हाल ही में, मैंने लियाओनिंग यूनिवर्सिटी ऑफ टेक्नोलॉजी के प्रोफेसर चेन योंगजेन का लेख पढ़ा, "क्या GaN FET के लिए इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर सिर्फ एक दिखावा है?" बहुत सारी भावनाएँ हैं, इसलिए गैलियम नाइट्राइड (GaN)FET (फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर) के लिए इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर अस्तित्व में आया। इसकी कम मात्रा के अलावा, इसके परजीवी अधिष्ठापन को बहुत कम नहीं किया जा सकता है जब विनिर्माण प्रक्रिया में पर्याप्त बदलाव नहीं हुआ है, और इसमें प्रचुर मात्रा में उच्च हार्मोनिक्स के साथ उच्च स्विचिंग आवृत्ति पर अधिष्ठापन विशेषताएं हैं। इसलिए, ऐसा इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर अनावश्यक है।

+दरअसल, नवीन प्रौद्योगिकियों की नई पीढ़ी के पुनरावर्तन के समय, हमेशा मिट्टी और रेत रहेगी। हालाँकि, नई तकनीक की परिधीय सहायक प्रौद्योगिकी के विकास के साथ, इसकी भूमिका अधिक से अधिक महत्वपूर्ण होगी, जैसे गैलियम नाइट्राइड बिजली उपकरण। आइए एक नज़र डालें कि उद्योग के बड़े कॉफी निर्माताओं ने हाल ही में गैलियम नाइट्राइड के बारे में क्या कहा है, और वे हमें क्या सबक दे सकते हैं?

GaN 5G ऊर्जा उत्प्रेरक बन गया है।

नेविटास सेमीकंडक्टर में कॉर्पोरेट मार्केटिंग और निवेशक संबंधों के उपाध्यक्ष स्टीफन ओलिवर ने कहा, "गैलियम नाइट्राइड का उद्भव 5जी की मांग को पूरा करेगा, एक नई टोपोलॉजी का एहसास करेगा और फास्ट चार्जिंग को पूरी तरह से बदल देगा।"

GSMArena द्वारा जारी आंकड़ों के मुताबिक, 2010 के बाद से Apple iPhone 12, Xiaomi Mi11 और Samsung S21 जैसे नए मोबाइल फोन प्लेटफॉर्म की औसत स्क्रीन आकार और बैटरी क्षमता तीन गुना से अधिक बढ़ गई है। चार्जिंग समय को बढ़ाने के लिए धीमे सिलिकॉन-आधारित 5W या 20W वाणिज्यिक चार्जर का उपयोग करना अस्वीकार्य है, इसलिए अधिक बिजली की आवश्यकता होती है।

जैसा कि पारंपरिक कम-आवृत्ति टोपोलॉजी से पता चलता है, सिलिकॉन चार्जर से अधिक ऊर्जा प्राप्त करने का मतलब है बड़ा आकार, भारी वजन और उच्च लागत, और बिजली घनत्व और थर्मल घनत्व का डिज़ाइन बाधाएं हैं।

10 साल के अंदर स्मार्टफोन की स्क्रीन साइज और बैटरी क्षमता 3 गुना से ज्यादा बढ़ गई है।

ओलिवर ने कहा कि स्मार्टफोन स्क्रीन, बैटरी और 5जी कार्यों की वृद्धि के साथ-साथ डेटा प्रोसेसिंग और ट्रांसमिशन दर और क्षमता में वृद्धि ने लोगों को चार्जिंग गति और ट्रैवल एडाप्टर के आकार, वजन और लागत पर ध्यान देने के लिए प्रेरित किया है। साथ ही, एकल, लचीले चार्जिंग प्लेटफॉर्म (हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर), अर्थात् यूएसबी-सी कनेक्टर (यूएसबी-सी) या पावर ट्रांसमिशन (यूएसबी-पीडी) के साथ प्रोग्रामेबल पावर सप्लाई (पीपीएस) की शुरूआत का मतलब है कि उपभोक्ताओं को नहीं। अब OEM द्वारा प्रदान किए गए बिजली उत्पादों पर निर्भर रहें।

उनका मानना ​​है कि बिजली घनत्व में सुधार की कुंजी स्विचिंग आवृत्ति को बढ़ाना और ट्रांसफार्मर, ईएमआई फिल्टर, बड़ी क्षमता और आउटपुट कैपेसिटर जैसे निष्क्रिय घटकों को कम करना है। 1996 की शुरुआत में, अकादमिक समुदाय द्वारा एक्टिव क्लैम्प्ड फ्लाईबैक (एसीएफ) जैसी हाई-स्पीड टोपोलॉजी का प्रस्ताव दिया गया था, लेकिन यह सिलिकॉन के खराब ऑन-रेजिस्टेंस और स्विचिंग प्रदर्शन और जटिलता और इष्टतम नियंत्रण आईसी की कमी से निराश था।

2018 की शुरुआत में, GaN पावर IC की शुरूआत ने इस स्थिति को समाप्त कर दिया, जिसने न केवल ACF को व्यावसायिक रूप से व्यवहार्य बनाया, बल्कि स्मार्टफोन चार्जर की उच्च-आवृत्ति अर्ध-प्रतिध्वनि फ्लाईबैक चार्जिंग, साथ ही CrCM (क्रिटिकल कंडक्शन मोड) भी बनाया। ) गेमिंग नोटबुक कंप्यूटर, इंटीग्रेटेड पीसी, टेलीविजन और 5जी ट्रांसमिटिंग यूनिट पावर सप्लाई जैसे उच्च पावर सिस्टम के लिए पीएफसी (पावर फैक्टर करेक्शन) टोपोलॉजी, हाई-स्पीड एलएलसी (रेजोनेंट कंट्रोलर) और उन्नत सीआरसीएम टोटेम पोल पीएफसी को बढ़ावा देना व्यावसायिक रूप से संभव है।

GaN पावर आईसी, GaN पावर FET और GaN ड्राइवर के साथ-साथ नियंत्रण और सुरक्षा को एक चिप पैकेज में एकीकृत करता है। ये GaNFast® पावर सप्लाई आईसी उपयोग में आसान, उच्च गति और उच्च प्रदर्शन वाले डिजिटल इनपुट और आउटपुट पावर सप्लाई घटक हैं। चूँकि गेट ड्राइव सर्किट में मूल रूप से कोई प्रतिबाधा नहीं होती है, इसलिए एकीकरण के बाद इसे बंद करने पर लगभग कोई हानि नहीं होती है। इसके अलावा, ओपनिंग परफॉर्मेंस को विशिष्ट एप्लिकेशन आवश्यकताओं के अनुसार नियंत्रित और अनुकूलित किया जा सकता है।

क्या असर हुआ? GaN पावर IC पारंपरिक सिलिकॉन डिज़ाइन की तुलना में 20 गुना तेज और 3 गुना अधिक चलता है, और इसका उपयोग Dell, Lenovo और Xiaomi जैसे OEM द्वारा स्मार्ट फोन और लैपटॉप को जल्दी से चार्ज करने के लिए किया गया है। जैसा कि OPPO 50W Mini SuperVOOC कुकी क्विक चार्जर से देखा जा सकता है, हाई-स्पीड GaN टोपोलॉजी निष्क्रिय घटकों को समाप्त कर देती है और चार्जर के आकार को कम कर देती है। TI UCC28782 नियंत्रक और आधे-पुल कॉन्फ़िगरेशन GaNFast पावर ics की एक जोड़ी के साथ, 10 गुना तेज गति के साथ उच्च दक्षता सक्रिय क्लैंप फ्लाईबैक का एहसास होता है।

कठोर बाज़ार मांग के तहत परीक्षण

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ट्रांसफॉर्म के गुणवत्ता और विश्वसनीयता के उपाध्यक्ष रॉन बर्र ने कहा, "सावधानीपूर्वक वोल्टेज और तापमान तनाव परीक्षणों से पता चलता है कि GaN पावर उपकरणों में ऑटोमोटिव और औद्योगिक बाजारों के लिए आवश्यक उच्च विश्वसनीयता है।"

वाइड बैंड गैप (WBG) GaN पावर MOSFET के फायदे इसे ऑटोमोबाइल पावर सबसिस्टम और डेटा सेंटर पावर सप्लाई जैसे चुनौतीपूर्ण अवसरों में एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाने में सक्षम बनाते हैं। इन अनुप्रयोगों में कार्य परिस्थितियाँ चुनौतीपूर्ण होती हैं, और ऑटोमोबाइल वारंटी लागत या डेटा सेंटर विश्वसनीयता से संबंधित उच्च लागतों के कारण विफलताओं को बर्दाश्त नहीं किया जा सकता। पावर उपकरणों का चयन करते समय, डिज़ाइन इंजीनियरों को यह सुनिश्चित करना चाहिए कि वे विश्वसनीय, मज़बूत और टिकाऊ हों।

एक उदाहरण के रूप में ट्रांसफॉर्म नॉर्मली-ऑफ डुअल-चिप द्वारा डिजाइन किए गए डिप्लेशन GaN HEMT (हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर) TP65H035WSQA को लेते हुए, GaN HEMT और एक नॉर्मली-ऑफ लो-वोल्टेज सिलिकॉन FET एक कैस्कोड डिवाइस संरचना बनाने के लिए श्रृंखला में जुड़े हुए हैं।

कैस्कोड प्रतीक और कैस्कोड डिवाइस संयोजन संरचना

डिवाइस को TO-247 में पैक किया गया है और यह 101℃ पर AEC-Q175 मानक को पूरा करता है। उत्पाद की विश्वसनीयता का मूल्यांकन करते समय, डिज़ाइन इंजीनियरों को यह निर्धारित करने के लिए विश्वसनीयता जानकारी/डेटा के चार "डोमेन" की आवश्यकता होती है कि क्या उपकरण अनुप्रयोग के लिए उपयुक्त है, जिसमें शामिल हैं: उत्पाद प्रमाणन; अत्यधिक त्वरित जीवन परीक्षण; प्रारंभिक जीवन विफलता परीक्षण; क्षेत्र की विश्वसनीयता.

产品认证

उत्पाद प्रमाणन मुख्यतः उद्योग में दो सामान्य मानकों का पालन करता है। JEDEC JESD 47 वाणिज्यिक उपकरणों के लिए उपयुक्त है, और अधिक कठोर AEC-Q101 मानक वाहन गेज उपकरणों के लिए उपयुक्त है। प्रत्येक मानक में परीक्षणों की एक श्रृंखला होती है जिसे उत्पादों को पास करना होता है, जैसे तापमान चक्रण, उच्च-तापमान रिवर्स बायस, उच्च-तापमान ग्रिड बायस, आदि, ताकि ऐसे उत्पादों को JEDEC या Q101 योग्य माना जा सके।

高加速寿命试验

अत्यधिक त्वरित जीवन परीक्षण (एचएएलटी) एक अच्छी तरह से परिभाषित विधि है, अर्थात, डिवाइस पर इस शर्त के तहत तनाव लागू किया जाता है कि यह कभी-कभी डिवाइस के विफल होने तक इसकी डेटा शीट की सीमा से अधिक हो जाता है। साथ ही, विफलता के समय (टीटीएफ) के बारे में डेटा एकत्र किया जाता है, ताकि टिकाऊ जीवन (जिसे अंतर्निहित जीवन भी कहा जाता है) की भविष्यवाणी करने के लिए एक उपयुक्त मॉडल लागू किया जा सके।

रिवर्स बायस के तहत, ऑफ स्टेट में 650V और 1050V के बीच वोल्टेज वाले 1150V रेटेड वोल्टेज उपकरणों के एक बैच का परीक्षण तब तक किया गया जब तक कि अधिकांश डिवाइस विफल नहीं हो गए। फिर परिस्थितियों के प्रत्येक सेट के तहत विफलता के औसत समय की गणना करें।

图源 | कगार

इसी प्रकार, विफलता के लिए डिवाइस का तीन अलग-अलग तापमानों पर परीक्षण किया जाना चाहिए। त्वरित परीक्षण स्थितियों के तहत तीन अलग-अलग वोल्टेज और तीन अलग-अलग तापमान प्राप्त किए जाते हैं। अब, प्रत्येक परीक्षण के विफलता समय को उपयोग की शर्तों के एक सेट के तहत सामान्यीकृत किया जाता है, जो आमतौर पर एप्लिकेशन कार्य सारांश से प्राप्त होते हैं। उदाहरण में, 650% कर्तव्य चक्र के साथ 175V 100℃ डिवाइस के जीवनकाल की गणना करने के लिए चरम स्थितियों का एक सेट चुना जाता है।

सभी परीक्षण डेटा को एक मॉडल में जोड़ा जा सकता है, जिसे "उपयोग ग्राफ़" कहा जाता है। यह ग्राफ़ उपयोग की शर्तों के तहत विफलता समय के अनुसार प्लॉट की गई विफलता संभावना को दर्शाता है।

सामान्य अभ्यास डिवाइस के जीवन को तब परिभाषित करना है जब विफलता की संभावना 100PPM हो। इस उदाहरण में, यह 106 वर्षों तक 100 घंटे का निरंतर संचालन है।

मेरे लिए यह बहुत अच्छा है

प्रारंभिक विफलता परीक्षण का उपयोग एप्लिकेशन में वारंटी जोखिम की गणना करने और डिवाइस के क्षतिग्रस्त होने से पहले विफलता की संभावना का परीक्षण करने के लिए किया जाता है। प्रारंभिक जीवन विफलता (प्रारंभिक विफलता दर) आमतौर पर विनिर्माण प्रक्रिया में न पाए गए या जांचे न गए दोषों के कारण होती है, जिसे आमतौर पर "आंतरिक दोष" कहा जाता है। GaN उपकरणों के मामले में, ये अंतर्निहित दोष विद्युत क्षेत्र विरूपण और दोष स्थितियों की त्वरित विफलता को जन्म देंगे।

सार्थक परीक्षण के लिए, हमें पहले बताए गए HALT परीक्षण से कहीं बड़े आकार के उपकरण नमूने का परीक्षण करने का प्रयास करना चाहिए, ताकि आंतरिक दोषों का पता लगाने की संभावना बढ़ सके। उपयोग की विधि JEDEC मानक JESD 74A में पूरी तरह से वर्णित है, जिसे JEDEC वेबसाइट से प्राप्त किया जा सकता है।

प्रारंभिक जीवन की विफलता की गणना आमतौर पर एफआईटी (अरब घंटे की विफलता दर) या पीपीएम/वर्ष द्वारा की जाती है। डेटा से पता चलता है कि एफआईटी दर बहुत कम है, जो बहुत अच्छी फ़ील्ड विश्वसनीयता का संकेत दे सकती है।

现场可靠性

ट्रांसफॉर्म की ऑन-साइट विश्वसनीयता गणना उद्योग अभ्यास का पालन करती है, और वितरित उपकरणों की संख्या, क्षेत्र में इसका उपयोग कितने समय तक किया जाएगा, और ग्राहकों द्वारा रिपोर्ट की गई कितनी डिवाइसें विफल हो गई हैं, को ध्यान में रखती है। बेशक, सभी उत्पादों को तुरंत वितरित या उपयोग नहीं किया जा सकता है। रूढ़िवादी होने के लिए, डिवाइस घंटों की कुल संख्या आधी कर दी जाएगी। क्षेत्र में ट्रांसफॉर्म के उपकरणों का कार्य समय 7 अरब घंटे से कहीं अधिक है। अब तक, इसे दो बार लौटाया जा चुका है, और इसकी फ़ील्ड विश्वसनीयता 1FIT से कम है।

“परीक्षणों से पता चलता है कि उपरोक्त GaN पावर उपकरण ऑटोमोबाइल और औद्योगिक OEM की चुनौतीपूर्ण विश्वसनीयता आवश्यकताओं से अधिक हैं। इन GaN उपकरणों की विश्वसनीयता कम से कम मौजूदा सिलिकॉन और अन्य व्यापक बैंडगैप प्रौद्योगिकियों के बराबर है, और यह अक्सर बेहतर होती है, "बर्र ने आत्मविश्वास से निष्कर्ष निकाला।

GaN का उपयोग करने के लिए यह आवश्यक है

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"कम बिजली की खपत वाला GaN अगला क्रांतिकारी कदम है, जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए एक नया युग खोलेगा। हालांकि, नई पावर ट्रांजिस्टर तकनीक का उपयोग करते समय कुछ समस्याओं पर ध्यान देने की आवश्यकता है," इन्फ़िनॉन के वरिष्ठ मुख्य अभियंता एरिक पर्सन ने कहा। प्रौद्योगिकी, बताया गया।

पावर स्विच एडॉप्टर के प्रदर्शन, घनत्व और लागत को बेहतर बनाने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है। परंपरागत रूप से, स्विच के रूप में उपयोग किए जाने वाले पावर ट्रांजिस्टर सिलिकॉन-आधारित होते हैं, और प्रवृत्ति स्पष्ट रूप से दिखाती है कि विस्तृत बैंडगैप ट्रांजिस्टर, विशेष रूप से GaN, उच्च प्रदर्शन और छोटे आकार के एडाप्टर के मानक बन रहे हैं।

पावर ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकी के विकास को देखते हुए, आज तक, सिलिकॉन एसजे (सुपर जंक्शन) ट्रांजिस्टर चार्जर/एडाप्टर में उपयोग की जाने वाली मुख्य ट्रांजिस्टर तकनीक रही है। यह एक छोटे पैकेज में कम प्रतिरोध, उत्कृष्ट वर्तमान हैंडलिंग क्षमता, सरल गेट ड्राइविंग और समय-सिद्ध विश्वसनीयता प्रदान कर सकता है, जो सभी कम लागत वाले हैं।

हालाँकि, एडॉप्टर के लिए आवश्यक व्यापक वोल्टेज रेंज और लीकेज इंडक्शन और लाइटनिंग सर्ज क्षणिक के कारण होने वाले ओवरवॉल्टेज क्षणिक को देखते हुए, यहां तक ​​कि 650V ट्रांजिस्टर भी अक्सर पर्याप्त नहीं होते हैं, जिसके लिए 700-800V उपकरणों की आवश्यकता होती है। और यह एक पहलू है जिसमें GaN के सिलिकॉन पर स्पष्ट लाभ हैं। क्योंकि, जब लागू वोल्टेज रेटेड वोल्टेज से अधिक हो जाता है, तो सिलिकॉन ट्रांजिस्टर हिमस्खलन टूटने की स्थिति में प्रवेश करेगा। कुछ डिज़ाइन ओवरवॉल्टेज क्षणिक को दबाने के लिए बफर के रूप में जेनर प्रभाव का उपयोग करते हैं। हालाँकि, भले ही ऊर्जा ट्रांजिस्टर के सुरक्षित कार्य क्षेत्र (एसओए) में हो, इस विधि से बिजली की हानि बढ़ जाएगी, और अतिरिक्त अवांछित ईएमआई (विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप) हो सकती है। इसके अलावा, उछाल से उत्पन्न ऊर्जा की एक बड़ी मात्रा हिमस्खलन ऊर्जा से अधिक हो सकती है और ट्रांजिस्टर को नुकसान पहुंचा सकती है।

इसके विपरीत, GaN ट्रांजिस्टर का रेटेड वोल्टेज इसके वास्तविक विनाशकारी ब्रेकडाउन वोल्टेज से बहुत कम है। ट्रांजिस्टर का रेटेड वोल्टेज डिवाइस जीवन के लिए आवश्यक विश्वसनीयता स्तर को पूरा करने के लिए निर्दिष्ट एप्लिकेशन शर्तों पर आधारित है। उदाहरण के लिए, कूलगन 600v के ई-प्रकार HEMT में आमतौर पर 1000V से अधिक का विनाशकारी ब्रेकडाउन वोल्टेज होता है, और विभिन्न परिस्थितियों में इसकी पल्स वोल्टेज रेटिंग 750V होती है। सही ACF मिलान टोपोलॉजी में, रिसाव ऊर्जा को अनुनाद सर्किट द्वारा प्रबंधित किया जाता है, और GaN की उच्च पल्स वोल्टेज रेटिंग बिजली के उछाल वोल्टेज को समायोजित कर सकती है।

GaN ट्रांजिस्टर के अनुप्रयोग की कुंजी यह है कि इसकी गेट ड्राइव आवश्यकताएँ सिलिकॉन ट्रांजिस्टर से भिन्न होती हैं। एक महत्वपूर्ण अंतर यह है कि GaN की थ्रेशोल्ड और ऑल-ऑन गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) सिलिकॉन ट्रांजिस्टर की तुलना में काफी कम है। हालाँकि इससे गेट चार्ज कम हो जाता है, लेकिन यह ट्रांजिस्टर को बंद रखने में भी चुनौतियाँ पेश कर सकता है। एसीएफ सर्किट में, दो ट्रांजिस्टर को आधे-पुल के रूप में कॉन्फ़िगर किया गया है, मुख्य स्विच नीचे है, और सक्रिय क्लैंप का उपयोग हाई-साइड स्विच के रूप में किया जाता है। और नियंत्रक और लो-साइड ट्रांजिस्टर ड्राइवर बायस बिजली आपूर्ति द्वारा संचालित होते हैं। लेकिन हाई-साइड गेट ड्राइवर को फ्लोटिंग पावर सप्लाई की जरूरत होती है। बड़े टेलीकॉम या डेटा सेंटर बिजली आपूर्ति में, उच्च वोल्टेज पक्ष के लिए फ्लोटिंग बायस पावर प्रदान करने के लिए एकल डीसी-डीसी कनवर्टर का उपयोग किया जा सकता है। लेकिन एडॉप्टर/चार्जर में, इस विधि का आकार और लागत निषेधात्मक है।

सक्रिय क्लैंप फ्लाईबैक टोपोलॉजी सरलीकृत सर्किट

उच्च-वोल्टेज वाले हिस्से को बिजली आपूर्ति करने की एक सामान्य विधि तथाकथित बूटस्ट्रैप बिजली आपूर्ति है, अर्थात, जब निम्न-वोल्टेज वाला हिस्सा चालू होता है, तो उच्च-वोल्टेज वाले हिस्से द्वारा बायस्ड ऊर्जा भंडारण संधारित्र एक डायोड के माध्यम से निम्न-वोल्टेज वाले बायस्ड बिजली आपूर्ति से ऊपर की ओर चार्ज होता है। जब उच्च-वोल्टेज वाला हिस्सा खोला जाता है, तो यह ऊर्जा भंडारण संधारित्र से बायस्ड ऊर्जा प्राप्त करेगा, और इसे नियमित रूप से (हर बार निम्न-वोल्टेज वाले हिस्से को खोलने पर) पुनः भरना होगा। जब परिपथ निरंतर कार्य करता है, तो उच्च-वोल्टेज वाले हिस्से को बिजली आपूर्ति करने का यह एक बहुत ही प्रभावी और कम लागत वाला तरीका है। लेकिन चुनौती यह है कि असंतत मोड में कैसे काम किया जाए।

तो, जब बूटस्ट्रैप कैपेसिटर चार्ज नहीं होता है तो हाई साइड के गलत टर्न-ऑन से कैसे बचें? सामान्य गेट ड्राइवर आईसी में कभी-कभी क्लैंपिंग सर्किट डिज़ाइन शामिल होता है, लेकिन सिलिकॉन ट्रांजिस्टर के लिए पारंपरिक विधि उच्च थ्रेशोल्ड वोल्टेज (जैसे 3-4V) पर निर्भर करती है। इसलिए, यदि सर्किट 1-2V की रेंज में क्लैंपिंग शुरू करते हैं, तो दुर्भाग्य से, उन्हें क्लैंपिंग शुरू करने के लिए सैकड़ों एनएस की आवश्यकता होती है। GaN ट्रांजिस्टर पहले से ही इन गेट वोल्टेज पर बड़ी मात्रा में करंट का संचालन कर सकते हैं।

GaN ट्रांजिस्टर के साथ संयुक्त फ़ास्ट क्लैम्प ड्राइवर के प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए, उनके बीच व्यतिकरण प्रतिबाधा को न्यूनतम किया जाना आवश्यक है। यिंगलिंग उच्च-पक्षीय और निम्न-पक्षीय GaN ट्रांजिस्टर (190 मीटर?) को एकीकृत करने की विधि अपनाता है, और उन्हें iQFN 8×8 मिमी पैकेज में एक नए अर्ध-ब्रिज ड्राइवर के साथ एकीकृत करता है, जिससे एक अर्ध-ब्रिज एकीकृत पावर स्टेज (IPS) बनता है।

प्रतिस्पर्धी उत्पादों की तुलना में, इस एकीकरण और विभाजन विधि के निम्नलिखित फायदे हैं:

आखिर में लिखिए

发挥优势的时刻已经到来

गैलियम नाइट्राइड और सिलिकॉन कार्बाइड द्वारा प्रस्तुत तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों में उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च वोल्टेज प्रतिरोध, उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति और विकिरण प्रतिरोध जैसी उत्कृष्ट विशेषताएं हैं, और प्रौद्योगिकी और लागत की सीमाएं धीरे-धीरे दूर हो रही हैं। इसके बाद, यह इस बात पर निर्भर करता है कि एप्लिकेशन पक्ष डिवाइस परीक्षण, ड्राइवर विकास और परिधीय घटक मिलान के माध्यम से अपने फायदों को कैसे पूरा कर सकता है।

अस्वीकरण: यह लेख "और गैर-वेब ईफोकस" से पुन: प्रस्तुत किया गया है। यह लेख केवल लेखक के व्यक्तिगत विचारों का प्रतिनिधित्व करता है, और सैको माइक्रो और उद्योग के विचारों का प्रतिनिधित्व नहीं करता है। यह केवल बौद्धिक संपदा अधिकारों की सुरक्षा का समर्थन करने के लिए पुनर्मुद्रण और साझा करने के लिए है। कृपया पुनर्मुद्रण करते समय मूल स्रोत और लेखक का उल्लेख करें। यदि कोई उल्लंघन है, तो कृपया उसे हटाने के लिए हमसे संपर्क करें।