מוקד שירות
מוצרים
מוצרים
MOSFET SiC
העכבה של שכבת הסחיפה של מכשירי SiC של סיליקון קרביד נמוכה מזו של מכשירי Si, וניתן להשיג מתח עמידות גבוה ועכבה נמוכה עם מבנה MOSFET ללא אפנון מוליכות. יתרה מכך, MOSFETs אינם מייצרים זרם זנב באופן עקרוני, כך שניתן להפחית באופן משמעותי את הפסדי המיתוג ולהשיג מזעור של רכיבי פיזור החום בעת החלפת IGBTs עם SiC-MOSFETs. בנוסף, תדר ההפעלה SiC-MOSFET יכול להיות גבוה בהרבה מה-IGBT, חלקי קבלי משרן המעגל שלו קטנים יותר, קל לממש את המערכת גודל ומשקל קטן. בהשוואה לאותו מתח של 600V ~ 900V Si-MOSFET, שטח שבב SiC-MOSFET קטן, ניתן להשתמש בו באריזות קטנות יותר, ואובדן התאוששות דיודות הגוף קטן מאוד. נכון לעכשיו, רכיבי SiC MOSFET משמשים בעיקר בספקי כוח תעשייתיים מתקדמים, ממירים וממירים מתקדמים, גרירה ובקרה של מנוע מתקדם וכו'.
SL19N120A מתח גבוה MOSFET TO-247-3
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N -width
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N -width |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
קווי המוצרים של SLKOR כוללים התקנים בדידים וכו', דיודות, טרנזיסטורים, התקני הספק; שבבי מעגלים משולבים וכו', וסתים ליניאריים, שבבי DC/DC, שבבי ממשק, חיישני הול, ADCs ו-BMS... יש לנו שנים של טכנולוגיה מצטברת בתחום מוליכים למחצה ייעודיים.
צריך עזרה? סרוק את הקוד עם הטלפון שלך כדי להתחיל לשוחח בצ'אט בוואטסאפ.
粤公网安备44030002007346号