IGBT模組如何傳導？

2022-03-17 301

IGBT模組如何傳導？

矽IGBT的結構與功率MOSFET非常相似。主要區別在於IGBT增加了p基板和n緩衝層（NPT-非穿通-IGBT技術不添加此部分）。一個 MOSFET 驅動兩個雙極元件。基板的應用在管的 P 區和 N 區之間產生 J1 結。當正向閘極偏壓使閘極下方的P-基極區反轉時，會形成N通道，同時會出現電子電流，完全以功率MOSFET的形式產生電流。

??如果該電子流產生的電壓在0.7V範圍內，J1將向前偏置，一些電洞將被注入到N區，從而調節陽極和陰極之間的電阻率，減少功率傳導的總損耗並開始第二次充電流程。於是，半導體層暫時出現了兩種不同的電流拓樸結構：一種是電子電流（MOSFET電流）；空穴電流（雙極）。

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