satu. Faktanya, triode FET sangat bagus untuk dinilai: ada yang menghadap ke atas dari kiri ke kanan: G, D, S, dan beberapa tabung berlawanan: S, D, G. Saya memperbaiki monitor, motherboard, dan power pasokan dari metode di atas. Sama sekali tidak ada masalah. Jika Anda tidak percaya, bongkar saja papannya dan lihat. Tata letak FET pada papan sirkuit dan deteksi FET daya tinggi VMOS

dua. 1 Bedakan setiap jenis elektroda dan tabung

Gunakan roda gigi multimeter R× 100 untuk mengukur nilai resistansi maju dan mundur antara dua pin transistor efek medan. Dalam sekali pengukuran, nilai resistansi kedua pin tersebut adalah ratusan ohm. Pada saat ini, pin yang terhubung ke dua kabel uji adalah sumber S dan saluran pembuangan D, dan pin lainnya adalah gerbang G.

Kemudian gunakan multimeter rentang R× 10k untuk mengukur nilai resistansi maju dan mundur antara dua pin (saluran D dan sumber S). Saat normal, nilai resistansi maju sekitar 2kΩ, dan nilai resistansi balik lebih besar dari 500kΩ.

Saat mengukur nilai resistansi terbalik, pin yang terhubung ke kabel tes merah tidak bergerak, dan setelah kabel tes hitam dipisahkan dari pin yang terhubung, sentuh grid G ​​terlebih dahulu, lalu sambungkan ke pin asli untuk mengamati perubahannya. pembacaan multimeter. Jika pembacaan multimeter berubah dari nilai resistansi awal yang besar menjadi 0, kabel uji merah dihubungkan ke sumber S, dan kabel uji hitam dihubungkan ke saluran pembuangan D. Memicu gerbang G dengan pena uji hitam efektif, menunjukkan bahwa tabung tersebut adalah transistor efek medan saluran-N. Jika pembacaan multimeter masih bernilai besar, sambungkan kembali kabel uji hitam ke pin asli tanpa perubahan, dan gunakan kabel uji merah untuk menyentuh grid G ​​lalu sambungkan kembali ke pin asli. Jika 0, maka kabel uji hitam dihubungkan ke sumber S, dan kabel uji merah dihubungkan ke saluran D. Memicu gerbang G dengan pena merah efektif, menunjukkan bahwa tabung tersebut adalah bidang saluran P. transistor efek.

2. menilai apakah itu baik atau buruk

Gunakan multimeter rentang R×1k atau rentang R×10k untuk mengukur nilai resistansi maju dan mundur antara dua pin FET. Dalam kondisi normal, nilai resistansi maju dan mundur antara pin lainnya (G dan D, G dan S) harus tak terhingga kecuali nilai resistansi maju saluran dan sumber kecil. Jika nilai hambatan terukur antara dua kutub mendekati 0Ω berarti tabung putus dan rusak.

Selain itu, Anda juga dapat menggunakan metode pemicuan gerbang (FET saluran-P dipicu dengan pena uji merah, FET saluran-N dipicu dengan pena uji hitam) untuk menilai apakah FET rusak. Jika pemicunya valid (setelah gerbang G dipicu, resistansi maju dan mundur antara kutub D dan S keduanya menjadi 0), dapat ditentukan bahwa tabung tersebut memiliki kinerja yang baik.

Tiga, 1 pakai gigi 10K, di dalamnya ada baterai 15 volt. Ini dapat memberikan tegangan konduksi.

2 Karena gerbang setara dengan kapasitor, maka tidak dapat dihubungkan ke pin mana pun,

Tidak peduli tabung N atau tabung P, mudah untuk menemukan kisi-kisinya, jika tidak maka tabungnya buruk.

3 Gunakan kabel uji untuk mengisi daya maju atau mundur antara gerbang dan sumber, sehingga saluran pembuangan dan sumber dapat dihidupkan atau dimatikan.

Dan karena muatan di gerbang dapat dipertahankan, kedua langkah di atas dapat dipisahkan secara berurutan, dan tidak perlu sinkronisasi, yang memudahkan.

Tetapi untuk melepaskannya, Anda perlu melakukan hubungan arus pendek pada pin atau membalikkan muatan.

4 Sebagian besar terdapat dioda anti-paralel antara sumber dan saluran pembuangan, yang harus diperhatikan dan membantu menilai.

5 Kalau sebagian besar menghadap sendiri, pintu kiri dikeringkan dan sumber kanan dikeringkan.

Tiga poin pertama di atas harus dikuasai, dan dua poin terakhir dapat digunakan secara fleksibel, dan pin dapat dinilai dengan cepat dan dibagi menjadi baik dan buruk.

Bagaimana cara mendeteksi apakah tabung MOS terbakar? Langkah termudah

Deteksi tabung MOS terutama untuk menilai korsleting, kebocoran, amplifikasi, dan rangkaian terbuka tabung MOS. Langkah-langkah pengoperasiannya adalah sebagai berikut:

①Hubungkan pena merah ke sumber S MOS, dan pena hitam ke saluran pembuangan tabung MOS. Penunjuk yang baik harus menunjukkan ketidakterbatasan. Jika ada nilai resistansi yang tidak diuji maka tabung MOS mengalami kebocoran.

②Gunakan resistor 100KΩ-200KΩ untuk menghubungkan gerbang dan sumber, lalu sambungkan pena merah ke sumber S MOS, dan pena hitam ke saluran pembuangan tabung MOS. Pada saat ini, nilai yang ditunjukkan oleh jarum umumnya 0, pada saat ini muatan yang lebih rendah mengisi gerbang tabung MOS melalui resistor ini, menghasilkan medan listrik gerbang. Karena adanya medan listrik, saluran konduktif menyebabkan saluran dan sumber mengalir, sehingga penunjuk multimeter dibelokkan, sudut defleksinya besar, dan debit Sex lebih baik.

③Lepaskan hambatan yang menghubungkan gerbang dan sumber, dan pena merah dan hitam pada multimeter tetap tidak berubah. Jika jarum secara bertahap kembali ke resistansi tinggi atau tak terhingga setelah resistansi dihilangkan, tabung MOS akan mengalami kebocoran listrik dan tetap utuh.

④ Terakhir, sambungkan gerbang dan sumber tabung MOS dengan kabel. Jika penunjuk segera kembali ke tak terhingga, tabung MOS masih utuh, jika tidak, tabung MOS telah terbakar.