اليوم، سوف نقدم MOS BSS84 ذو الجهد المنخفض للقناة P من Slkor، وهو عبارة عن ترانزستور التأثير الميداني لوضع تحسين القناة P (FET) في حزمة جهاز صغير مثبت على السطح (SMD) SOT23 (TO-236AB) باستخدام Trench MOSFET تكنولوجيا. إنه خيار مثالي للأجهزة المحمولة وإدارة الطاقة وإضاءة LED وما إلى ذلك.

مقدمات:

ترانزستور تأثير المجال المعدني (MOS)، اختصارًا لـ MOSFET (ترانزستور تأثير المجال المعدني شبه الموصل)، هو نوع من أجهزة أشباه الموصلات يتكون من طبقات من المعدن والأكسيد وشبه الموصل. يعتمد مبدأ عمله على تأثير قناة الشحنة الكهربائية على طبقة البوابة المعدنية بين طبقتين من أشباه الموصلات تفصل بينهما طبقة أكسيد. بالتحكم في المجال الكهربائي على القطب المعدني، يتم التحكم في توزيع الشحنة في شبه الموصل. يتميز هذا الترانزستور بانخفاض الجهد، وانخفاض استهلاك الطاقة، وسرعة التحويل العالية، ومقاومة الدخل العالية، ويُستخدم على نطاق واسع في الدوائر الإلكترونية.

التحديات:

يجب أن تتميز أجهزة MOS عالية الأداء ذات الجهد المنخفض بمقاومة منخفضة، وجهد كهربائي منخفض، وخصائص درجة حرارة جيدة، وعملية عالية الكثافة. كلما انخفضت المقاومة، زادت قدرة التوصيل. يتغير أداء MOS ذو الجهد المنخفض مع درجة الحرارة. في درجات الحرارة المرتفعة، ستنخفض قدرته على التوصيل، لكن تيار التسرب سيزداد، مما يؤدي إلى أداء سيء لـ MOS.

الحلول:

يتمتع جهاز MOS BSS23 SOT-84 P-channel من Slkor بجهد مصدر تصريف يبلغ -50 فولت وتيار تصريف مستمر يبلغ -130 مللي أمبير، ومعدل طاقة يبلغ 200 ميجاوات. مقاومة التشغيل هي 10Ω@5V، 100mA، جهد التشغيل عند -2.5V@250uA، وسعة الإدخال 73pF@25V. يمكن استخدام BSS84، بأقل جهد، في معظم التطبيقات التي تتطلب ما يصل إلى 0.13 أمبير تيار مستمر ويمكنه توصيل تيار يصل إلى 0.52 أمبير. هذا المنتج مناسب بشكل خاص للتطبيقات ذات الجهد المنخفض التي تتطلب مفتاحًا عالي الجانب منخفض التيار.