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SL80N10 एन-चैनल एन्हांसमेंट MOSFET TO-220

● अच्छी गर्मी अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता

● उच्च ESD क्षमता के लिए विशेष प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

जनरल सुविधाएँ
● वीDS =100V,आईD =80ए आरडीएस (चालू) < 9मी? @ VGS= 10V  
● उच्च ESD क्षमता के लिए विशेष प्रक्रिया प्रौद्योगिकी  
● अल्ट्रा लो आर के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइनडीसन  
● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता  
● उच्च ई के साथ अच्छी स्थिरता और एकरूपताAS  
● अच्छी गर्मी अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

आवेदन
● पावर स्विचिंग एप्लिकेशन
● हार्ड स्विच्ड और उच्च आवृत्ति सर्किट  
● निर्बाध विद्युत आपूर्ति


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