ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
ไดโอดกู้คืนอย่างรวดเร็ว โครงสร้างภายในของไดโอดกู้คืนอย่างรวดเร็วนั้นแตกต่างจากไดโอดแยก PN ธรรมดาซึ่งเป็นของไดโอดแยก PIN นั่นคือพื้นที่ฐานที่ฉันถูกเพิ่มเข้าไปตรงกลางของวัสดุซิลิกอนชนิด P และวัสดุซิลิกอนชนิด N เพื่อสร้าง PIN เวเฟอร์ซิลิคอน เนื่องจากบริเวณฐานบางมาก ประจุการกู้คืนแบบย้อนกลับจึงมีน้อยมาก ดังนั้นเวลาในการฟื้นตัวแบบย้อนกลับของไดโอดการกู้คืนแบบเร็วจึงสั้นกว่า แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้าต่ำกว่า และแรงดันพังทลายแบบย้อนกลับ (ค่าทนต่อแรงดันไฟฟ้า) จะสูงกว่า
RS2M ไดโอดกู้คืนอย่างรวดเร็ว SMA VRRM(V):1000V IO(A):2A VF(V):1.3V IR(A):5μA trr(ns):500ns Package:SMA
200V 1A 1V 5μA 35ns SMAF
200V 1A 1.3V 5.0mA 150ns SOD-123FL
600V 1.0A 1.3V 5.0mA 250ns SOD-123FL
1000V 1A 1.3V 5μA 500ns SOD-123FL
200V 2A 1.3V 5μA 150ns SMA
600V 2A 1.3V 5μA 250ns SMA
1000V 2A 1.3V 5μA 500ns SMA
1000V 2A 1.3V 5μA 500ns SOD-123FL
1000V 5A 1.3V 10μA 500ns SMB
200V 1A 1V 5μA 50ns SOD-123FL
600V 1A 1.3V 5μA 75ns SOD-123FL
1000V 1A 1.7V 5uA 75ns SMA
1000V 1.0A 1.3V 5.0mA 500ns SOD-123FL
400V 2A 1.25V 5uA 35ns SMA
1000V 1A 1.3V 5μA 500ns SOD-323
400V 5A 0.92V 0.01μA 30ns TO-220F
400V 2A 1.3V 5μA 50ns SMA
null null 1.25V 5uA 35ns SMA
1000V 2A 1.7V 5μA 75ns SMA
200V 3A 1.25V 5μA 35ns SMC
whatsapp

บริการสายด่วน

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950