ترانزستورات التأثير الميداني (FETs) هي أجهزة شبه موصلة أحادية القطب، تستخدم تأثير المجال الكهربائي للتحكم في تدفق التيار. تتميز بمقاومة دخل عالية، وانخفاض مستوى الضوضاء، واستقرار حراري جيد، وسهولة تصنيعها. تُستخدم في الدوائر المتكاملة واسعة النطاق وكبيرة الحجم جدًا.

يُقال مبدأ عمل ترانزستور التأثير الميداني في جملة واحدة، وهو "يتم استخدام المعرف الذي يتدفق عبر القناة بين المصرف والمصدر للتحكم في المعرف عن طريق جهد البوابة المتحيز العكسي الذي يتكون من تقاطع pn بين البوابة والقناة". لكي نكون أكثر دقة، يتم التحكم في عرض المسار الذي يتدفق من خلاله المعرف، أي مساحة المقطع العرضي للقناة، من خلال التغيير في الانحياز العكسي للوصلة pn، مما يؤدي إلى تغيير في توسعة طبقة استنزاف.

في المنطقة غير المشبعة لـ VGS = 0، نظرًا لأن تمدد الطبقة الانتقالية ليس كبيرًا جدًا، وفقًا للمجال الكهربائي لـ VDS المطبق بين المصرف والمصدر، يتم سحب بعض الإلكترونات في منطقة المصدر بواسطة المصرف، أي ، من الصرف يتدفق المعرف الحالي إلى المصدر. تشكل الطبقة الانتقالية الممتدة من البوابة إلى المصرف جزءًا من القناة كنوع سد، ويكون المعرف مشبعًا. هذه الحالة تسمى قرصة قبالة. وهذا يعني أن الطبقة الانتقالية تحجب جزءًا من القناة، وليس التيار الذي يتم قطعه.

معلومات موسعة:

1. يمكن استخدام أنبوب التأثير الميداني للتضخيم. نظرًا لأن مقاومة الإدخال لمضخم FET عالية، فقد يكون مكثف الاقتران صغيرًا، ولا يكون المكثف الإلكتروليتي ضروريًا.

2. مقاومة المدخلات العالية لـ FET مناسبة جدًا لتحويل المعاوقة. غالبًا ما يتم استخدامه في مرحلة الإدخال لمكبر الصوت متعدد المراحل لتحويل المعاوقة.

3. يمكن استخدام FETs كمقاومات متغيرة.

4. يمكن استخدام FET بشكل ملائم كمصدر تيار ثابت.

5. يمكن استخدام FETs كمفاتيح إلكترونية.

كيف تعمل FETs

مبدأ عمل ترانزستور التأثير الميداني: يتم استخدام المعرف الذي يتدفق عبر القناة بين المصرف والمصدر للتحكم في المعرف عن طريق جهد البوابة المتحيز العكسي الذي يتكون من تقاطع pn بين البوابة والقناة.

ترانزستور التأثير المجالي (اختصارًا FET) ويُشار إليه بالاختصار FET. يوجد نوعان رئيسيان (ترانزستور التأثير المجالي الوصلي - JFET) وترانزستور التأثير المجالي شبه الموصل من أكسيد المعدن (FET شبه الموصل من أكسيد المعدن، ويُشار إليه بالاختصار MOS-FET). يُوصل بواسطة حاملات أغلبية، تُعرف أيضًا باسم الترانزستورات أحادية القطب.

إنه ينتمي إلى جهاز أشباه الموصلات الذي يتم التحكم فيه بالجهد. إنه يتميز بمزايا مقاومة المدخلات العالية (107 ~ 1015Ω) ، والضوضاء المنخفضة ، وانخفاض استهلاك الطاقة ، والنطاق الديناميكي الكبير ، والتكامل السهل ، وعدم وجود ظاهرة انهيار ثانوية ، ومنطقة عمل آمنة واسعة ، وما إلى ذلك ، وقد أصبح الآن ترانزستور ثنائي القطب قويًا و ترانزستور الطاقة. منافس.