今天，我們將介紹 Slkor 的低電壓 P 通道 MOS BSS84，這是一款採用 Trench MOSFET、採用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝元件 (SMD) 封裝的 P 通道增強型場效電晶體 (FET)技術。它是行動裝置、電源管理和LED照明等的理想選擇。

簡介：

MOS 是 MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效電晶體）的縮寫，是一種由金屬、氧化物和半導體層組成的半導體元件。其工作原理是基於電荷在被氧化物層隔開的兩層半導體層之間的閘極金屬層上的通道效應。透過控制金屬電極上的電場，可以控制半導體中的電荷分佈。 MOS 具有低電壓驅動、低功耗、高速開關和高輸入阻抗等優點，在電子電路中廣泛的應用。

面臨的挑戰：

高性能低壓MOS元件必須具有低導通電阻、低閾值電壓、良好的溫度特性以及高密度製程。導通電阻越低，導電能力越強。低電壓MOS的性能隨溫度變化。在高溫下，其導通能力會下降，但漏電流會增加，導致MOS效能變差。

解決方案：

Slkor的這款SOT-23 P通道MOS BSS84的汲極電壓為-50V，連續汲極電流為-130mA，額定功率為200mW。其導通電阻為10Ω@5V、100mA，導通閾值電壓為-2.5V@250uA，輸入電容為73pF@25V。 BSS84 可輕鬆用於大多數需要高達 0.13 A 直流電流的應用，並可提供高達 0.52 A 的電流。