Dzisiaj przedstawiamy tranzystor MOSFET SL23S z kanałem N SOT-2302 firmy Slkor, który nadaje się do różnych zastosowań niskonapięciowych o niskim zakresie mocy.jony itp., przetwornice DC-DC, zarządzanie zasilaniem, analogowe obwody przełączające, akumulator protegowaćakcja itp.

Przedstaw się:

MOSFET, czyli tranzystor polowy metal-tlenek-półprzewodnik, to rodzaj tranzystora, w którym bramka metalowa steruje przepływem prądu. MOSFET-y klasyfikuje się na PMOS (z kanałem P) i NMOS (z kanałem N) w zależności od rodzaju kanału. MOSFET-y można dodatkowo podzielić na cztery typy w zależności od kanału i materiału: PMOS z trybem wzbogaconym, NMOS z trybem wzbogaconym, PMOS z trybem zubożonym i NMOS z trybem zubożonym. Spośród nich MOSFET z trybem wzbogaconym ma zerowy prąd drenu, gdy napięcie bramka-źródło jest równe zero, natomiast MOSFET z trybem zubożonym ma niezerowy prąd drenu, gdy napięcie bramka-źródło jest równe zero. Te cechy sprawiają, że różne typy MOSFET-ów mają różne zalety i zastosowanie w różnych scenariuszach zastosowań.

wyzwania:

Tranzystory MOSFET mają ograniczenia napięciowe, które odnoszą się do maksymalnego napięcia, jakie mogą wytrzymać w normalnych warunkach pracy. Generalnie tranzystory MOSFET mają stosunkowo niskie napięcie. Oceny, zazwyczaj poniżej kilkuset woltów i nie nadają się do zastosowań o bardzo wysokim napięciu. Dzieje się tak, ponieważ struktura i zasada działania tranzystorów MOSFET determinują ich napięcie. Oceny. Pomiędzy bramką a źródłem tranzystora MOSFET znajduje się warstwa izolacyjna, a gdy napięcie między bramką a źródłem przekroczy określoną wartość, poziom, warstwa izolacyjna ulegnie uszkodzeniu, powodując awarię tranzystora MOSFET. Dlatego inne typy tranzystorów lub urządzeń z wyższymi ocenami muszą zostać wybrane w celu zastąpienia MOSFET-ów w zastosowaniach wysokonapięciowych.

Solutions:

W nowoczesnych urządzeniach elektronicznych powszechne są zastosowania niskonapięciowe. W wielu przypadkach idealnym wyborem jest tranzystor SL2302S firmy Slkor. Ten niewielki tranzystor MOSFET SOT-23 z kanałem N charakteryzuje się napięciem dren-źródło 20 V i ciągłym prądem drenu 2.6 A, a jego moc znamionowa wynosi 900 mW. Jego rezystancja w stanie przewodzenia wynosi 85 mΩ przy napięciu 4.5 V, a napięcie progowe włączenia wynosi 1.5 V przy 250 μA. Wysoki ciągły prąd drenu i niska rezystancja w stanie przewodzenia tranzystora SL2302S zapewniają wysoką sprawność i wydajność w zastosowaniach niskonapięciowych.

O Slkor:

Z elitarnym zespołem z prestiżowego chińskiego Uniwersytetu Tsinghua i koreańskiego Uniwersytetu Seoul Yonsei, Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. specjalizuje się w półprzewodnikowych elementach mocy SiC trzeciej generacji oraz konwencjonalnych elementach półprzewodnikowych. Specjalizujemy się w odpowiednich metodologiach, nowych materiałach, technologiach i produktach. Nasze produkty obejmują układy dyskretne i układy scalone, diody, tranzystory, układy mocy, układy zarządzania energią oraz układy analogowe. Pod silnym kierownictwem pana Song Shiqianga, dyrektora generalnego SLCORE, firma Slkor, początkowo będąca domem projektowym IP, stała się krajowym przedsiębiorstwem high-tech, zajmującym się badaniami i rozwojem, produkcją oraz sprzedażą elementów półprzewodnikowych. Slkor dostarcza wysokiej jakości krajowe odpowiedniki półprzewodników od czołowych międzynarodowych producentów. Aby zapewnić szybką obsługę, Slkor posiada dwa flagowe sklepy w słynnej na całym świecie dolinie sprzętu Shenzhen Huaqiangbei.