สายด่วนบริการ
ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
ไดโอดฟื้นฟูเร็ว
โครงสร้างภายในของไดโอดฟื้นฟูเร็ว (Fast Recovery Diode) แตกต่างจากไดโอดรอยต่อพีเอ็น (PN Junction Diode) ทั่วไป โดยจัดอยู่ในประเภทไดโอดรอยต่อพีไอเอ็น (PIN Junction Diode) กล่าวคือ มีการเพิ่มบริเวณฐาน I อยู่ตรงกลางระหว่างวัสดุซิลิคอนชนิดพี (P-type) และวัสดุซิลิคอนชนิดเอ็น (N-type) เพื่อสร้างเป็นเวเฟอร์ซิลิคอนแบบพีไอเอ็น (PIN Silicon Wafer) เนื่องจากบริเวณฐานมีความบางมาก ประจุฟื้นฟูย้อนกลับ (Reverse Recovery Charge) จึงมีค่าน้อยมาก ส่งผลให้เวลาฟื้นฟูย้อนกลับ (Reverse Recovery Time) ของไดโอดฟื้นฟูเร็วสั้นลง แรงดันตกในทิศทางนำ (Forward Voltage Drop) ต่ำลง และแรงดันพังทลายย้อนกลับ (Reverse Breakdown Voltage หรือค่าความทนแรงดัน) สูงขึ้น
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
สายผลิตภัณฑ์ของ SLKOR รวมถึงอุปกรณ์แยกส่วน เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า; และชิปวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมเชิงเส้น ชิป DC/DC ชิปอินเทอร์เฟซ เซ็นเซอร์ฮอลล์ ADC และ BMS... เรามีเทคโนโลยีที่สั่งสมมาหลายปีบนเซมิคอนดักเตอร์เฉพาะทาง
ต้องการความช่วยเหลือ? สแกนโค้ดด้วยโทรศัพท์ของคุณเพื่อเริ่มแชทบน WhatsApp
粤公网安备44030002007346号