حال ہی میں، میں نے لیاؤننگ یونیورسٹی آف ٹیکنالوجی کے پروفیسر چن یونگزین کا مضمون پڑھا، "کیا GaN FET کے لیے الیکٹرولائٹک کیپسیٹر محض ایک چال ہے؟" بہت سارے احساسات ہیں، اس لیے گیلیم نائٹرائڈ (GaN)FET (فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر) کے لیے الیکٹرولائٹک کیپسیٹر وجود میں آیا۔ اس کے کم حجم کے علاوہ، جب مینوفیکچرنگ کے عمل میں خاطر خواہ تبدیلی نہ آئی ہو تو اس کے پرجیوی انڈکٹنس کو بہت زیادہ کم نہیں کیا جا سکتا، اور اس میں بہت زیادہ اعلی ہارمونکس کے ساتھ، ہائی سوئچنگ فریکوئنسی پر انڈکٹنس خصوصیات ہیں۔ لہذا، اس طرح ایک electrolytic capacitor غیر ضروری ہے.

+درحقیقت، جدید ٹیکنالوجی کی نئی نسل کی تکرار کے وقت، ہمیشہ کیچڑ اور ریت رہے گی۔ تاہم، نئی ٹیکنالوجی کی پیریفرل سپورٹنگ ٹیکنالوجی کی ترقی کے ساتھ، اس کا کردار زیادہ سے زیادہ اہم ہو جائے گا، جیسے کہ گیلیم نائٹرائڈ پاور ڈیوائسز۔ آئیے ایک نظر ڈالتے ہیں کہ صنعت کے بڑے کافی بنانے والوں نے حال ہی میں گیلیم نائٹرائڈ کے بارے میں کیا کہا ہے، اور وہ ہمیں کیا سبق دے سکتے ہیں؟

GaN ایک 5G توانائی کا اتپریرک بن گیا ہے۔

نیویتاس سیمی کنڈکٹر میں کارپوریٹ مارکیٹنگ اور سرمایہ کار تعلقات کے نائب صدر اسٹیفن اولیور نے کہا، "گیلیم نائٹرائڈ کا ظہور 5G کی طلب کو پورا کرے گا، ایک نئی ٹوپولوجی کا احساس کرے گا، اور تیزی سے چارجنگ کو مکمل طور پر تبدیل کر دے گا۔"

GSMArena کے جاری کردہ اعداد و شمار کے مطابق، 2010 کے بعد سے، ایپل آئی فون 12، Xiaomi Mi11 اور Samsung S21 جیسے نئے موبائل فون پلیٹ فارمز کی اوسط سکرین سائز اور بیٹری کی صلاحیت میں تین گنا سے زیادہ اضافہ ہوا ہے۔ چارجنگ کے وقت کو طول دینے کے لیے سست سلکان پر مبنی 5W یا 20W کمرشل چارجرز استعمال کرنا ناقابل قبول ہے، اس لیے زیادہ پاور کی ضرورت ہے۔

جیسا کہ روایتی کم فریکوئنسی ٹوپولوجی سے پتہ چلتا ہے، سلکان چارجر سے زیادہ توانائی حاصل کرنے کا مطلب ہے بڑا سائز، زیادہ وزن اور زیادہ قیمت، اور پاور ڈینسٹی اور تھرمل کثافت کا ڈیزائن رکاوٹیں ہیں۔

10 سال کے اندر، سمارٹ فونز کی سکرین کے سائز اور بیٹری کی صلاحیت میں 3 گنا سے زیادہ اضافہ ہوا ہے۔

اولیور نے کہا کہ اسمارٹ فون کی اسکرین، بیٹری اور 5G فنکشنز میں اضافے کے ساتھ ساتھ ڈیٹا پروسیسنگ اور ٹرانسمیشن کی شرح اور صلاحیت میں اضافے نے لوگوں کو چارج کرنے کی رفتار اور سفری اڈاپٹر کے سائز، وزن اور قیمت پر توجہ دینے پر مجبور کیا۔ ایک ہی وقت میں، ایک واحد، لچکدار چارجنگ پلیٹ فارم (ہارڈ ویئر اور سافٹ ویئر)، یعنی USB-C کنیکٹر (USB-C) یا پاور ٹرانسمیشن (USB-PD) کے ساتھ پروگرام ایبل پاور سپلائی (PPS) متعارف کرانے کا مطلب ہے کہ صارفین زیادہ دیر تک OEM کی طرف سے فراہم کردہ پاور پروڈکٹس پر انحصار کرتے ہیں۔

ان کا خیال ہے کہ بجلی کی کثافت کو بہتر بنانے کی کلید سوئچنگ فریکوئنسی کو بڑھانا اور غیر فعال اجزاء جیسے ٹرانسفارمرز، EMI فلٹرز، بڑی صلاحیت اور آؤٹ پٹ کیپسیٹرز کو کم کرنا ہے۔ 1996 کے اوائل میں، ایک تیز رفتار ٹوپولوجی جیسے ایکٹو کلیمپڈ فلائی بیک (ACF) کو تعلیمی برادری نے تجویز کیا تھا، لیکن یہ کمزور آن مزاحمت اور سوئچنگ کارکردگی اور سلکان کی پیچیدگی اور زیادہ سے زیادہ کنٹرول IC کی کمی کی وجہ سے مایوس تھا۔

2018 کے آغاز میں، GaN پاور IC کے تعارف نے اس صورت حال کا خاتمہ کر دیا، جس نے نہ صرف ACF کو تجارتی طور پر ممکن بنایا، بلکہ اسمارٹ فون چارجر کی ہائی فریکوئنسی کوسی-ریزوننٹ فلائی بیک چارجنگ کے ساتھ ساتھ CrCM (کریٹیکل کنڈکشن موڈ) کو بھی بنایا۔ ) PFC (پاور فیکٹر کریکشن) ٹوپولوجی، ہائی سپیڈ ایل ایل سی (ریزوننٹ کنٹرولر) اور اعلی درجے کی CrCM ٹوٹیم پول PFC کو اعلی پاور سسٹم جیسے گیمنگ نوٹ بک کمپیوٹرز، انٹیگریٹڈ پی سی، ٹیلی ویژن اور 5G ٹرانسمٹنگ یونٹ پاور سپلائیز کو تجارتی طور پر ممکن بنائیں۔

GaN پاور IC ایک چپ پیکج میں GaN پاور FET اور GaN ڈرائیور کے علاوہ کنٹرول اور تحفظ کو مربوط کرتا ہے۔ یہ GaNFast؟ پاور سپلائی ICs استعمال میں آسان، تیز رفتار اور اعلیٰ کارکردگی والے ڈیجیٹل ان پٹ اور آؤٹ پٹ پاور سپلائی کے اجزاء ہیں۔ چونکہ گیٹ ڈرائیو سرکٹ میں بنیادی طور پر کوئی رکاوٹ نہیں ہے، اس لیے انضمام کے بعد بند ہونے پر تقریباً کوئی نقصان نہیں ہوتا۔ اس کے علاوہ، افتتاحی کارکردگی کو مخصوص درخواست کی ضروریات کے مطابق کنٹرول اور اپنی مرضی کے مطابق کیا جا سکتا ہے۔

کیا اثر ہے؟ GaN پاور IC روایتی سلکان ڈیزائن سے 20 گنا تیز اور 3 گنا زیادہ چلتا ہے، اور اسے سمارٹ فونز اور لیپ ٹاپ کو تیزی سے چارج کرنے کے لیے ڈیل، لینووو اور Xiaomi جیسے OEMs نے استعمال کیا ہے۔ جیسا کہ OPPO 50W Mini SuperVOOC Cookie Quick Charger سے دیکھا جا سکتا ہے، تیز رفتار GaN ٹاپولوجی غیر فعال اجزاء کو ختم کرتی ہے اور چارجر کے سائز کو کم کرتی ہے۔ TI UCC28782 کنٹرولر اور ہاف برج کنفیگریشن GaNFast پاور آئی سی کے ایک جوڑے کے ساتھ، 10 گنا تیز رفتار کے ساتھ اعلی کارکردگی کا ایکٹیو کلیمپ فلائی بیک محسوس ہوتا ہے۔

سخت مارکیٹ کی طلب کے تحت جانچ

图源 |网络

"محتاط وولٹیج اور درجہ حرارت کے تناؤ کے ٹیسٹ سے پتہ چلتا ہے کہ GaN پاور ڈیوائسز میں آٹوموٹو اور صنعتی منڈیوں کے لیے مطلوبہ اعلی وشوسنییتا ہے،" ٹرانسفورم کے معیار اور وشوسنییتا کے نائب صدر رون بار نے کہا۔

وائڈ بینڈ گیپ (WBG) GaN پاور MOSFET کے فوائد اسے آٹوموبائل پاور سب سسٹم اور ڈیٹا سینٹر پاور سپلائی جیسے مطالبات کے مواقع میں تیزی سے اہم کردار ادا کرتے ہیں۔ ان ایپلی کیشنز میں کام کرنے کے مشکل حالات ہیں، اور آٹوموبائل وارنٹی کے اخراجات یا ڈیٹا سینٹر کی وشوسنییتا سے متعلق زیادہ اخراجات کی وجہ سے ناکامیوں کو برداشت نہیں کیا جا سکتا۔ پاور ڈیوائسز کا انتخاب کرتے وقت، ڈیزائن انجینئرز کو اس بات کا یقین ہونا چاہیے کہ وہ قابل اعتماد، مضبوط اور پائیدار ہیں۔

Depletion GaN HEMT (ہائی الیکٹران موبلٹی ٹرانزسٹر) TP65H035WSQA کو مثال کے طور پر ٹرانسفورم کے ذریعہ ڈیزائن کیا گیا ڈوئل چپ، GaN HEMT اور عام طور پر بند کم وولٹیج سلکان FET کو ایک کاس کوڈ ڈیوائس ڈھانچہ بنانے کے لیے سیریز میں منسلک کیا گیا ہے۔

Cascode علامت اور cascode ڈیوائس کا مجموعہ ڈھانچہ

ڈیوائس TO-247 میں پیک کیا گیا ہے اور 101℃ پر AEC-Q175 معیار پر پورا اترتا ہے۔ مصنوعات کی وشوسنییتا کا جائزہ لیتے وقت، ڈیزائن انجینئرز کو قابل اعتماد معلومات/ڈیٹا کے چار "ڈومینز" کی ضرورت ہوتی ہے تاکہ یہ تعین کیا جا سکے کہ آیا ڈیوائس ایپلیکیشن کے لیے موزوں ہے، بشمول: پروڈکٹ سرٹیفیکیشن؛ انتہائی تیز زندگی کی جانچ؛ ابتدائی زندگی میں ناکامی کا امتحان؛ فیلڈ کی وشوسنییتا.

产品认证

مصنوعات کی تصدیق بنیادی طور پر صنعت میں دو عام معیارات کی پیروی کرتی ہے۔ JEDEC JESD 47 تجارتی آلات کے لیے موزوں ہے، اور سخت AEC-Q101 معیار گاڑیوں کے گیج آلات کے لیے موزوں ہے۔ ہر اسٹینڈرڈ میں ٹیسٹوں کا ایک سلسلہ ہوتا ہے جو کہ مصنوعات کو پاس کرنا ضروری ہے، جیسے کہ درجہ حرارت سائیکلنگ، ہائی ٹمپریچر ریورس بائیس، ہائی ٹمپریچر گرڈ بائیس، وغیرہ، تاکہ ایسی مصنوعات کو JEDEC یا Q101 کوالیفائیڈ سمجھا جا سکے۔

高加速寿命试验

ہائی ایکسلریٹڈ لائف ٹیسٹ (HALT) ایک اچھی طرح سے طے شدہ طریقہ ہے، یعنی، ڈیوائس پر دباؤ اس شرط کے تحت لاگو کیا جاتا ہے کہ یہ کبھی کبھی اس کی ڈیٹا شیٹ کی حد سے تجاوز کر جاتا ہے جب تک کہ ڈیوائس ناکام نہ ہو جائے۔ ایک ہی وقت میں، ناکامی کے وقت (TTF) کے بارے میں ڈیٹا جمع کیا جاتا ہے، تاکہ پائیدار زندگی (جسے موروثی زندگی بھی کہا جاتا ہے) کی پیشن گوئی کرنے کے لیے ایک مناسب ماڈل کا اطلاق کیا جا سکے۔

ریورس تعصب کے تحت، آف اسٹیٹ میں 650V اور 1050V کے درمیان وولٹیج والے 1150V ریٹیڈ وولٹیج ڈیوائسز کا ایک بیچ اس وقت تک ٹیسٹ کیا گیا جب تک کہ زیادہ تر ڈیوائسز ناکام نہ ہو جائیں۔ پھر حالات کے ہر سیٹ کے تحت ناکامی کے اوسط وقت کا حساب لگائیں۔

图源 | کنارہ

اسی طرح، ڈیوائس کو تین مختلف درجہ حرارت پر ناکامی کے لیے ٹیسٹ کیا جانا چاہیے۔ تین مختلف وولٹیجز اور تین مختلف درجہ حرارت تیز ٹیسٹ کے حالات میں حاصل کیے جاتے ہیں۔ اب، ہر ٹیسٹ کے ناکامی کے وقت کو استعمال کی شرائط کے ایک سیٹ کے تحت معمول بنایا جاتا ہے، جو عام طور پر ایپلیکیشن ٹاسک کے خلاصے سے اخذ کیے جاتے ہیں۔ مثال میں، 650% ڈیوٹی سائیکل کے ساتھ 175V 100℃ ڈیوائس کے لائف ٹائم کا حساب لگانے کے لیے انتہائی حالات کا ایک سیٹ منتخب کیا جاتا ہے۔

تمام ٹیسٹ ڈیٹا کو ایک ماڈل میں ملایا جا سکتا ہے، جسے "استعمال گراف" کہا جاتا ہے۔ یہ گراف استعمال کی شرائط کے تحت ناکامی کے وقت کے مطابق تیار کردہ ناکامی کے امکان کو ظاہر کرتا ہے۔

جب ناکامی کا امکان 100PPM ہو تو آلہ کی زندگی کی وضاحت کرنا عام عمل ہے۔ اس مثال میں، یہ 106 سال تک 100 گھنٹے مسلسل آپریشن ہے۔

早期失效试验

ابتدائی ناکامی ٹیسٹ کا استعمال ایپلی کیشن میں وارنٹی رسک کا حساب لگانے اور ڈیوائس کے خراب ہونے سے پہلے ناکامی کے امکان کو جانچنے کے لیے کیا جاتا ہے۔ ابتدائی زندگی کی ناکامی (ابتدائی ناکامی کی شرح) عام طور پر مینوفیکچرنگ کے عمل میں نہ پائے جانے والے نقائص کی وجہ سے ہوتی ہے، جسے عام طور پر "اندرونی نقائص" کہا جاتا ہے۔ GaN ڈیوائسز کے معاملے میں، یہ موروثی نقائص برقی میدان کی تحریف اور خرابی کی پوزیشنوں میں تیزی سے ناکامی کا باعث بنیں گے۔

بامعنی جانچ کرنے کے لیے، ہمیں پہلے بیان کیے گئے HALT ٹیسٹ سے کہیں زیادہ بڑے آلے کے نمونے کی جانچ کرنے کی کوشش کرنی چاہیے، تاکہ اندرونی نقائص تلاش کرنے کے امکان کو بڑھایا جا سکے۔ استعمال کرنے کا طریقہ JEDEC معیاری JESD 74A میں مکمل طور پر بیان کیا گیا ہے، جو JEDEC کی ویب سائٹ پر حاصل کیا جا سکتا ہے۔

ابتدائی زندگی کی ناکامی کا حساب عام طور پر FIT (بلین آور فیلور ریٹ) یا PPM/سال کے حساب سے لگایا جاتا ہے۔ اعداد و شمار سے پتہ چلتا ہے کہ FIT کی شرح بہت کم ہے، جو بہت اچھی فیلڈ کی قابل اعتمادی کی نشاندہی کر سکتی ہے۔

现场可靠性

ٹرانسفورم کا سائٹ پر قابل اعتماد حساب کتاب صنعت کی مشق کی پیروی کرتا ہے، اور ڈیلیور کیے گئے آلات کی تعداد، اسے فیلڈ میں کتنے عرصے تک استعمال کیا جائے گا، اور صارفین کی طرف سے بتائے گئے مطابق کتنے آلات ناکام ہوئے ہیں۔ یقینا، تمام مصنوعات کو فوری طور پر فراہم یا استعمال نہیں کیا جا سکتا. قدامت پسند ہونے کے لیے، ڈیوائس کے اوقات کار کی کل تعداد آدھی رہ جائے گی۔ فیلڈ میں ٹرانسفورم کے آلات کا کام کرنے کا وقت 7 بلین گھنٹے سے زیادہ ہے۔ اب تک، اسے دو بار واپس کیا جا چکا ہے، اور اس کی فیلڈ کی وشوسنییتا 1FIT سے کم ہے۔

"ٹیسٹ سے پتہ چلتا ہے کہ مندرجہ بالا GaN پاور ڈیوائسز آٹوموبائل اور صنعتی OEMs کی قابل اعتمادی کی چیلنجنگ ضروریات سے زیادہ ہیں۔ ان GaN آلات کی وشوسنییتا کم از کم موجودہ سلکان اور دیگر وسیع بینڈ گیپ ٹیکنالوجیز کے برابر ہے، اور یہ اکثر بہتر ہوتا ہے،" بار نے اعتماد کے ساتھ نتیجہ اخذ کیا۔

GaN栅极驱动的新要求

图源 | پنٹیرسٹ

"کم بجلی کی کھپت GaN اگلا انقلابی قدم ہے، جو پاور الیکٹرانکس ایپلی کیشنز کے لیے ایک نئے دور کا آغاز کرے گا۔ تاہم، نئی پاور ٹرانزسٹر ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے وقت کچھ مسائل پر توجہ دینے کی ضرورت ہے،" ایرک پرسن، انفینیون کے سینئر چیف انجینئر۔ ٹیکنالوجی، نشاندہی کی.

پاور سوئچ اڈاپٹر کی کارکردگی، کثافت اور قیمت کو بہتر بنانے میں اہم کردار ادا کرتا ہے۔ روایتی طور پر، سوئچ کے طور پر استعمال ہونے والے پاور ٹرانزسٹرز سلکان پر مبنی ہوتے ہیں، اور رجحان واضح طور پر ظاہر کرتا ہے کہ وسیع بینڈ گیپ ٹرانزسٹر، خاص طور پر GaN، اعلی کارکردگی اور چھوٹے سائز کے اڈاپٹر کا معیار بن رہے ہیں۔

پاور ٹرانزسٹر ٹیکنالوجی کی ترقی کو دیکھتے ہوئے، آج تک، سلکان ایس جے (سپر جنکشن) ٹرانجسٹر چارجر/اڈاپٹر میں استعمال ہونے والی اہم ٹرانزسٹر ٹیکنالوجی رہی ہے۔ یہ ایک چھوٹے پیکج میں کم مزاحمت، بہترین موجودہ ہینڈلنگ کی صلاحیت، سادہ گیٹ ڈرائیونگ، اور وقت سے ثابت ہونے والی قابل اعتمادی فراہم کر سکتا ہے، یہ سب کم لاگت ہیں۔

تاہم، اڈاپٹر کے لیے درکار وسیع وولٹیج رینج اور اوور وولٹیج عارضی طور پر لیکیج انڈکٹینس اور بجلی کے اضافے سے عارضی طور پر، یہاں تک کہ 650V ٹرانزسٹر بھی اکثر کافی نہیں ہوتے ہیں، جن کے لیے 700-800V آلات کی ضرورت ہوتی ہے۔ اور یہ ایک پہلو ہے جس میں سیلیکون پر GaN کے واضح فوائد ہیں۔ کیونکہ، جب لاگو وولٹیج ریٹیڈ وولٹیج سے زیادہ ہو جائے گا، تو سلیکون ٹرانزسٹر برفانی تودے کی خرابی کی حالت میں داخل ہو جائے گا۔ کچھ ڈیزائن اوور وولٹیج عارضی کو دبانے کے لیے Zener اثر کو بفر کے طور پر استعمال کرتے ہیں۔ تاہم، یہاں تک کہ اگر توانائی ٹرانزسٹر کے محفوظ کام کرنے والے علاقے (SOA) میں ہے، تو یہ طریقہ بجلی کے نقصان میں اضافہ کرے گا، اور اضافی ناپسندیدہ EMI (برقی مقناطیسی مداخلت) کا باعث بن سکتا ہے۔ اس کے علاوہ، اضافے سے پیدا ہونے والی توانائی کی ایک بڑی مقدار برفانی تودے کی توانائی سے زیادہ ہو سکتی ہے اور ٹرانجسٹر کو نقصان پہنچا سکتی ہے۔

اس کے برعکس، GaN ٹرانزسٹر کا ریٹیڈ وولٹیج اس کے اصل تباہ کن بریک ڈاؤن وولٹیج سے بہت کم ہے۔ ٹرانزسٹر کا ریٹیڈ وولٹیج آلہ کی زندگی کے لیے درکار قابل اعتماد سطح کو پورا کرنے کے لیے مخصوص ایپلیکیشن کی شرائط پر مبنی ہے۔ مثال کے طور پر کولگن 600v کے ای قسم کے HEMT میں عام طور پر تباہ کن بریک ڈاؤن وولٹیج 1000V سے زیادہ ہوتا ہے، اور مختلف حالات میں اس کی پلس وولٹیج کی درجہ بندی 750V ہے۔ کامل ACF مماثل ٹوپولوجی میں، رساونٹ انرجی کا انتظام ریزوننٹ سرکٹ کے ذریعے کیا جاتا ہے، اور GaN کی ہائی پلس وولٹیج کی درجہ بندی بجلی کے اضافے وولٹیج کو ایڈجسٹ کر سکتی ہے۔

GaN ٹرانزسٹر کے اطلاق کی کلید یہ ہے کہ اس کے گیٹ ڈرائیو کی ضروریات سلکان ٹرانزسٹر سے مختلف ہیں۔ ایک اہم فرق یہ ہے کہ GaN کا تھریشولڈ اور آل آن گیٹ سورس وولٹیج (VGS) سلکان ٹرانجسٹرز کے مقابلے میں نمایاں طور پر کم ہے۔ اگرچہ یہ گیٹ چارج کو کم کرتا ہے، یہ ٹرانجسٹر کو بند رکھنے میں چیلنج بھی پیش کر سکتا ہے۔ ACF سرکٹ میں، دو ٹرانزسٹروں کو آدھے پلوں کے طور پر ترتیب دیا گیا ہے، مین سوئچ نیچے ہے، اور فعال کلیمپ کو ہائی سائیڈ سوئچ کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے۔ اور کنٹرولر اور لو سائیڈ ٹرانزسٹر ڈرائیور ایک تعصب پاور سپلائی سے چلتا ہے۔ لیکن ہائی سائیڈ گیٹ ڈرائیور کو تیرتی بجلی کی فراہمی کی ضرورت ہے۔ بڑے ٹیلی کام یا ڈیٹا سینٹر پاور سپلائی میں، ایک ہی DC-DC کنورٹر کو ہائی وولٹیج کی طرف فلوٹنگ بائیس پاور فراہم کرنے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ لیکن اڈاپٹر/چارجر میں، اس طریقہ کا سائز اور قیمت ممنوع ہے۔

ایکٹو کلیمپ فلائی بیک ٹوپولوجی آسان سرکٹ

ہائی وولٹیج سائیڈ کو پاور سپلائی کرنے کا ایک عام طریقہ نام نہاد بوٹسٹریپ پاور سپلائی ہے، یعنی جب کم وولٹیج سائیڈ کو آن کیا جاتا ہے، تو ہائی وولٹیج سائیڈ کی طرف سے متعصب انرجی سٹوریج کیپسیٹر کو اوپر کی طرف چارج کیا جاتا ہے۔ کم وولٹیج سائیڈ بائیس پاور سپلائی ڈائیوڈ کے ذریعے۔ جب ہائی وولٹیج سائیڈ کھولی جاتی ہے، تو یہ انرجی سٹوریج کیپیسیٹر سے تعصب نکالے گا، اور اسے باقاعدگی سے دوبارہ بھرنا چاہیے (ہر بار جب کم وولٹیج سائیڈ کھولی جاتی ہے)۔ جب سرکٹ مسلسل کام کرتا ہے، تو یہ ہائی وولٹیج کی طرف بجلی کی فراہمی کا ایک بہت ہی موثر اور کم لاگت والا طریقہ ہے۔ لیکن چیلنج یہ ہے کہ منقطع موڈ میں کیسے کام کیا جائے۔

تو، جب بوٹسٹریپ کیپسیٹر چارج نہیں ہوتا ہے تو ہائی سائیڈ کے جھوٹے ٹرن آن سے کیسے بچیں؟ جنرل گیٹ ڈرائیور IC میں بعض اوقات کلیمپنگ سرکٹ ڈیزائن شامل ہوتا ہے، لیکن سلیکون ٹرانزسٹرز کا روایتی طریقہ زیادہ حد تک وولٹیج (جیسے 3-4V) پر انحصار کرتا ہے۔ لہذا، اگر سرکٹس 1-2V کی حد میں کلیمپنگ شروع کر دیتے ہیں، بدقسمتی سے، انہیں کلیمپنگ شروع کرنے کے لیے سینکڑوں این ایس کی ضرورت ہوتی ہے۔ GaN ٹرانجسٹر پہلے ہی ان گیٹ وولٹیجز پر بڑی مقدار میں کرنٹ چلا سکتے ہیں۔

GaN ٹرانجسٹر کے ساتھ مل کر تیز کلیمپ ڈرائیور کی کارکردگی کو بہتر بنانے کے لیے، ان کے درمیان مداخلت کی رکاوٹ کو کم کرنا ضروری ہے۔ ینگلنگ ہائی سائڈ اور لو سائیڈ GaN ٹرانجسٹرز (190m؟) کو یکجا کرنے کا طریقہ اپناتی ہے، اور انہیں iQFN 8×8mm پیکیج میں ایک نئے ہاف برج ڈرائیور کے ساتھ ضم کرتی ہے، اس طرح ایک ہاف برج انٹیگریٹڈ پاور سٹیج (IPS) بناتا ہے۔

مسابقتی مصنوعات کے مقابلے میں، اس انضمام اور تقسیم کے طریقہ کار کے درج ذیل فوائد ہیں:

آخر میں لکھیں

发挥优势的时刻已经到来

گیلیم نائٹرائڈ اور سلکان کاربائیڈ کی طرف سے نمائندگی کرنے والے تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹرز اعلی درجہ حرارت کے خلاف مزاحمت، ہائی وولٹیج مزاحمت، اعلی تعدد، اعلی طاقت اور تابکاری کے خلاف مزاحمت جیسی بہترین خصوصیات کے حامل ہیں، اور ٹیکنالوجی اور لاگت کی حدود آہستہ آہستہ پگھل رہی ہیں۔ اگلا، یہ اس بات پر منحصر ہے کہ کس طرح ایپلی کیشن سائیڈ ڈیوائس ٹیسٹنگ، ڈرائیور ڈیولپمنٹ اور پیریفرل کمپوننٹ میچنگ کے ذریعے اپنے فوائد کو پورا کر سکتی ہے۔

دستبرداری: یہ مضمون "اور نان ویب ای فوکس" سے دوبارہ تیار کیا گیا ہے۔ یہ مضمون صرف مصنف کے ذاتی خیالات کی نمائندگی کرتا ہے، اور Sacco Micro اور صنعت کے خیالات کی نمائندگی نہیں کرتا ہے۔ یہ صرف دوبارہ پرنٹ کرنے اور اشتراک کرنے کے لیے ہے تاکہ املاک دانش کے حقوق کے تحفظ کی حمایت کی جا سکے۔ دوبارہ پرنٹ کرتے وقت براہ کرم اصل ماخذ اور مصنف کی نشاندہی کریں۔ اگر کوئی خلاف ورزی ہوتی ہے تو اسے حذف کرنے کے لیے ہم سے رابطہ کریں۔