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IGBT模块如何传导?
2022-03-17
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IGBT模块如何传导?
硅IGBT的结构与功率MOSFET非常相似。 主要区别在于IGBT增加了p衬底和n缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术不添加此部分)。 一个 MOSFET 驱动两个双极器件。 基板的应用在管的 P 区和 N 区之间产生 J1 结。 当正栅极偏压使栅极下方的P-基极区反向时,形成N沟道,同时出现电子电流,完全以功率MOSFET的形式产生电流。
??如果该电子流产生的电压在0.7V范围内,J1将向前偏置,一些空穴将被注入到N区,从而调节阳极和阴极之间的电阻率,减少功率传导的总损耗并开始第二次充电流程。 于是,半导体层中暂时出现了两种不同的电流拓扑:一种是电子电流(MOSFET电流);另一种是电子电流(MOSFET电流)。 空穴电流(双极)。
硅IGBT的结构与功率MOSFET非常相似。 主要区别在于IGBT增加了p衬底和n缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术不添加此部分)。 一个 MOSFET 驱动两个双极器件。 基板的应用在管的 P 区和 N 区之间产生 J1 结。 当正栅极偏压使栅极下方的P-基极区反向时,形成N沟道,同时出现电子电流,完全以功率MOSFET的形式产生电流。
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