Объяснение в 3D-анимации: Принцип работы транзистора был наконец шокирован. Сущность

Главная Новости Ежедневное событие Объяснение в 3D-анимации: Принцип работы транзистора был наконец шокирован. Сущность

2022-03-17 1380

В 1947 году американские физики Шокли, Бадин и Брэттон совместно изобрели транзистор — полупроводниковый твёрдый элемент с тремя стержнями.

Поскольку транзисторы обладают характеристиками низкого энергопотребления, небольшого размера, относительно низкой цены и гибкого режима подключения, после появления транзисторов многие функции, которые раньше не могли быть реализованы, были реализованы в электронных схемах, особенно в импульсных схемах и цифровых схемах. Давайте взглянем. Следующее видео интуитивно понятно и подробно и является отличным пособием для изучения популярной науки. Предлагаю посмотреть (с переводом)!(Источник видео: TEDEd, перевод: @turboxiaozhou)

Следующая анимация создана компанией LearnEngineering. В видео мы можем интуитивно узнать принцип работы транзистора. Транзистор имеет три полюса; Три полюса биполярного транзистора состоят из эмиттера, базы и коллектора N-типа и P-типа соответственно; Три полюса полевого транзистора — это исток, затвор и сток.
Транзисторы в основном включают МОП-транзисторы, БТИЗ, биполярные транзисторы (также называемые триодами) и т. д. С точки зрения рыночной конкуренции этих трех транзисторов, рынок триодов относительно разбросан. Из-за их низкой цены все еще существует определенный спрос в некоторых приложениях, таких как чувствительные к цене и управляемые индуктивной нагрузкой. Однако из-за высокого энергопотребления триодов и других проблем в глобальной среде энергосбережения и сокращения выбросов его рыночный масштаб имеет тенденцию к снижению, и его заменяют MOSFET.

Сечение чипа

Транзистор – основной компонент электронной схемы. К основным транзисторам относятся MOSFET и IGBT. Первый отличается простотой управления, хорошими высокочастотными характеристиками и двунаправленной проводимостью. Он в основном используется в высокочастотных и маломощных рабочих средах и широко применяется в бытовой электронике, системах связи, промышленной автоматике и автомобильной электронике. IGBT обладает высокой частотой переключения, высокой устойчивостью к перепадам напряжения и способностью к изменению напряжения. Он в основном подходит для работы в условиях низких частот и высокой мощности и широко используется в инверторах, преобразователях частоты, силовых выключателях и других областях. В электронной промышленности он называется «процессором».

В чипе может быть более 10 миллиардов транзисторов. Как может существовать так много транзисторов? Когда чип постоянно увеличивается, мы видим чудо: это фотография SEM сверху вниз, на которой четко видна многоуровневая структура внутри процессора. Чем меньше ширина линии, тем она уже и тем ближе к слою устройства.

Это вид процессора в разрезе. Вы можете ясно видеть многоуровневую структуру процессора. Чип устроен иерархически. Этот процессор имеет около 10 слоев. Самый нижний уровень — это уровень устройства, который представляет собой МОП-транзистор.

Когда Mos-трубка в чипе увеличена, можно увидеть трехмерную структуру, подобную «платформе», и транзистор не имеет индуктивности, сопротивления и других устройств, которые легко выделяют тепло. Верхний слой представляет собой низкоомный электрод, отделенный от нижней площадки изолятором. Обычно в качестве сырья для затвора используется поликремний P-типа или N-типа, а нижний изолятор — диоксид кремния.

Две стороны платформы являются источником и стоком за счет добавления примесей, и их положения можно менять местами. Расстояние между ними и есть канал, определяющий характеристики чипа.

Чип с 2.6 триллионами транзисторов от Cerebras Systems

Разумеется, транзисторы в чипе — это не только МОП-транзисторы, но и трехзатворные транзисторы. Транзисторы не устанавливаются, а вырезаются при изготовлении чипа.

Отказ от ответственности: Эта статья воспроизведена из «Semiconductor Online». Эта статья отражает только личную точку зрения автора и не отражает точку зрения Sacco Micro и отрасли. Он предназначен только для перепечатки и распространения в целях защиты прав интеллектуальной собственности. При перепечатке просьба указывать первоисточник и автора. Если есть какие-либо нарушения, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы удалить их.

Тел. компании: +86-0755-83044319
Факс/факс:+86-0755-83975897
Почта: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Менеджер Ли
QQ: 332496225 Менеджер Цю
Адрес: комната 809, блок C, здание Zhantao Technology Building, проспект Минчжи № 1079, новый район Лунхуа, Шэньчжэнь.

Компания Slkor Micro Semiconductor получила новый патент на полезную модель тиристорного нагревательного устройства.

Компания Slkor предлагает 20 популярных моделей бесплатно – воспользовавшись моментом для замены устаревших моделей на рынке бытовой техники.