اليوم سوف نقدم لكم MOSFET SL23S ذو القناة N SOT-2302 من Slkor، وهو مناسب لمختلف التطبيقات ذات الجهد المنخفض ونطاق القدرة المنخفضةالأيونات، الخ، محولات DC-DC، إدارة الطاقة، دوائر التبديل التناظرية، البطارية بروتينction إلخ.

مقدمات:

ترانزستور تأثير المجال المعدني شبه الموصل (MOSFET)، أو اختصارًا: ترانزستور تأثير المجال المعدني شبه الموصل (شبه أكسيدي معدني)، هو نوع من الترانزستورات يستخدم بوابة معدنية للتحكم في تدفق التيار. يُصنف ترانزستور MOSFET إلى PMOS (قناة P) وNMOS (قناة N) بناءً على نوع القناة. كما يمكن تصنيف ترانزستور MOSFET إلى أربعة أنواع بناءً على القناة والمادة: PMOS في وضع التحسين، وNMOS في وضع التحسين، وPMOS في وضع الاستنفاد، وNMOS في وضع الاستنفاد. من بين هذه الأنواع، يتميز ترانزستور MOSFET في وضع التحسين بتيار تصريف صفري عند تساوي جهد البوابة والمصدر معدومًا، بينما يتميز ترانزستور MOSFET في وضع الاستنفاد بتيار تصريف غير صفري عند تساوي جهد البوابة والمصدر معدومًا. هذه الخصائص تجعل أنواع ترانزستور MOSFET المختلفة تتميز بمزايا وتطبيقات مختلفة في مختلف سيناريوهات الاستخدام.

التحديات:

لدى MOSFET حدود جهد، وهي تشير إلى أقصى جهد يمكنها تحمله في ظروف التشغيل العادية. عمومًا، تتمتع MOSFET بجهد منخفض نسبيًا. تقييمات، عادةً أقل من عدة مئات من الفولتات، وهي غير مناسبة لتطبيقات الجهد العالي جدًا. وذلك لأن بنية ومبدأ عمل MOSFET يحددان جهدها. تقييمات. توجد طبقة عازلة بين بوابة ومصدر MOSFET، وعندما يتجاوز الجهد بين البوابة والمصدر قيمة معينة مستوىستنهار الطبقة العازلة، مما يؤدي إلى فشل ترانزستور MOSFET. لذلك، تُستخدم أنواع أخرى من الترانزستورات أو الأجهزة مع تقييمات أعلى يجب اختياره ليحل محل MOSFET في تطبيقات الجهد العالي.

الحلول:

في الأجهزة الإلكترونية الحديثة، تُعد تطبيقات الجهد المنخفض شائعة. في كثير من الحالات، يُعدّ SL2302S من Slkor خيارًا مثاليًا، فهو عبارة عن ترانزستور MOSFET صغير الحجم ذو قناة N من نوع SOT-23، بجهد مصدر تصريف يبلغ 20 فولت وتيار تصريف مستمر يبلغ 2.6 أمبير، وتصنيف قدرة 900 ميلي واط. تبلغ مقاومته عند التشغيل 85 ملي أوم عند 4.5 فولت، وجهد عتبة التشغيل 1.5 فولت عند 250 ميكرو أمبير. يوفر تيار التصريف المستمر العالي ومقاومة التشغيل المنخفضة لـ SL2302S كفاءة وأداءً عاليين في تطبيقات الجهد المنخفض.

حول سلكور:

بفريق متميّز من جامعة تسينغهوا الصينية المرموقة وجامعة سيول يونسي الكورية، تُكرّس شركة شنتشن سلكور مايكرو سيميكون المحدودة جهودها لتطوير الجيل الثالث من أجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) وأشباه الموصلات التقليدية. نتميز بالمنهجيات والمواد والتقنيات والمنتجات الجديدة ذات الصلة. تشمل منتجاتنا الأجهزة المنفصلة والدوائر المتكاملة (IC)، والثنائيات، والترانزستورات، وأجهزة الطاقة، ورقائق إدارة الطاقة، والرقائق التناظرية. بقيادة السيد سونغ شي تشيانغ، الرئيس التنفيذي لشركة سلكور، انطلقت سلكور من دار تصميم الملكية الفكرية، وأصبحت الآن شركة وطنية عالية التقنية تُغطي خدمات البحث والتطوير والإنتاج والمبيعات لأجهزة أشباه الموصلات. تُقدّم سلكور منتجات محلية عالية الجودة من أشباه الموصلات من كبرى الشركات العالمية. ولضمان سرعة الخدمات، تمتلك سلكور متجرين رئيسيين في وادي الأجهزة العالمي الشهير شنتشن هواكيانغبي.