IGBT，又稱絕緣柵雙極型電晶體，是由雙極型電晶體（BJT）和絕緣柵場效電晶體（MOS）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體元件。其輸入端為MOSFET，輸出端為PNP電晶體。因此，可以將其視為具有金屬氧化物半導體輸入的達林頓電晶體。

它兼具MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降的優點，具有易於驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高（10-40Hz）等特點，已逐步取代晶閘管和門極可關斷晶閘管（GTO），是目前發展最快的新一代電力電子元件。廣泛應用於小體積、高效率的變頻電源、電動機調速、不間斷電源、逆變焊機等領域。

IGBT的工作原理

IGBT的控制電路由閘極G、射極E和集極c組成。如果IGBT的閘極與射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則IGBT無法穩定工作；如果閘極與發射極之間的耐壓過高甚至超過，則可能造成IGBT永久性損壞。

同樣，如果IGBT的集電極與發射極之間的電壓超過允許值，那麼流過IGBT的電流也會超過極限，導致IGBT的結溫超過允許值，此時IGBT可能會永久性損壞。

IGBT極性判斷

測試IGBT時，應選擇模擬萬用電表。先將萬用電表打到r1k檔，用萬用電表測量兩極之間的電阻。如果一極與其他極的電阻值為無窮大，則換表筆後，這一極與其他極的電阻值仍然為無窮大，這就是閘極g，用萬用電錶測量其他極之間的電阻。若測得的電阻為無窮大，換表筆後，電阻變小。當測得的電阻小時，紅表筆接觸的是集電極C，黑表筆接觸的是射極e

IGBT品質的判斷

判斷IGBT的好壞時，必須選用類比萬用電錶（電子萬用電錶內部電瓶電壓太低），也可以用9V電池代替。首先，將萬用電表撥到r10k（用r1k時，內部電壓太低，IGBT無法導通）。用黑色觸筆接IGBT的集電極C，紅色表筆接IGBT的射極E，萬用電錶指針指向零位。

用手指同時觸摸閘極G和集電極C，觸發IGBT導通，萬用電錶指針明顯向阻值較小的方向擺動，並能保持在一定位置。然後用手指同時觸摸閘極G和射極E，此時IGBT處於阻斷狀態，偵測時萬用電錶指針回零。以上現像一致，可判斷IGBT良好，否則IGBT有問題。