Acerca de Slkor:

Slkor tiene su sede en Shenzhen, provincia de Guangdong, China. El desarrollo de la empresa está impulsado por nuevos materiales, nuevos procesos y nuevos productos. El equipo técnico de Slkor está compuesto principalmente por expertos de la Universidad Yonsei en Corea del Sur y la Universidad Tsinghua en China. Han dominado el proceso de producción líder a nivel internacional de MOSFET de carburo de silicio y la tecnología de diodos de potencia de recuperación ultrarrápida de quinta generación. Desde su estado inicial como una empresa de diseño sin fábrica, Slkor ha evolucionado hasta convertirse en una empresa integrada que combina investigación y desarrollo de diseño, fabricación, ventas y servicios técnicos. Slkor es una empresa nacional de alta tecnología y ha obtenido la certificación del sistema de gestión de calidad ISO9001, así como certificaciones de la UE como ROHS y REACH.

Slkor cuenta con instituciones de investigación y desarrollo en Busan (Corea del Sur), Pekín y Suzhou (China). La mayor parte de la fabricación de obleas y el empaquetado y prueba de chips se realizan en China. La sede central en Shenzhen cuenta con laboratorios y un almacén central. La red de cooperación internacional de la empresa se extiende por todo el mundo y presta servicio a más de diez mil clientes en todo el mundo. Slkor ha solicitado cien invenciones patentadas condicionalmente y ofrece más de 2000 modelos de productos. Han establecido sistemas de gestión integrales y flujos de trabajo optimizados. Con una calidad excelente y servicios estandarizados, la "SLKORLa marca ha ganado rápidamente reconocimiento, reputación y cuota de mercado. Los productos de Slkor incluyen diodos, transistores, dispositivos de potencia discretos y chips de gestión de energía, clasificados en tres series principales. También han introducido nuevos productos como sensores Hall, convertidores analógico-digitales (ADC) y sistemas de gestión de edificios (BMS). La empresa cuenta con años de experiencia técnica en microcontroladores (MCU) especializados y chips de interfaz.

1. Guia de APLICACION

Los relés pequeños se utilizan comúnmente en sistemas electrónicos para controlar la conmutación de circuitos y tienen aplicaciones generalizadas en equipos industriales, instrumentos y electrodomésticos. El corazón de los circuitos de control modernos suelen ser chips de computadora como MCU, DSP y FPGA. Estos chips centrales no tienen suficiente potencia de salida para controlar directamente relés pequeños y pueden ser controlados por SLKORLos pequeños transistores BC817-25, BC848B, BC847B y los pequeños MOSFET 2N7002E, SL2302S, SL2300, SL3400, SL3402 y los conjuntos Darlington ULN2001D, ULN2003AU, ULN2803AS, etc.

En el siguiente ejemplo, utilizaremos como ejemplo el control de un pequeño relé de alta potencia JQC-3FF/12VDC-1ZS (551) de HF. La bobina del relé tiene un voltaje nominal de 12 V, un voltaje de acción de 9 V, un voltaje máximo de 15.6 V y una resistencia de bobina de 400 Ω. Cuando se alimenta con 12 V, la corriente de la bobina es de 30 mA. Aquí presentaremos el diseño de accionamiento del relé pequeño utilizando BC848B, SL2302 y ULN2803AS, respectivamente. Tomando la MCU STM32F030C8T6 como ejemplo, cualquier pin IO puede proporcionar un límite máximo de 25 mA de corriente pull-up o pull-down, y el límite total de corriente pull-up o pull-down para todos los pines IO es 80 mA. Por lo tanto, al aplicar los pines IO, debería haber suficiente margen. El valor típico de la resistencia desplegable débil para el pin IO es 40 KΩ. Cuando se alimenta con 3.3 V, si el pin IO genera 8 mA de corriente, el nivel alto de salida mínimo es 2.9 V, y si el pin IO extrae 8 mA de corriente, el nivel bajo de salida máximo es 0.4 V.

2. El uso de SLKOR BC847B a Dhender

El voltaje colector-emisor (VCEO) del transistor BC847B es de 45 V y la corriente del colector (IC) es de 100 mA. La ganancia de corriente CC (HFE) varía de 200 a 450 y el voltaje máximo de saturación colector-emisor es de 600 mV. La capacitancia de entrada típica (CIB) es 9pF.

Al accionar una bobina de relé, el transistor opera en estado de corte (liberación de relé) o de conducción saturada (actuación de relé).

Durante la transición de la activación del relé a la liberación, la bobina del relé genera una fuerza contraelectromotriz (EMF). La energía almacenada en la bobina se descarga a través del diodo de rueda libre (D) y la resistencia de la bobina. El EMF trasero está sujeto a una caída de voltaje directo de 0.7 V a través del diodo, que es mucho menor que el voltaje de ruptura del transistor, protegiendo así el transistor.

Los valores de las resistencias R1 y R2 en el circuito deben garantizar que el transistor entre de manera confiable en una saturación profunda cuando el voltaje de entrada es de 2.9 V. Suponiendo un HFE de 200 para el transistor BC847B y una corriente de accionamiento del relé de 30 mA, la corriente base (IB) se calcula como 0.15 mA (30 mA/200). Para garantizar una saturación profunda, la corriente base se aumenta a 0.3 mA. Suponiendo que el voltaje base-emisor (VBE) es de 0.7 V cuando el transistor BC847B está saturado y el voltaje de salida de alto nivel del microcontrolador (MCU) STM32F030C8T6 es de al menos 2.9 V, el voltaje a través de la resistencia R1 debe ser de 2.2 V.

Se agrega la resistencia R2 para cortar de manera confiable el transistor BC847B en condiciones adversas. Cuando VBE es 0.7 V, la corriente a través de R2 es IR2 = 0.7/22 = 0.032 mA. Para garantizar una saturación profunda, la corriente total a través de la resistencia R1 debe ser IR1=0.3+0.032=0.332mA. Por lo tanto, el valor máximo de resistencia para R1 es R1=2.2/0.332=6.63KΩ. Elegir R1 como 3.3 KΩ garantiza que el transistor BC847B pueda entrar en una saturación profunda incluso con variaciones en los parámetros de los componentes. En condiciones de saturación profunda, cuando la fuente de alimentación es de 12 V, el voltaje mínimo del relé es de 11.4 V, que es suficiente para garantizar una actuación fiable del relé.

La constante de tiempo para la conducción se puede estimar aproximadamente como R=R1|R2=2.9KΩ y RC=2.9KΩ*9pF=26.1pS. ¡El tiempo del proceso de transición es extremadamente corto!

Cuando la MCU STM32F030C8T6 genera un voltaje de bajo nivel, que es como máximo 0.4 V, el voltaje base-emisor del transistor BC847B es inferior a 0.4 V, lo que garantiza un corte confiable para la liberación del relé.

Para garantizar la máxima confiabilidad, se recomienda habilitar las resistencias desplegables débiles (valor típico de 40 KΩ) para el puerto de E/S configurado en el software para la MCU STM32F030C8T6.

3. El uso de SLKOR SL2302 a Dhender

El SLKOR SL2302 es un MOSFET de señal pequeña de canal N. Su voltaje máximo de fuente de drenaje (VDS) es de 20 V, el voltaje máximo de fuente de puerta (VGS) es de 12 V y la resistencia máxima de encendido (RDS (encendido)) es de 85 mΩ a VGS = 2.5 V e ID = 3.1 A. El voltaje umbral máximo (VGS(th)) para la conducción de la puerta es de 1.2 V, mientras que el mínimo es de 0.65 V. La capacitancia de entrada típica (CISS) es de 300 pF.

Cuando el STM32F030C8T6 genera un voltaje de alto nivel de al menos 2.9 V, suponiendo que R1 = 10 KΩ y R2 = 100 KΩ, el voltaje de estado estable en la puerta SL2302 (VGS D) se calcula como (100/(100+10))* 2.9 = 2.64 V. Esto asegura que el SL2302 permanezca en un estado confiable de conducción de sobresaturación. Cuando está en sobresaturación, la resistencia de conducción del SL2302 no supera los 85 mΩ. Suponiendo una fuente de alimentación de 12 V, el voltaje del accionamiento del relé es muy cercano a 12 V, lo que es suficiente para una actuación confiable del relé.

Cuando el STM32F030C8T6 genera un voltaje de bajo nivel, con un voltaje máximo de 0.4 V, el voltaje de la compuerta SL2302 es inferior a 0.4 V, lo que garantiza un corte confiable y permite la liberación confiable del relé.

La constante de tiempo para la conducción se puede estimar aproximadamente como R = R1|R2 = 9.1 KΩ y RC = 9.1 KΩ * 300 pF = 2.73 ns. ¡El tiempo del proceso de transición es muy corto! Cuando el relé pasa de activación a liberación, la bobina genera una fuerza contraelectromotriz (EMF). La energía almacenada en la bobina se descarga a través del diodo de rueda libre (D) y la resistencia de la bobina. El EMF posterior está sujeto a una caída de voltaje directo de 0.7 V a través del diodo, que es mucho menor que el voltaje de ruptura del MOSFET, protegiéndolo así. Para garantizar la máxima confiabilidad, se recomienda habilitar la resistencia desplegable débil (valor típico de 40 KΩ) para el puerto de E/S configurado en el software para STM32F030C8T6.

4. El uso de SLKOR ULN2803AS para conducir

SLKOR ULN2803AS es un controlador de transistor NPN Darlington con ocho canales y diodos de rueda libre incorporados. Es adecuado para accionar múltiples relés pequeños, motores paso a paso en miniatura, solenoides, indicadores, etc. Su voltaje de salida máximo es de 50 V y la corriente máxima del colector para un solo canal es de 500 mA. El voltaje máximo de saturación colector-emisor es de 1.1 V con una corriente de colector de 100 mA, y el voltaje de entrada máximo es de 2.4 V cuando la corriente del colector conduce a 200 mA. La corriente de entrada máxima es de 1.35 mA a un voltaje de entrada de 3.85 V y la capacitancia de entrada máxima (CI) es de 25 pF.

El STM32F030C8T6 se utiliza como controlador principal y la mayoría de sus puertos de E/S pueden controlar directamente las entradas del ULN2803AS. El voltaje de salida mínimo de alto nivel es de 2.9 V y el voltaje de salida máximo de bajo nivel es de 0.4 V, lo que cumple plenamente con los requisitos para controlar el ULN2803AS. Para mejorar la inmunidad a las interferencias del STM32F030C8T6, se puede conectar una resistencia de 560 Ω en serie entre su puerto de E/S y la entrada del ULN2803AS. Para accionar relés pequeños, los diodos de funcionamiento libre internos del ULN2803AS proporcionan suficiente capacidad de funcionamiento libre, por lo que generalmente no es necesario agregar diodos de funcionamiento libre adicionales. Si se requiere una confiabilidad extremadamente alta, se puede considerar agregar diodos de rueda libre separados. El tiempo de conmutación típico del ULN2803AS es de alrededor de 1 μs y, para controlar relés pequeños, no se necesitan más cálculos.

Suponiendo una fuente de alimentación de 12 V, el voltaje mínimo del accionamiento del relé es 10.9 V, que es suficiente para una activación confiable del relé. Cuando el STM32F030C8T6 genera un voltaje de bajo nivel, con un voltaje máximo de 0.4 V, el ULN2803AS puede cortar y liberar el relé de manera confiable.

Para garantizar la máxima confiabilidad, se recomienda habilitar la resistencia desplegable débil (valor típico de 40 KΩ) para el puerto de E/S configurado en el software para STM32F030C8T6.

SLKOR Ofrece productos de alta gama como diodos de carburo de silicio (SiC) y SiC. MOSFET, IGBT y diodos de potencia de recuperación ultrarrápida de quinta generación, que pueden satisfacer las necesidades de industrias como vehículos de nueva energía, equipos de alta gama, comunicaciones y energía, energía solar fotovoltaica, equipos médicos e Internet industrial. SLKOR También proporciona productos de uso general, como diodos Schottky, diodos de protección ESD y diodos de supresión transitoria TVS, así como dispositivos de potencia como alta-MOSFET de voltaje medio-MOSFET de voltaje y MOSFET de bajo voltaje, tiristores y rectificador de control de silicio SCR, y chips de administración de energía como chips LDO, AC-DC y DC-DC. Además, SLKOR ofrece servicios complementarios como sensores, optoacopladores de alta velocidad y osciladores de cristal para diversas aplicaciones en productos como teléfonos inteligentes, computadoras portátiles, robots, hogares inteligentes, IoT, iluminación LED, productos digitales 3C, dispositivos portátiles inteligentes e IoT.

SLKOR se dedica a construir una plataforma que sea ecológica, compuesta e inclusiva. El sitio web oficial de la empresa. tiene columnas para tecnico blogs, columna de expertos, ssoluciones electrónicas blogs, y dinámica de la industria. El "SLKOR Se está planificando el "Technology Lecture Hall", con planes para invitar a académicos y expertos internacionales a dar conferencias públicas. Habrá colisiones de ideas, intercambios académicos y un festín de pensamientos, proporcionando una plataforma de aprendizaje y comunicación para colegas de información electrónica. SLKOR También integra el espíritu de unidad, esfuerzo y avances del deporte en su cultura laboral, abogando por un trabajo feliz y una vida feliz. La empresa ha formado el "SLKOR Warriors Basketball Team" y realiza periódicamente diversas actividades culturales y de entretenimiento. SLKOR mantiene la cultura corporativa de "Integridad, Progreso, Tenacidad, Detalle" y un valor ético de justicia, apertura y cooperación, "No hagas a los demás lo que no quieres que te hagan a ti mismo". trabajar con proveedores, socios de canal, clientes y socios cooperativos para promover el desarrollo mundial con tecnología y productos, y lograr la visión de la empresa de convertirse en líder en la industria de semiconductores.