IGBT，又称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其输入端为MOSFET，输出端为PNP晶体管。因此，可以将其视为具有金属氧化物半导体输入的达林顿晶体管。

它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点，具有驱动容易、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40hz）等特点。它已逐渐取代晶闸管和门极可关断晶闸管（GTO），是目前发展最快的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积高效变频电源、电机调速、不间断电源及逆变焊机。

IGBT的工作原理

IGBT的控制电路由栅极G、发射极E和集电极c组成。如果IGBT的栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定工作；如果栅极与发射极之间的耐压过高甚至超过，则可能造成IGBT永久性损坏。

同样，如果IGBT的集电极与发射极之间的电压超过允许值，那么流过IGBT的电流也会超过极限，导致IGBT的结温超过允许值，此时IGBT可能会永久性损坏。

IGBT极性判断

测试IGBT时，应选择模拟万用表。先将万用表打到r1k档，用万用表测量两极之间的电阻。如果一极与其他极的电阻值为无穷大，则换表笔后，这一极与其他极的电阻值仍然为无穷大，这就是栅极g，用万用表测量其他极之间的电阻。如果测得的电阻为无穷大，则换表笔后，电阻变小。当测得的电阻小时，红表笔接触的是集电极C，黑表笔接触的是发射极e

IGBT质量的判断

判断IGBT的好坏时，必须选用模拟万用表（电子万用表内部电池电压太低），也可以用9V电池代替。首先，将万用表拨到r10k（用r1k时，内部电压太低，IGBT无法导通）。用黑色触笔接IGBT的集电极C，红色表笔接IGBT的发射极E，万用表指针指向零位。

用手指同时触摸栅极G和集电极C，触发IGBT导通，万用表指针明显向阻值较小的方向摆动，并能保持在一定位置。然后用手指同时触摸栅极G和发射极E，此时IGBT处于阻断状态，检测时万用表指针回零。以上现象一致，可判断IGBT良好，否则IGBT存在问题。