ไดโอดป้องกันแรงดันไฟกระชาก M4SMF24A

หน้าแรก หมวดหมู่สินค้า ไดโอด ทีวีเอสไดโอด

M4SMF24A ไดโอด TVS SOD-123FL

M4SMF24A เป็นอุปกรณ์ป้องกันแรงดันไฟกระชากชั่วขณะ (TVS) แบบติดตั้งบนพื้นผิวทิศทางเดียว บรรจุภัณฑ์ SOD-123FL มีกำลังไฟสูงสุด 4500 วัตต์ ภายใต้รูปคลื่นแรงดันไฟกระชาก 8/20 ไมโครวินาที ออกแบบมาเพื่อปกป้องวงจรอิเล็กทรอนิกส์จาก ESD แรงดันไฟกระชากจากฟ้าผ่า และแรงดันไฟเกินชั่วขณะ

ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูล ปรึกษาออนไลน์

รายละเอียดสินค้า เอกสารผลิตภัณฑ์

รายละเอียด

คุณสมบัติ

กำลังส่งสูงสุดแบบพัลส์ 4500 วัตต์ สำหรับรูปคลื่นกระชากมาตรฐาน 8/20 ไมโครวินาที
พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า: VRWM=24V, VBR=26.7~29.5V @ 1mA, IR≤1μA @ 24V, VC=40V @ 200A
เวลาตอบสนองที่รวดเร็วเป็นพิเศษ น้อยกว่า 1 พิโควินาที และการออกแบบที่มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำ
ประสิทธิภาพการหน่วงแรงดันไฟฟ้าชั่วขณะที่ยอดเยี่ยม
แพ็คเกจ SMD ขนาดกะทัดรัดและบาง สำหรับการประกอบแบบติดตั้งบนพื้นผิว

เราได้เปรียบ

อัตรากำลังไฟฟ้ากระชากสูงช่วยปกป้องอุปกรณ์จากกระแสไฟกระชากรุนแรงได้อย่างมีประสิทธิภาพ
การตอบสนองที่รวดเร็วช่วยระงับแรงดันไฟฟ้ากระชากอย่างฉับพลันได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ขนาดกะทัดรัดช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก
กระแสไฟรั่วต่ำมากช่วยลดการใช้พลังงานในโหมดสแตนด์บาย
บรรจุภัณฑ์แบบเทปและม้วนมาตรฐานนั้นเข้ากันได้กับการผลิต SMT ความเร็วสูงอัตโนมัติ

ข้อมูลเครื่องกล

บรรจุภัณฑ์: SOD-123FL พลาสติกขึ้นรูป มีคุณสมบัติหน่วงไฟตามมาตรฐาน UL94V-0
แถบสีใช้เพื่อระบุขั้วแคโทด
น้ำหนักต่อชิ้นโดยประมาณ: 0.07 กรัม
อุณหภูมิใช้งานของจุดเชื่อมต่อ: -55℃ ถึง +125℃; อุณหภูมิในการจัดเก็บ: -55℃ ถึง +150℃
เป็นไปตามข้อกำหนดด้านความไวต่อความชื้นของ MSL 1

การใช้งาน

ระบบคอมพิวเตอร์ เครื่องใช้ในครัวเรือน โมดูลรับสัญญาณวิดีโอ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับยานยนต์ อุปกรณ์ควบคุมอุตสาหกรรม และอุปกรณ์สื่อสาร

ชื่อ

หัวข้อ

คำอธิบาย

M4SMF24A SOD-123FL.pdf

เอกสารข้อมูล

การสนับสนุน

สายด่วนบริการ

tel: +86 755 83044319

Whatsapp:+8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

สายผลิตภัณฑ์ของ SLKOR รวมถึงอุปกรณ์แยกส่วน เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า; และชิปวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมเชิงเส้น ชิป DC/DC ชิปอินเทอร์เฟซ เซ็นเซอร์ฮอลล์ ADC และ BMS... เรามีเทคโนโลยีที่สั่งสมมาหลายปีบนเซมิคอนดักเตอร์เฉพาะทาง