Principe de fonctionnement du tube à effet de champ

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2022-03-17 337

Principe de fonctionnement du transistor à effet de champ

Un transistor à effet de champ est un transistor à effet de champ. La conduction thermique des porteurs minoritaires est également appelée transistor à jonction multipolaire. Appartenant à des pièces semi-supraconductrices contrôlées en tension. Il présente les avantages d'une résistance de sortie élevée (10 8 ~ 10 9 Ω), d'un faible bruit, d'une faible consommation d'énergie, d'une large plage statique, d'une intégration facile, d'aucune panne secondaire et d'une large zone maritime pour l'assurance. Le transistor bipolaire et le transistor à jonction de puissance sont devenus des partenaires plus solides.

??Caractéristiques du FET

Premièrement, le FET est un dispositif de contrôle de tension, et son ID (drain DC) est contrôlé par VGS (tension grille-source) ;

Deuxièmement, l'électrode CC de sortie du FET est très petite, donc sa résistance de sortie est très grande.

Troisièmement, le porteur minoritaire est utilisé pour conduire la chaleur, la stabilité de la mesure est donc meilleure ;

Quatrièmement, le coefficient de réduction électrique du canal de réduction formé par celui-ci est inférieur à celui du canal de réduction formé par la triode ;

Cinquièmement, le FET a une forte résistance aux radiations ;

Sixièmement : parce qu'il n'y a pas de bruit dispersé généré par les enfants dispersés des minorités, parce que le bruit est faible.

??Principe de fonctionnement du transistor à effet de champEn bref, le principe de tâche du FET est « l'ID du drain-source traversant le canal, qui est utilisé pour saisir l'ID de la tension d'électrode opposée formée par le pn entre l'électrode et le canal ». Plus précisément, l'amplitude du ID traversant le circuit, c'est-à-dire la section transversale du canal, est la cause du changement opposé de la jonction pn et de l'expansion et du changement de la couche d'appauvrissement. Dans la zone non pleine mer avec VGS=0, la couche de transition indiquée ne s'étend pas beaucoup. Selon le champ magnétique VDS appliqué entre le drain et la source, certains électrons dans la zone maritime source sont éloignés par le drain, c'est-à-dire qu'il existe une activité d'identification en courant continu du drain à la source. La couche modérée qui s'étend de la porte au drain bloquera tout le canal et l'ID sera plein. Cette forme est appelée pincement. Cela signifie que la couche de transition bloque tout le canal et que le courant continu n'est pas coupé.

Parce qu'il n'y a pas de mouvement automatique des électrons et des trous dans la couche de transition positive, elle est en fait isolée et il est difficile pour le courant continu de se déplacer. Cependant, le champ magnétique entre le drain et la source signifie en réalité que les deux couches de transition entrent en contact avec la partie inférieure du drain et de la grille, car les électrons à grande vitesse attirés par le champ magnétique de dérive traversent la couche de transition. Parce que la force du champ magnétique de dérive change à peine, toute la scène d’ID apparaît. Deuxièmement, VGS passe en position négative, de sorte que VGS=VGS (fermé). À ce moment-là, la couche de transition changera généralement la forme de l’ensemble de la zone maritime. De plus, la majeure partie du champ magnétique du VDS est appliquée à la couche de transition, et le champ magnétique qui attire les électrons vers la position de dérive ne peut pas arrêter l'alimentation CC tant qu'il est proche de la totalité de la source.

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