ما هو أنبوب MOS المحسن؟ ما هو وضع التحسين أنبوب MOS؟ ما هو وضع استنفاد أنبوب MOS

التعزيز: عند عدم تطبيق أي جهد بين البوابة والركيزة، لا توجد قناة أسفل البوابة. أي أن جهد العتبة في NMOS أكبر من 0، وفي PMOS أقل من 0. وضع الاستنفاد: عند عدم تطبيق أي جهد بين البوابة والركيزة، توجد قناة أسفل البوابة. أي أن جهد العتبة في NMOS أقل من 0، وفي PMOS أكبر من 0. بتغيير تركيز التشويب في المنطقة النشطة، والتحكم في سمك الطبقة العازلة للبوابة، واختيار مادة بوابة ذات دالة عمل محددة، يمكن تصنيع ترانزستورات MOSFET للتعزيز أو الاستنفاد.

ما هي الاحتياطات اللازمة لأنابيب MOS؟

(3) نظرًا لمقاومة الإدخال العالية جدًا لترانزستورات تأثير المجال MOS، يجب أن تكون دبابيس الرصاص قصيرة الدائرة أثناء النقل والتخزين، ويجب استخدام التدريع المعدني لمنع انهيار الشبكة بسبب الإمكانات الخارجية المستحثة.

ما هو أنبوب MOS؟

تُسمى أنابيب MOS عمومًا ترانزستورات التأثير الميداني. بخلاف الثنائيات والثلاثيات، لا تستطيع الثنائيات سوى تمرير التيار الأمامي وعكس التيار، ولا يمكن التحكم بها. بشكل عام، تُضخّم الثنائيات من تيارات صغيرة إلى تيارات كبيرة مُتحكّم بها. أما أنابيب MOS، فيتم التحكم بها بجهد صغير.

مقاومة الإدخال لأنبوب MOS كبيرة جدًا، مستوى ميجا أوم، سهل القيادة، لكن السعر أعلى من الصمام الثلاثي، مناسب بشكل عام للحالة التي تتطلب جهدًا صغيرًا للتحكم في تيار كبير، الطباخ التعريفي هو يستخدم بشكل عام أنبوب التأثير الميداني 20A أو 25A.

معلومات التوسعة:

يمكن استخدام خصائص مكثفات MOS لتشكيل ترانزستورات MOS. تبقى البوابة والعازل والبوابة الخلفية كما هي. يوجد على جانبي البوابة منطقتان إضافيتان مشوبة بشكل انتقائي. تسمى إحداهما المصدر والأخرى تسمى المصرف. افترض أن كلاً من المصدر والبوابة الخلفية مؤرضان، وأن المصرف متصل بجهد موجب. تسمى أنابيب MOS عمومًا ترانزستورات التأثير الميداني. على عكس الثنائيات والصمامات الثلاثية، لا يمكن للثنائيات إلا تمرير التيار الأمامي والقطع العكسي ولا يمكن التحكم فيها. بشكل عام، يتم تضخيم الصمامات الثلاثية من تيارات صغيرة إلى تيارات كبيرة متحكم فيها. يتم التحكم في أنابيب MOS بواسطة جهد صغير. التيار، ومقاومة دخل أنبوب MOS كبيرة جدًا، ومستوى ميغا أوم، وسهلة القيادة، ولكن السعر أعلى من سعر الصمام الثلاثي، وهي مناسبة بشكل عام للموقف الذي يحتاج إلى جهد صغير للتحكم في التيار الكبير، ويُستخدم التأثير الميداني 20 أمبير أو 25 أمبير بشكل عام في أنبوب طباخ الحث. أنبوب موس هو ترانزستور تأثير مجالي معدني-أكسيدي-شبه موصل، أو معدني-عازل-شبه موصل. يمكن عكس مصدر ومصرف أنبوب موس، وجميعها مناطق من النوع N مُشكّلة في البوابة الخلفية من النوع P. في معظم الحالات، تكون هاتان المنطقتان متماثلتين، حتى مع عكس الطرفين، لن يؤثر ذلك على أداء الجهاز. تُعتبر هذه الأجهزة متماثلة.

يقوم الترانزستور ثنائي القطب بتضخيم التغير الطفيف في التيار عند طرف الإدخال ويخرجه عند طرف الخرج

تغيير كبير الحالي. يتم تعريف كسب الترانزستور ثنائي القطب على أنه نسبة الإخراج إلى تيار الإدخال (بيتا). نوع آخر من الترانزستور، يسمى ترانزستور التأثير الميداني (FET)، يحول التغيرات في جهد الدخل إلى تغيرات في تيار الخرج. كسب FET يساوي موصليته، والتي يتم تعريفها على أنها نسبة التغير في تيار الخرج إلى التغير في جهد الدخل. الأكثر شيوعًا في السوق هي قناة N وقناة P. للحصول على التفاصيل، راجع الصورة الموجودة على اليمين (ترانزستور MOS المستنفد للقناة N). القناة P الشائعة هي أنبوب Mos ذو الجهد المنخفض.

يأتي اسم FET أيضًا من مدخلاته (التي تسمى البوابة) من خلال الإسقاط

يؤثر المجال الكهربائي على طبقة عازلة على التيار المتدفق عبر الترانزستور. في الواقع، لا يتدفق أي تيار عبر هذا العازل، لذا يكون تيار بوابة ترانزستور FET صغيرًا جدًا. يستخدم ترانزستور FET الأكثر شيوعًا طبقة رقيقة من ثاني أكسيد السيليكون كعازل أسفل البوابة. تُسمى هذه الترانزستورات ترانزستورات شبه موصل أكسيد معدني (MOS)، أو ترانزستورات تأثير المجال شبه موصل أكسيد معدني (MOSFET). ولأن أنابيب MOS أصغر حجمًا وأكثر كفاءة في استهلاك الطاقة، فقد حلت محل الترانزستورات ثنائية القطب في العديد من التطبيقات. ما هو أنبوب MOS؟

دور أنبوب موس

دور أنبوب MOS أنبوب MOS هو عنصر يتم التحكم في الجهد فيه. كل ما عليك فعله هو إضافة الجهد المطلوب إلى عنصر التحكم بالجهد لتشغيله. إن توصيله يشبه توصيل الترانزستور في حالة مشبعة، وانخفاض الجهد في الوصلة التوصيلية هو الأصغر. ويقال في كثير من الأحيان أن الكلاسيكي هو تأثير التبديل. إذا تم إزالة جهد التحكم، فسيتم قطعه. الاسم الإنجليزي الكامل لأنبوب MOS يسمى أنبوب MOS MOSFET (MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)، وهو ترانزستور تأثير المجال من نوع أشباه الموصلات من أكسيد المعدن، والذي ينتمي إلى البوابة العازلة للترانزستور تأثير المجال. اكتب. لذلك، تسمى ترانزستورات MOS أحيانًا ترانزستورات التأثير الميداني. في الدوائر الإلكترونية العامة، تُستخدم أنابيب MOS عادةً في دوائر مكبر الصوت أو دوائر التبديل. في دائرة منظم جهد مصدر الطاقة على اللوحة الأم، يتمثل دور MOSFET بشكل أساسي في الحكم على الإمكانات، والتي غالبًا ما يتم تمثيلها بـ "Q" بالإضافة إلى رقم على اللوحة الأم. 1. ما هي وظيفة أنبوب MOS؟ في الوقت الحاضر، لا يوجد عدد كبير جدًا من أنابيب MOS المستخدمة في اللوحات الأم أو بطاقات الرسومات، وعادة ما يكون حوالي 10. السبب الرئيسي هو أن معظم أنابيب MOS مدمجة في شرائح IC. نظرًا لأن أنبوب MOS يوفر بشكل أساسي جهدًا ثابتًا للملحقات، فإنه يتم استخدامه بشكل عام بالقرب من وحدة المعالجة المركزية وفتحة AGP وفتحة الذاكرة. من بينها، يتم ترتيب مجموعة من أنابيب MOS بالقرب من فتحات وحدة المعالجة المركزية وAGP، بينما يتم مشاركة مجموعة من أنابيب MOS بواسطة فتحة الذاكرة. تظهر أنابيب MOS بشكل عام على اللوحة الأم على شكل مجموعة من اثنين. 2. ما هي معلمات الأداء لأنبوب MOS؟ يمكن لأنابيب MOS عالية الجودة أن تتحمل قمم التيار الأعلى. في الظروف العادية، نحتاج إلى الحكم على جودة أنبوب MOS الموجود على اللوحة الأم، ويمكننا رؤية الحد الأقصى لقيمة التيار التي يمكن أن يتحملها. هناك العديد من العوامل التي تؤثر على جودة أنابيب MOS، مثل التيار الشديد والجهد الشديد. ومع ذلك، لا يمكن وضع علامة على العديد من المعلمات على أنبوب MOS، لذا بشكل عام يتم وضع علامة على طراز المنتج فقط على سطح أنبوب MOS. يمكننا البحث عن معلمات أداء محددة على الإنترنت وفقًا للنموذج. تجدر الإشارة أيضًا إلى أن درجة الحرارة تعد أيضًا معلمة أداء مهمة جدًا لأنابيب MOS. وهي تشمل بشكل أساسي درجة الحرارة المحيطة، ودرجة حرارة غلاف الأنبوب، ودرجة حرارة التخزين، وما إلى ذلك. مع زيادة تردد وحدة المعالجة المركزية، يزداد أيضًا التيار الذي يحتاج أنبوب MOS إلى تحمله، ومن الشائع جدًا توفير تيار يقارب 100 أمبير. وبطبيعة الحال، فإن الحرارة المتولدة عندما يمر مثل هذا التيار الضخم تجعل أنبوب MOS "حمى". من أجل سلامة أنابيب MOS، بدأت اللوحات الأم عالية الجودة أيضًا في تركيب المشتتات الحرارية لأنابيب MOS. كيف تعمل المحاثات وأنابيب MOS معًا؟ من خلال المقدمة أعلاه، نعلم أن أنبوب MOS يلعب دورًا في تنظيم نظام إمداد الطاقة بالكامل، لكن لا يمكن استخدام أنبوب MOS بمفرده. يجب أن يتم دمجه مع ملف الحث والمكثف وما إلى ذلك. لتشكيل دائرة منظم جهد المرشح لإفساح المجال كاملاً لمزاياها. تولد شريحة PWM (PlusWidthModulator، مُعدِّل عرض النبض) الموجودة على اللوحة الأم شكل موجة نبضية بعرض قابل للتعديل، بحيث يمكن تشغيل أنبوبي MOS بدوره. عندما ينخفض ​​الجهد عند طرفي الحمل (مثل الجهد الذي تتطلبه وحدة المعالجة المركزية)، يبدأ تأثير تبديل أنبوب MOS في التأثير، ويقوم مصدر الطاقة الخارجي بشحن المحث ويصل إلى الجهد المقنن المطلوب . عندما يرتفع الجهد عند طرفي الحمل، يتم فصل مصدر الطاقة الخارجي من خلال إجراء التبديل لأنبوب MOS، ويطلق المحث الطاقة المشحونة للتو. في هذا الوقت، يصبح المحث "مصدر طاقة" ويستمر في توفير الطاقة للحمل. مع الاستهلاك المستمر للطاقة المخزنة على المحث، يبدأ الجهد عبر الحمل في الانخفاض تدريجيًا، ويحتاج مصدر الطاقة الخارجي إلى الشحن مرة أخرى من خلال إجراء التبديل لأنبوب MOS. بهذه الطريقة، تتم عملية الشحن والتفريغ بشكل مستمر، وبالتالي تشكيل جهد مستقر، بحيث لا يزيد أو ينقص الجهد عبر الحمل أبدًا.