Hotline Layanan
Berita
Berita
Prinsip kerja tabung efek medan
2022-03-17
337
Prinsip kerja transistor efek medan
Transistor efek medan adalah transistor efek medan. Konduksi panas pembawa minoritas juga disebut transistor sambungan multipol. Milik bagian semi-superkonduktor yang dikontrol tegangan. Ini memiliki keunggulan resistansi keluaran tinggi (10 8 ~ 10 9 Ω), kebisingan rendah, konsumsi daya rendah, rentang statis besar, integrasi mudah, tidak ada kerusakan sekunder, dan wilayah laut luas untuk asuransi. Transistor bipolar dan transistor sambungan daya telah menjadi mitra yang lebih kuat.
??Karakteristik FET
Pertama, FET adalah perangkat pengontrol tegangan, dan ID-nya (drain DC) dikendalikan oleh VGS (tegangan sumber gerbang);
Kedua, keluaran elektroda DC FET sangat kecil, sehingga resistansi keluarannya sangat besar.
Ketiga, pembawa minoritas digunakan untuk menghantarkan panas, sehingga stabilitas pengukuran lebih baik;
Keempat, koefisien reduksi listrik saluran reduksi yang dibentuknya lebih kecil dibandingkan koefisien reduksi listrik yang dibentuk oleh triode;
Kelima, FET memiliki ketahanan radiasi yang kuat;
Keenam: karena tidak ada kebisingan tersebar yang ditimbulkan oleh anak-anak minoritas yang tersebar, karena kebisingannya rendah.
??Prinsip tugas transistor efek medanSingkatnya, prinsip tugas FET adalah "ID sumber saluran yang melintasi saluran, yang digunakan untuk menangkap ID tegangan elektroda berlawanan yang dibentuk oleh pn antara elektroda dan saluran". Lebih tepatnya, amplitudo ID yang melintasi rangkaian, yaitu luas penampang saluran, adalah penyebab perubahan kebalikan dari sambungan pn dan perluasan serta perubahan lapisan penipisan. Pada wilayah laut non-penuh dengan VGS=0, lapisan transisi yang ditunjukkan tidak banyak meluas. Menurut medan magnet VDS yang diterapkan antara saluran dan sumber, beberapa elektron di wilayah laut sumber ditarik oleh saluran, yaitu terdapat aktivitas ID arus searah dari saluran ke sumber. Lapisan moderat yang meluas dari gerbang ke saluran pembuangan akan memblokir seluruh saluran, dan ID akan penuh. Bentuk ini disebut pinch-off. Ini berarti lapisan transisi memblokir seluruh saluran dan arus searah tidak terputus.
Karena tidak ada pergerakan elektron dan lubang pada lapisan transisi positif, lapisan ini sebenarnya terisolasi, dan arus searah sulit untuk bergerak. Namun, medan magnet antara saluran dan sumber sebenarnya berarti bahwa dua lapisan transisi bersentuhan dengan bagian bawah saluran dan gerbang, karena elektron berkecepatan tinggi yang ditarik oleh medan magnet melayang melewati lapisan transisi. Karena kekuatan medan magnet drift hampir tidak berubah, seluruh adegan ID muncul. Kedua, VGS berubah ke posisi negatif, sehingga VGS=VGS (tertutup). Pada saat ini, lapisan transisi umumnya akan mengubah bentuk seluruh wilayah laut. Selain itu, sebagian besar medan magnet VDS diterapkan pada lapisan transisi, dan medan magnet yang menarik elektron ke posisi melayang tidak dapat menghentikan daya DC selama dekat dengan seluruh sumber.
Transistor efek medan adalah transistor efek medan. Konduksi panas pembawa minoritas juga disebut transistor sambungan multipol. Milik bagian semi-superkonduktor yang dikontrol tegangan. Ini memiliki keunggulan resistansi keluaran tinggi (10 8 ~ 10 9 Ω), kebisingan rendah, konsumsi daya rendah, rentang statis besar, integrasi mudah, tidak ada kerusakan sekunder, dan wilayah laut luas untuk asuransi. Transistor bipolar dan transistor sambungan daya telah menjadi mitra yang lebih kuat.
Pertama, FET adalah perangkat pengontrol tegangan, dan ID-nya (drain DC) dikendalikan oleh VGS (tegangan sumber gerbang);
Kedua, keluaran elektroda DC FET sangat kecil, sehingga resistansi keluarannya sangat besar.
Ketiga, pembawa minoritas digunakan untuk menghantarkan panas, sehingga stabilitas pengukuran lebih baik;
Keempat, koefisien reduksi listrik saluran reduksi yang dibentuknya lebih kecil dibandingkan koefisien reduksi listrik yang dibentuk oleh triode;
Kelima, FET memiliki ketahanan radiasi yang kuat;
Keenam: karena tidak ada kebisingan tersebar yang ditimbulkan oleh anak-anak minoritas yang tersebar, karena kebisingannya rendah.
??Prinsip tugas transistor efek medanSingkatnya, prinsip tugas FET adalah "ID sumber saluran yang melintasi saluran, yang digunakan untuk menangkap ID tegangan elektroda berlawanan yang dibentuk oleh pn antara elektroda dan saluran". Lebih tepatnya, amplitudo ID yang melintasi rangkaian, yaitu luas penampang saluran, adalah penyebab perubahan kebalikan dari sambungan pn dan perluasan serta perubahan lapisan penipisan. Pada wilayah laut non-penuh dengan VGS=0, lapisan transisi yang ditunjukkan tidak banyak meluas. Menurut medan magnet VDS yang diterapkan antara saluran dan sumber, beberapa elektron di wilayah laut sumber ditarik oleh saluran, yaitu terdapat aktivitas ID arus searah dari saluran ke sumber. Lapisan moderat yang meluas dari gerbang ke saluran pembuangan akan memblokir seluruh saluran, dan ID akan penuh. Bentuk ini disebut pinch-off. Ini berarti lapisan transisi memblokir seluruh saluran dan arus searah tidak terputus.
Karena tidak ada pergerakan elektron dan lubang pada lapisan transisi positif, lapisan ini sebenarnya terisolasi, dan arus searah sulit untuk bergerak. Namun, medan magnet antara saluran dan sumber sebenarnya berarti bahwa dua lapisan transisi bersentuhan dengan bagian bawah saluran dan gerbang, karena elektron berkecepatan tinggi yang ditarik oleh medan magnet melayang melewati lapisan transisi. Karena kekuatan medan magnet drift hampir tidak berubah, seluruh adegan ID muncul. Kedua, VGS berubah ke posisi negatif, sehingga VGS=VGS (tertutup). Pada saat ini, lapisan transisi umumnya akan mengubah bentuk seluruh wilayah laut. Selain itu, sebagian besar medan magnet VDS diterapkan pada lapisan transisi, dan medan magnet yang menarik elektron ke posisi melayang tidak dapat menghentikan daya DC selama dekat dengan seluruh sumber.
Telp Perusahaan: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
Surel: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Manajer Li
QQ: 332496225 Manajer Qiu
Alamat: Kamar 809, Blok C, Gedung Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Distrik Baru Longhua, Shenzhen
粤公网安备44030002007346号