समाचार
समाचार
【दैनिक हाइलाइट】MOSFETs SL5N100P की विशेषताएं और अनुप्रयोग
2024-03-07 604

5G तकनीक का तेजी से विकास संचार उद्योग को आगे बढ़ा रहा है, और 5G नेटवर्क के मुख्य उपकरण के रूप में 5G बेस स्टेशन एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। 5G बेस स्टेशन वायर्ड संचार नेटवर्क और वायरलेस टर्मिनलों के बीच कुशल और तेज़ वायरलेस सिग्नल ट्रांसमिशन को सक्षम करते हैं, जिससे लोगों को तेज़ और अधिक स्थिर संचार अनुभव मिलते हैं। 5G बेस स्टेशनों के निर्माण में, मैक्रो बेस स्टेशन और छोटे बेस स्टेशन अपरिहार्य भूमिका निभाते हैं, जो संयुक्त रूप से एक व्यापक कवरेज, उच्च क्षमता और उच्च गति वाले 5G नेटवर्क का निर्माण करते हैं। 5G बेस स्टेशनों में संचार उपकरणों की उच्च बिजली खपत के कारण, बिजली प्रणाली का डिज़ाइन विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। 5G बिजली आपूर्ति के निर्माण में, MOSFET का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। स्लकोर माइक्रो सेमीकंडक्टर (www.slkormicro.com) एक समृद्ध उत्पाद लाइन प्रदान करता है बिजली उपकरणों के संदर्भ में, कंपनी उच्च, मध्यम और निम्न-वोल्टेज MOSFETs, थाइरिस्टर, ब्रिज स्टैक बनाती है, और LDO, AC-DC, और ADC चिप श्रृंखला जैसे पावर प्रबंधन चिप्स के लिए व्यापक समाधान भी प्रदान करती है, जो बिजली प्रणालियों के डिज़ाइन में योगदान करते हैं। ये उत्पाद न केवल संचार के क्षेत्र में व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं, बल्कि 5G बेस स्टेशनों के निर्माण में भी महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं, जो 5G संचार उपकरणों के स्थिर संचालन के लिए विश्वसनीय समर्थन प्रदान करते हैं।


सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी नवाचार के लिए समर्पित एक उद्यम के रूप में, स्लकोर माइक्रो सेमीकंडक्टर एक अभिनव भावना का पालन करता है, जो बाजार की मांगों को पूरा करने और उद्योग विकास की दिशा का नेतृत्व करने के लिए लगातार अधिक उत्कृष्ट उत्पाद और समाधान लॉन्च करता है। बाजार की कड़ी प्रतिस्पर्धा में, स्लकोर माइक्रो सेमीकंडक्टर अपनी तकनीकी ताकत और नवाचार क्षमताओं के साथ ग्राहकों का बढ़ता विश्वास और समर्थन जीत रहा है।


स्लकोर माइक्रो सेमीकंडक्टर की उत्पाद श्रृंखला में एक मुख्य आकर्षण उच्च-वोल्टेज MOSFET उत्पाद SL5N100P है। SL5N100P एक एन-चैनल संरचना को अपनाता है, जिसमें 1000V तक का ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (Vdss), 5A का निरंतर ड्रेन करंट (Id), और 48W का पावर अपव्यय (Pd) होता है। ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDS(on)@Vgs,Id) केवल 4.2Ω है, और थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vgs(th)@Id) 3.5V@100μA है, जिसे TO-3PH में पैक किया गया है। ये पैरामीटर उच्च-वोल्टेज, मध्यम-वर्तमान और मध्यम-शक्ति अनुप्रयोगों में SL5N100P के उत्कृष्ट प्रदर्शन को प्रदर्शित करते हैं।

अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन मापदंडों के अलावा, SL5N100P में कई अनूठी विशेषताएं भी हैं। सबसे पहले, इसमें अत्यधिक उच्च डीवी/डीटी क्षमता है, जो उच्च आवृत्तियों पर स्थिर संचालन को सक्षम बनाती है। इसकी अल्ट्रा-लो आंतरिक कैपेसिटेंस स्विचिंग हानि को कम करने और सिस्टम दक्षता में सुधार करने में मदद करती है। 100% हिमस्खलन परीक्षण से गुजरने वाले डिज़ाइन के साथ, यह उच्च विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करता है, जिससे कठोर वातावरण में भी सामान्य संचालन की अनुमति मिलती है।


अनुप्रयोगों के संदर्भ में, SL5N100P मुख्य रूप से विभिन्न स्विचिंग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है। चाहे औद्योगिक नियंत्रण प्रणाली हो, स्विच-मोड बिजली आपूर्ति, बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में इनवर्टर, या संचार और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में बिजली प्रबंधन मॉड्यूल, SL5N100P अच्छा प्रदर्शन कर सकता है, उपकरण के कुशल संचालन को सक्षम करने के लिए स्थिर और विश्वसनीय बिजली समर्थन प्रदान कर सकता है।

1709265482115.jpg

SL5N100P एक उत्कृष्ट क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है। भविष्य में, स्लकोर माइक्रो सेमीकंडक्टर नवाचार और पेशेवर ताकत की अपनी सतत भावना के साथ उत्कृष्ट उत्पाद और समाधान पेश करना जारी रखेगा, ग्राहकों के लिए अधिक मूल्य पैदा करेगा, वैश्विक ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता, उच्च प्रदर्शन वाले सेमीकंडक्टर उत्पाद प्रदान करेगा और प्रगति में योगदान देगा। बुद्धिमान प्रौद्योगिकी का विकास.

whatsapp

सेवा हॉटलाइन

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950