، يُولّد ملف المُرحّل قوة دافعة كهربائية عكسية (EMF). تُفرّغ الطاقة المُخزّنة في الملف عبر الصمام الثنائي الحر (D) ومقاومة الملف. تُثبّت القوة الدافعة الكهربائية العكسية عند انخفاض جهد أمامي قدره 0.7 فولت عبر الصمام الثنائي، وهو أقل بكثير من جهد انهيار الترانزستور، مما يحمي الترانزستور.

يجب أن تضمن قيم المقاومات R1 و R2 في الدائرة دخول الترانزستور بشكل موثوق إلى التشبع العميق عندما يكون جهد الدخل 2.9 فولت. بافتراض أن HFE يبلغ 200 للترانزستور BC847B وتيار محرك التتابع 30 مللي أمبير، يتم حساب التيار الأساسي (IB) على أنه 0.15 مللي أمبير (30 مللي أمبير/200). ولضمان التشبع العميق، يتم زيادة التيار الأساسي إلى 0.3 مللي أمبير. بافتراض أن جهد الباعث الأساسي (VBE) هو 0.7 فولت عندما يكون الترانزستور BC847B مشبعًا وأن جهد الخرج عالي المستوى للمتحكم الدقيق STM32F030C8T6 (MCU) يبلغ 2.9 فولت على الأقل، يجب أن يكون الجهد عبر المقاوم R1 2.2 فولت.

تتم إضافة المقاوم R2 لقطع الترانزستور BC847B بشكل موثوق في ظل الظروف المعاكسة. عندما يكون VBE 0.7V، يكون التيار خلال R2 IR2=0.7/22=0.032mA. لضمان التشبع العميق، يجب أن يكون إجمالي التيار من خلال المقاوم R1 IR1=0.3+0.032=0.332mA. لذلك، فإن قيمة المقاومة القصوى لـ R1 هي R1=2.2/0.332=6.63KΩ. اختيار R1 كـ 3.3KΩ يضمن أن الترانزستور BC847B يمكن أن يدخل في حالة تشبع عميق حتى مع اختلافات معلمات المكونات. في حالة التشبع العميق، عندما يكون مصدر الطاقة 12 فولت، يكون الحد الأدنى لجهد محرك الترحيل 11.4 فولت، وهو ما يكفي لضمان تشغيل التتابع بشكل موثوق.

يمكن تقدير الثابت الزمني للتوصيل تقريبًا كـ R=R1|R2=2.9KΩ، وRC=2.9KΩ*9pF=26.1pS. وقت عملية الانتقال قصير للغاية!

عندما يقوم STM32F030C8T6 MCU بإخراج جهد منخفض المستوى، والذي يبلغ 0.4 فولت على الأكثر، يكون جهد الباعث الأساسي للترانزستور BC847B أقل من 0.4 فولت، مما يضمن قطعًا موثوقًا لإصدار التتابع.

لضمان أقصى قدر من الموثوقية، يوصى بتمكين المقاومات المنسدلة الضعيفة (القيمة النموذجية 40 كيلو أوم) لمنفذ الإدخال / الإخراج الذي تم تكوينه في البرنامج الخاص بـ STM32F030C8T6 MCU.

3. باستخدام Sلكور SL2302 إلى Dشاطئ

استخدم SLKOR SL2302 هو ترانزستور MOSFET صغير الإشارة ذو قناة N. أقصى جهد لمصدر الصرف (VDS) هو 20 فولت، وأقصى جهد لمصدر البوابة (VGS) هو 12 فولت، وأقصى مقاومة تشغيل (RDS(on)) هي 85 ملي أوم عند جهد VGS = 2.5 فولت وجهد داخلي = 3.1 أمبير. أقصى جهد عتبة (VGS(th)) لتوصيل البوابة هو 1.2 فولت، بينما أدنى جهد هو 0.65 فولت. سعة الدخل النموذجية (CISS) هي 300 بيكو فاراد.

عندما يقوم STM32F030C8T6 بإخراج جهد عالي المستوى لا يقل عن 2.9 فولت، بافتراض أن R1 = 10KΩ وR2 = 100KΩ، يتم حساب جهد الحالة المستقرة على بوابة SL2302 (VGS D) على أنه (100/(100+10))* 2.9 = 2.64 فولت. وهذا يضمن بقاء SL2302 في حالة موثوقة من التوصيل الفائق التشبع. عندما تكون في حالة التشبع الفائق، فإن مقاومة التوصيل لـ SL2302 لا تزيد عن 85mΩ. بافتراض أن مصدر طاقة 12 فولت، فإن جهد محرك التتابع قريب جدًا من 12 فولت، وهو ما يكفي لتشغيل التتابع بشكل موثوق.

عندما يقوم STM32F030C8T6 بإخراج جهد منخفض المستوى، بجهد أقصى يبلغ 0.4 فولت، يكون جهد البوابة SL2302 أقل من 0.4 فولت، مما يضمن قطعًا موثوقًا ويسمح بإطلاق موثوق للمرحل.

يمكن تقدير ثابت زمن التوصيل تقريبًا بالمعادلة R = R1|R2 = 9.1 كيلو أوم، وRC = 9.1 كيلو أوم * 300 بيكو فاراد = 2.73 نانوثانية. وقت عملية الانتقال قصير جدًا! عندما ينتقل المرحل من وضع التشغيل إلى وضع التحرير، يُولّد الملف قوة دافعة كهربائية عكسية (EMF). تُفرّغ الطاقة المُخزّنة في الملف عبر الصمام الثنائي الحر (D) ومقاومة الملف. تُثبّت القوة الدافعة الكهربائية العكسية عند انخفاض جهد أمامي قدره 0.7 فولت عبر الصمام الثنائي، وهو أقل بكثير من جهد انهيار ترانزستور MOSFET، مما يحميه. لضمان أقصى قدر من الموثوقية، يُوصى بتفعيل مقاومة السحب الضعيفة (القيمة النموذجية 40 كيلو أوم) لمنفذ الإدخال/الإخراج المُهيأ في برنامج STM32F030C8T6.

4. باستخدام SLKOR ULN2803AS للقيادة

Sلكور ULN2803AS هو مُشغِّل ترانزستور دارلينجتون NPN بثماني قنوات وثنائيات مُدمجة حرة الحركة. وهو مُناسب لتشغيل مُرحِّلات صغيرة مُتعددة، ومحركات خطوية مُصغَّرة، وملفات لولبية، ومؤشرات، وغيرها. أقصى جهد خرج له 50 فولت، وأقصى تيار مُجمِّع لقناة واحدة 500 مللي أمبير. أقصى جهد تشبع المُجمِّع-الباعث هو 1.1 فولت عند تيار مُجمِّع 100 مللي أمبير، وأقصى جهد دخل هو 2.4 فولت عند تيار المُجمِّع المُوصِّل بجهد 200 مللي أمبير. أقصى تيار دخل هو 1.35 مللي أمبير عند جهد دخل 3.85 فولت، وأقصى سعة دخل (CI) هي 25 بيكو فاراد.

يُستخدم STM32F030C8T6 كوحدة تحكم رئيسية، ومعظم منافذ الإدخال/الإخراج فيه قادرة على تشغيل مدخلات ULN2803AS مباشرةً. يبلغ الحد الأدنى لجهد الخرج عالي المستوى 2.9 فولت، والحد الأقصى لجهد الخرج منخفض المستوى 0.4 فولت، مما يُلبي تمامًا متطلبات تشغيل ULN2803AS. لتحسين مناعة STM32F030C8T6 من التداخل، يُمكن توصيل مقاومة 560Ω على التوالي بين منفذ الإدخال/الإخراج ومدخل ULN2803AS. لتشغيل المُرحّلات الصغيرة، تُوفر ثنائيات الدوران الحر الداخلية لـ ULN2803AS قدرة دوران حر كافية، لذا لا حاجة عادةً لإضافة ثنائيات دوران حر إضافية. إذا كانت هناك حاجة إلى موثوقية عالية جدًا، يُمكن إضافة ثنائيات دوران حر منفصلة. يبلغ زمن التبديل النموذجي لـ ULN2803AS حوالي 1 ميكروثانية، وبالنسبة لتشغيل مرحلات صغيرة، لا يلزم إجراء أي حسابات إضافية.

بافتراض أن مصدر طاقة 12 فولت، فإن الحد الأدنى لجهد محرك التتابع هو 10.9 فولت، وهو ما يكفي لتنشيط التتابع بشكل موثوق. عندما يقوم STM32F030C8T6 بإخراج جهد منخفض المستوى، بجهد أقصى يبلغ 0.4 فولت، يمكن لـ ULN2803AS قطع المرحل وتحريره بشكل موثوق.

لضمان أقصى قدر من الموثوقية، يوصى بتمكين المقاوم المنسدل الضعيف (القيمة النموذجية 40KΩ) لمنفذ الإدخال/الإخراج الذي تم تكوينه في البرنامج لـ STM32F030C8T6.

SLKOR تقدم منتجات عالية الجودة مثل ثنائيات كربيد السيليكون (SiC) و SiC MOSFETs و IGBTs وثنائيات الطاقة ذات الاسترداد الفائق السرعة من الجيل الخامس، والتي يمكنها تلبية احتياجات الصناعات مثل المركبات ذات الطاقة الجديدة والمعدات المتطورة والاتصالات والطاقة والطاقة الشمسية الكهروضوئية والمعدات الطبية والإنترنت الصناعي. SLKOR كما تقدم أيضًا منتجات للأغراض العامة مثل ثنائيات شوتكي، وثنائيات حماية التفريغ الكهروستاتيكي، وثنائيات قمع الانتقال العابر TVS، بالإضافة إلى أجهزة الطاقة مثل عالية-MOSFETs ذات الجهد المتوسط-ترانزستورات MOSFET ذات الجهد المنخفض، وثايرستورات MOSFET ذات الجهد المنخفض، ومقومات التحكم السيليكونية SCR، ورقائق إدارة الطاقة مثل LDOs، ورقائق AC-DC، وDC-DC. بالإضافة إلى ذلك، SLKOR تقدم خدمات تكميلية مثل أجهزة الاستشعار والمزدوجات الضوئية عالية السرعة والمذبذبات الكريستالية لمختلف التطبيقات في المنتجات مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة والروبوتات والمنازل الذكية وإنترنت الأشياء وإضاءة LED والمنتجات الرقمية 3C والأجهزة الذكية القابلة للارتداء وإنترنت الأشياء.

SLKOR مكرس لبناء منصة بيئية ومركبة وشاملة. الموقع الرسمي للشركة لديه أعمدة للتقنية المدونة، عمود الخبراء، sالمستحضرات الإلكترونية المدونة, و ديناميات الصناعة. ال "SLKOR يجري التخطيط لقاعة المحاضرات التكنولوجية، مع خطط لدعوة باحثين وخبراء دوليين لإلقاء محاضرات عامة. سيكون هناك تصادم للأفكار، وتبادلات أكاديمية، وليمة من الأفكار، مما يوفر منصة للتعلم والتواصل لزملاء المعلومات الإلكترونية. SLKOR كما تدمج روح الوحدة والسعي والاختراقات من الرياضة في ثقافة عملها، وتدعو إلى العمل السعيد والحياة السعيدة. وقد شكلت الشركة "SLKOR فريق ووريورز لكرة السلة" ويقيم بانتظام أنشطة ثقافية وترفيهية متنوعة. SLKOR يدعم ثقافة الشركة "النزاهة والتقدم والمثابرة والتفاصيل" والقيمة الأخلاقية للعدالة والانفتاح والتعاون، "لا تفعل بالآخرين ما لا تريد أن يفعله بك" العمل مع الموردين وشركاء القنوات والعملاء والشركاء المتعاونين لتعزيز التنمية العالمية بالتكنولوجيا والمنتجات وتحقيق رؤية الشركة في أن تصبح رائدة في صناعة أشباه الموصلات.