Hoje, apresentaremos o MOSFET de canal N SOT-23 SL2302S da Slkor, adequado para diversas aplicações de baixa tensão e baixa potência.íons, etc.Conversores CC-CC, gerenciamento de energia, circuitos de chaveamento analógico, baterias protegeração etc.

Introduções:

O MOSFET, ou transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor, é um tipo de transistor que utiliza um eletrodo de porta metálico para controlar o fluxo de corrente. Os MOSFETs são classificados em PMOS (canal P) e NMOS (canal N) com base no tipo de canal. Os MOSFETs podem ser ainda classificados em quatro tipos com base no canal e no material: PMOS de modo de enriquecimento, NMOS de modo de enriquecimento, PMOS de modo de depleção e NMOS de modo de depleção. Dentre eles, o MOSFET de modo de enriquecimento apresenta corrente de dreno zero quando a tensão entre porta e fonte é zero, enquanto o MOSFET de modo de depleção apresenta corrente de dreno diferente de zero quando a tensão entre porta e fonte é zero. Essas características conferem aos diferentes tipos de MOSFET diferentes vantagens e aplicabilidade em diversos cenários de aplicação.

desafios:

Os MOSFETs possuem limitações de tensão, que se referem à tensão máxima que podem suportar em condições normais de operação. Geralmente, os MOSFETs têm tensões relativamente baixas. avaliações, tipicamente abaixo de algumas centenas de volts, e não são adequados para aplicações de altíssima tensão. Isso ocorre porque a estrutura e o princípio de funcionamento do MOSFET determinam sua tensão. avaliaçõesExiste uma camada isolante entre o gate e o source do MOSFET, e quando a tensão entre o gate e o source excede um determinado valor, o MOSFET é ativado. nível, a camada isolante se romperá, causando a falha do MOSFET. Portanto, outros tipos de transistores ou dispositivos com classificações mais altas É necessário selecionar componentes para substituir o MOSFET em aplicações de alta tensão.

Soluções:

Em dispositivos eletrônicos modernos, aplicações de baixa tensão são comuns. Em muitos casos, o SL2302S da Slkor é uma escolha ideal. Este pequeno MOSFET de canal N em encapsulamento SOT-23 possui uma tensão dreno-fonte de 20V e uma corrente de dreno contínua de 2.6A, com uma potência nominal de 900mW. Sua resistência de condução é de 85mΩ a 4.5V e sua tensão de limiar de ativação é de 1.5V a 250μA. A alta corrente de dreno contínua e a baixa resistência de condução do SL2302S proporcionam alta eficiência e desempenho em aplicações de baixa tensão.

Sobre Slkor:

Com uma equipe de elite formada por profissionais das prestigiadas universidades chinesas Tsinghua e coreanas Seoul Yonsei, a Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. dedica-se à terceira geração de dispositivos semicondutores de potência em SiC e a dispositivos semicondutores convencionais. Possuímos forte atuação em metodologias, novos materiais, novas tecnologias e novos produtos. Nosso portfólio abrange dispositivos discretos e circuitos integrados, diodos, transistores, dispositivos de potência, chips de gerenciamento de energia e chips analógicos. Sob a forte liderança do Sr. Song Shiqiang, CEO da SLCORE, a empresa, que começou como uma empresa de design de propriedade intelectual, tornou-se uma empresa nacional de alta tecnologia, abrangendo pesquisa e desenvolvimento, produção e serviços de vendas de dispositivos semicondutores. A Slkor oferece equivalentes nacionais de alta qualidade aos semicondutores dos principais players internacionais. Para um atendimento ágil, a Slkor possui duas lojas próprias no mundialmente famoso polo de hardware de Shenzhen Huaqiangbei.