IGBT, juga dikenali sebagai Transistor Bipolar Gerbang Bertebat, ialah peranti semikonduktor kuasa dipacu voltan terkawal sepenuhnya yang terdiri daripada Transistor Bipolar (BJT) dan Transistor Kesan Medan Gerbang Bertebat (MOS). Inputnya ialah MOSFET dan outputnya ialah transistor PNP. Oleh itu, ia boleh dianggap sebagai transistor Darlington dengan input semikonduktor oksida logam.

Ia menggabungkan kelebihan galangan input tinggi MOSFET dan penurunan voltan rendah GTR, dan mempunyai ciri-ciri pemanduan mudah, kapasiti arus puncak yang besar, penutupan kendiri, dan frekuensi pensuisan tinggi (10-40hz). Ia secara beransur-ansur menggantikan thyristor dan gate turn-off thyristor (GTO), dan kini merupakan generasi baharu peranti elektronik kuasa yang paling pesat berkembang. Digunakan secara meluas dalam bekalan kuasa frekuensi berubah-ubah volum kecil dan kecekapan tinggi, peraturan kelajuan motor, bekalan kuasa tanpa gangguan dan mesin kimpalan penyongsang.

Prinsip kerja IGBT

IGBT dikawal oleh pintu G, pemancar E dan pengumpul c. Jika voltan antara pintu dan pemancar IGBT, iaitu voltan pemacu, terlalu rendah, IGBT tidak boleh berfungsi dengan stabil; jika voltan tahan antara pintu dan pemancar terlalu tinggi atau melebihi, IGBT mungkin rosak secara kekal.

Begitu juga, jika voltan antara pengumpul dan pemancar IGBT melebihi nilai yang dibenarkan, arus yang mengalir melalui IGBT akan melebihi had, menyebabkan suhu simpang IGBT melebihi nilai yang dibenarkan, di mana IGBT mungkin rosak secara kekal.

Penghakiman kekutuban IGBT

Apabila menguji IGBT, multimeter analog harus dipilih. Mula-mula tetapkan multimeter pada r1k, dan gunakan multimeter untuk mengukur rintangan antara dua kutub. Jika nilai rintangan satu kutub dan kutub lain adalah infiniti, nilai rintangan kutub ini dan kutub lain masih tidak terhingga selepas menukar kuar, ini adalah grid g, gunakan multimeter untuk mengukur rintangan antara kutub yang lain. Jika rintangan yang diukur adalah tidak terhingga, rintangan menjadi lebih kecil selepas menggantikan probe. Apabila rintangan yang diukur adalah kecil, kuar merah menyentuh pengumpul C dan kuar hitam menyentuh pemancar e

Penghakiman Kualiti IGBT

Apabila menilai kualiti IGBT, anda mesti memilih multimeter analog (voltan bateri dalaman multimeter elektronik terlalu rendah), atau anda boleh menggunakan bateri 9V sebaliknya. Mula-mula, tetapkan multimeter kepada r10k (apabila menggunakan r1k, voltan dalaman terlalu rendah untuk menghidupkan IGBT). Gunakan stylus hitam untuk menyambungkan pengumpul C IGBT dan pen ujian merah kepada pemancar E IGBT, dan penunjuk multimeter adalah sifar.

Sentuh grid G ​​dan pengumpul C pada masa yang sama dengan jari anda untuk mencetuskan IGBT supaya dihidupkan, dan penunjuk multimeter berayun jelas ke arah dengan rintangan yang lebih kecil, yang boleh disimpan dalam kedudukan tertentu. Kemudian sentuh kedua-dua pintu G dan pemancar E dengan jari anda. Pada masa ini, IGBT disekat, dan penunjuk multimeter kembali kepada sifar semasa pengesanan. Fenomena di atas adalah konsisten, dan boleh dinilai bahawa IGBT adalah baik, jika tidak terdapat masalah dengan IGBT.