12 באפריל, 2024 - על פי דיווח של המדיה הדרום קוריאנית Asiae ב-10 באפריל, סמסונג מתכננת להתחיל בייצור המוני של שבב ה-Exynos 2 הראשון שלה בתהליך 2600nm בנובמבר 2025. אם סדרת ה-Galaxy S26 תשלב בהצלחה את ה-Exynos 2600, סמסונג תוכל להציג לראווה את מקצועני הטכנולוגיה של ה-2nm שלה.

IT Home ציטט את הדו"ח, והדגיש את ההתקדמות הגדולה תחת האן ג'ינמן, ראש חטיבת היציקה החדש. תוך ארבעה חודשים בלבד ממועד מינויו, האן התמקד באופטימיזציה של תשואות הייצור וחידוד אסטרטגיות עסקיות. הוא שינה את קו התהליך של 2nm ואת הדגמים התפעוליים כדי לבסס את היתרון הטכנולוגי של סמסונג ולהרחיב את טווח השוק שלה.

האן גיוון באגרסיביות את בסיס הלקוחות של סמסונג - החל מענקיות צפון אמריקה ועד לחברות עיצוב בסין, הודו ואירופה - תוך הבטחת הזמנות צמתים בוגרות להפחתת עלויות קבועות ולשיפור התחרותיות בתהליכים מתקדמים.

ה-Exynos 2600 ממנף טכנולוגיית Gate-All-Around (GAA)., העולה על תהליכי FinFET מסורתיים. מבנה הטרנזיסטור בעל ארבעה צדדים של GAA מגביר את הביצועים ומפחית את צריכת החשמל, אידיאלי לדרישות שבבים בעלי ביצועים גבוהים.

סמסונג הייתה חלוצה בעבר בייצור 3nm GAA אך נאבקה בתשואות נמוכות, ולא הצליחה להחזיר את הפסדי היציקה שלה. על פי הדיווחים, תפוקת התהליך של 2nm זינק מ-20-30% בתחילת השנה ליותר מ-40%, עולה בהרבה על ביצועי ה-3 ננומטר שלו.

אנליסטים בתעשייה טוענים שאם ה-Exynos 2600 יופיע לראשונה ב-Galaxy S26, המיועד לרבעון הראשון של 1, זה יכול להחיות את עסקי היציקה של סמסונג ולמשוך לקוחות חיצוניים.

עם זאת, סמסונג עדיין נגררת הרחק מאחורי TSMC, המובילה בתעשייה. לפי הדיווחים, התשואה הראשונית של 2nm של TSMC הגיעה 60%, בעוד ייצור המוני דורש בדרך כלל תשואות יציבות של % 70-80. סמסונג חייבת לייעל עוד יותר את התהליך שלה במחצית השנייה של 2024 כדי לצמצם את הפער.

לפי נתוני TrendForce, TSMC החזיקה 67.1% של שוק היציקה העולמי ברבעון הרביעי של 4, בעוד חלקה של סמסונג ירד לחד-ספרתי 8.1%-שפל היסטורי.

בין אתגרים, האן ג'ינמן תעדף "קדמה טכנולוגית" ו "הרחבת לקוח" להניע טרנספורמציה של בית היציקה. למרות השמועות על יציאת סמסונג משוק היציקה, החברה אישרה מחדש את מחויבותה להמשך ההשקעה, במטרה להפוך לאמת מידה בתעשייה באמצעות אינטגרציה טכנולוגית.