3 boyutlu animasyon açıklaması: Transistörün çalışma prensibi nihayet şok oldu. Öz

Ana Sayfa Haberler Günlük Öne Çıkanlar 3 boyutlu animasyon açıklaması: Transistörün çalışma prensibi nihayet şok oldu. Öz

2022-03-17 1376

1947'de Amerikalı fizikçiler Shockley, Badin ve Bratton, üç mafsallı yarı iletken katı bir eleman olan transistörü ortaklaşa icat ettiler.

Görsel

Transistörlerin düşük güç tüketimi, küçük boyutları, nispeten ucuz fiyatı ve esnek bağlantı modu özelliklerine sahip olması nedeniyle, transistörlerin ortaya çıkmasıyla birlikte, başta darbe devreleri ve dijital devreler olmak üzere elektronik devrelerde daha önce gerçekleştirilemeyen birçok fonksiyon gerçekleştirilmiştir. Hadi bir bakalım. Aşağıdaki video sezgisel ve ayrıntılıdır ve popüler bilimi öğrenmek için mükemmel bir çalışmadır. Bir göz atmanızı öneririm (çeviri ile birlikte)!(Video kaynağı: TEDEd, çeviri: @turboxiaozhou)

Aşağıdaki animasyon LearnEngineering tarafından yapılmıştır. Videoda transistörün çalışma prensibini sezgisel olarak öğrenebiliyoruz. Transistörün üç kutbu vardır; Bipolar transistörün üç kutbu sırasıyla N tipi ve P tipi Verici, Taban ve Kollektörden oluşur; Alan etkili transistörün üç kutbu Kaynak, Geçit ve Tahliye'dir.
Transistörler başlıca MOSFET, IGBT, Bipolar transistör, bipolar (triyot olarak da adlandırılır) vb. gibi transistörlerdir. Bu üç transistörün pazardaki rekabet düzeni açısından, triyot pazarı nispeten dağınıktır. Düşük fiyatları nedeniyle fiyata duyarlı ve endüktif yük odaklı gibi birkaç uygulamada hala belirli bir talep var. Bununla birlikte, triyotların yüksek güç tüketimi ve diğer problemler nedeniyle, küresel enerji tasarrufu ve emisyon azaltımı ortamında pazar ölçeği düşme eğilimindedir ve yerini MOSFET almaktadır.

Talaş kesiti

Transistör, elektronik devrelerin temel bileşenidir. Yaygın transistörler arasında MOSFET ve IGBT bulunur. IGBT, basit sürüş, iyi yüksek frekans karakteristikleri ve çift yönlü iletkenlik özelliklerine sahiptir. Genellikle yüksek frekanslı ve düşük güçlü çalışma ortamlarında kullanılır ve tüketici elektroniği, iletişim, endüstriyel kontrol ve otomotiv elektroniği alanlarında yaygın olarak kullanılır. IGBT, yüksek anahtarlama frekansı, yüksek gerilim direnci ve değişken gerilim özelliklerine sahiptir. Genellikle düşük frekanslı ve yüksek güçlü çalışma ortamları için uygundur ve invertör, frekans dönüştürücü, güç anahtarı ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılır. Elektronik endüstrisinde "CPU" olarak adlandırılır.

Çipte 10 milyardan fazla transistör bulunabilir. Bu kadar çok transistör nasıl var olabilir? Çip sürekli büyütüldüğünde bir mucize görüyoruz: Bu, CPU'nun içindeki katmanlı yapıyı açıkça görebilen Yukarıdan Aşağıya Görünüm SEM fotoğrafıdır. Çizgi genişliği ne kadar düşük olursa o kadar dar olur ve cihaz katmanına o kadar yakın olur.

Bu CPU'nun kesit görünüşüdür. Katmanlı CPU yapısını açıkça görebilirsiniz. Çip hiyerarşik bir şekilde düzenlenmiştir. Bu CPU'nun yaklaşık 10 katmanı vardır. En alttaki katman MOSFET transistörü olan cihaz katmanıdır.

Çipte Mos tüpü büyütüldüğünde "platform" gibi üç boyutlu bir yapı görülebiliyor ve transistörün endüktansı, direnci ve ısı üretmesi kolay diğer cihazları yok. Üst katman, alt platformdan bir yalıtkanla ayrılan düşük dirençli bir elektrottur. Genellikle kapının hammaddesi olarak P tipi veya N tipi polisilikon kullanılır ve alt izolatör silikon dioksittir.

Platformun iki tarafı, yabancı maddelerin eklenmesiyle kaynak ve drenajdır ve konumları değiştirilebilir. Aralarındaki mesafe çipin özelliklerini belirleyen kanaldır.

Cerebras Systems'den 2.6 trilyon transistörlü çip

Elbette çipteki transistörler sadece Mos transistörleri değil aynı zamanda tri-gate transistörleridir. Transistörler takılmaz ancak çip üretildiğinde oyulur.

Yasal Uyarı: Bu makale "Semiconductor Online"dan kopyalanmıştır. Bu makale yalnızca yazarın kişisel görüşlerini temsil eder ve Sacco Micro ve sektörün görüşlerini temsil etmez. Fikri mülkiyet haklarının korunmasını desteklemek amacıyla yalnızca yeniden basılması ve paylaşılması içindir. Lütfen yeniden basarken orijinal kaynağı ve yazarını belirtin. Herhangi bir ihlal varsa, silmek için lütfen bizimle iletişime geçin.

Şirket Tel: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Yönetici Li
QQ: 332496225 Yönetici Qiu
Adres: Oda 809, Blok C, Zhantao Teknoloji Binası, No.1079 Minzhi Bulvarı, Longhua Yeni Bölgesi, Shenzhen

Slkor Micro Semiconductor, tristörlü ısıtma cihazı için yeni bir faydalı model patenti aldı.

Slkor, 20 Popüler Modeli Ücretsiz Sunuyor – Yerli Üretimde Değişim İçin Fırsatı Yakalıyor