Hôm nay, chúng tôi sẽ giới thiệu MOS BSS84 kênh P điện áp thấp của Slkor, Transistor hiệu ứng trường (FET) ở chế độ nâng cao kênh P trong gói Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB) nhỏ sử dụng Trench MOSFET công nghệ. Đây là sự lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị di động, quản lý năng lượng và đèn LED, v.v.

Giới thiệu:

MOS, viết tắt của MOSFET (Transitor hiệu ứng trường bán dẫn kim loại-oxit), là một loại thiết bị bán dẫn bao gồm các lớp kim loại, oxit và chất bán dẫn. Nguyên lý làm việc của nó dựa trên hiệu ứng kênh của điện tích lên lớp kim loại cổng giữa hai lớp bán dẫn được ngăn cách bằng lớp oxit. Bằng cách điều khiển điện trường trên điện cực kim loại, sự phân bố điện tích trong chất bán dẫn được kiểm soát. Nó có ưu điểm là truyền động điện áp thấp, tiêu thụ điện năng thấp, chuyển mạch tốc độ cao và trở kháng đầu vào cao và được sử dụng rộng rãi trong các mạch điện tử.

Thách thức:

Các thiết bị MOS điện áp thấp hiệu suất cao phải có điện trở thấp, điện áp ngưỡng thấp, đặc tính nhiệt độ tốt và quy trình mật độ cao. Điện trở càng thấp thì khả năng dẫn điện càng mạnh. Hiệu suất của MOS điện áp thấp thay đổi theo nhiệt độ. Ở nhiệt độ cao, khả năng dẫn điện của nó sẽ giảm nhưng dòng rò sẽ tăng lên, dẫn đến hiệu suất của MOS kém.

Giải pháp:

MOS BSS23 kênh P SOT-84 này của Slkor có điện áp nguồn xả -50V và dòng xả liên tục -130mA, định mức công suất 200mW. Điện trở khi bật của nó là 10Ω@5V, 100mA, khi bật điện áp ngưỡng là -2.5V@250uA và điện dung đầu vào là 73pF@25V. BSS84 có thể được sử dụng với ít nỗ lực nhất trong hầu hết các ứng dụng cần tới 0.13 A DC và có thể cung cấp dòng điện lên tới 0.52 A. Sản phẩm này đặc biệt phù hợp với các ứng dụng điện áp thấp cần có công tắc phía cao dòng điện thấp.