Khi các liên kết nối tiếp như USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 và SerDes 16 Gbps đẩy tốc độ dữ liệu đầu cuối đơn lên trên 20 Gb/giây, bất kỳ thiết bị ESD nào có điện dung vượt quá 0.3 pF sẽ hoạt động như một cuộn cảm ẩn làm chậm các cạnh. Điốt TVS đơn hướng SLPESDMC2FD5VB của Slkor kết hợp điện dung tiếp giáp điển hình là 0.25 pF với mức kẹp 13 V, điện áp làm việc ngược (VRWM) 5 V và điện áp đánh thủng tối thiểu (VBR) 6 V để cung cấp khả năng bảo vệ tĩnh điện gần như "không tải bổ sung" trên các đường dây đầu cuối đơn hoặc vi sai tốc độ cao 5 V, trong khi rò rỉ ngược của nó chỉ là 100 nA—giúp các thiết bị di động và thiết bị đeo có thời gian chờ lâu hơn nữa.

Nhiệm vụ: chặn các xung ESD, CDE hoặc EFT chỉ vài nano giây trước khi chúng đến I/O của IC và chuyển hướng năng lượng của chúng xuống mặt đất, hoạt động như một "cầu chì vô hình" giữa hệ thống tốc độ cao và thế giới bên ngoài khắc nghiệt. Các giải pháp truyền thống đánh đổi khả năng xử lý công suất cao hơn để lấy điện dung lớn hơn, biểu đồ mắt sụp đổ; SLPESDMC2FD5VB cân bằng công suất xung đỉnh 88 W (8/20 μs) với điện dung 0.25 pF thông qua quy trình giếng sâu độc quyền của Slkor, biến nó thành thiết bị bảo vệ im lặng lý tưởng cho điện thoại thông minh, máy tính bảng, máy tính xách tay, camera ô tô và tai nghe AR/VR.

Một cửa sổ bảo vệ được điều chỉnh chính xác
Điện áp làm việc ngược VRWM = 5 V
Sự cố ngược tối thiểu VBR = 6 V
Cửa sổ này đảm bảo rằng các tín hiệu 5 V bình thường không bao giờ bị nhiễu, nhưng thiết bị vẫn kẹp đáng tin cậy dưới mức phóng điện không khí ±15 kV và mức phóng điện tiếp xúc ±8 kV (IEC 61000-4-2 Cấp độ 4) và các xung EFT 40 A, 5/50 ns, bao phủ đầy đủ thông số kỹ thuật điện của USB-C SuperSpeed, DisplayPort AUX, dải bên PCIe và các giao diện 5 V khác.

Điện áp kẹp thấp 13 V
Ở mức 1 A, 8/20 μs, VC kẹp điển hình là 13 V; ở mức 4 A, nó chỉ tăng lên 22 V—thấp hơn nhiều so với mức định mức thoáng qua 20 V+ của các quy trình CMOS 5 V, giúp giảm thiểu ứng suất quá mức và ngăn ngừa hư hỏng oxit cổng tiềm ẩn.

Điện dung tiếp giáp 0.25 pF—thấp hơn 30% so với các sản phẩm chính thống
CJ = 0.25 pF điển hình (@ VR = 0 V, f = 1 MHz, tối đa 0.4 pF)

suy hao chèn < –0.15 dB và suy hao phản hồi < –25 dB ở tần số 20 GHz giúp các cạnh đơn sắc nét và mở rộng tầm nhìn trên 10 Gbps.

Rò rỉ cực thấp 100 nA
IR = 100 nA điển hình (@ VR = 5 V, 25 °C) và duy trì dưới 500 nA ở 85 °C, giúp tăng thêm vài phút sử dụng pin quý giá cho điện thoại, tai nghe TWS và thiết bị đeo được phải hoạt động 24/7.

Gói siêu mỏng DFN1006
Với kích thước chỉ 1.0 mm x 0.6 mm x 0.5 mm, sản phẩm chiếm ít diện tích PCB hơn 60% so với SOT-23; chiều cao 0.5 mm dễ dàng trượt dưới lưỡi USB-C. Một cánh quạt khuôn tiếp xúc với tâm tạo ra đường dẫn tiếp đất ngắn nhất có thể, cắt giảm độ tự cảm vòng lặp và tăng tốc độ phóng điện ESD. Đầu nối Ni/Pd/Au tương thích với hàn chảy không chì, và băng keo cuộn 7 inch chứa 10 kpcs cho các đường hàn gắp và đặt tốc độ cao.

Các ứng dụng tiêu biểu
? Di động: Cổng USB-C SuperSpeed, giắc cắm tai nghe, khay SIM, phím bên hông, camera MIPI D-PHY/CSI-2
? Máy tính: Thunderbolt? 4/5 làn trên máy tính xách tay siêu mỏng, cổng HDMI 2.1, khe cắm SSD M.2
? Ô tô: camera FPD-Link III, liên kết GMSL, hub USB IVI, GPIO bộ dò sóng
? Công nghiệp & y tế: thẻ DAQ tốc độ cao, camera thị giác máy, cổng đầu dò siêu âm di động
? AR/VR & thiết bị đeo: Liên kết Micro-OLED bằng kính AR, cổng sạc/dữ liệu kết hợp đồng hồ thông minh

Mẹo thiết kế
Đặt SLPESDMC2FD5VB trong phạm vi 2 mm tính từ đầu nối. Giữ cho các đầu dò đơn hoặc vi sai đối xứng và được kiểm soát trở kháng. Mở một cửa sổ mặt phẳng tiếp địa đặc ngay bên dưới miếng đệm TVS lộ ra—không chia sẻ đường dẫn tiếp địa dài.

Ngoài ra, trang web của Slkor (www.slkoric.com) còn cung cấp nhiều dòng sản phẩm khác, mang đến cho các nhà thiết kế nhiều lựa chọn hơn.

Với điện dung cực thấp 0.25 pF, kẹp chính xác 13 V, cửa sổ bảo vệ chặt chẽ 5 V/6 V và rò rỉ 100 nA, SLPESDMC2FD5VB thiết lập chuẩn mực ESD "vô hình" mới cho giao diện đơn và giao diện vi sai tốc độ cao 5 V, mang lại khả năng bảo vệ im lặng nhưng chắc chắn cho các sản phẩm cuối nhẹ hơn, nhanh hơn và đáng tin cậy hơn.

Về Slkor:

SLKOR, có trụ sở chính tại Thâm Quyến, Trung Quốc, là một doanh nghiệp công nghệ cao quốc gia đang nổi lên nhanh chóng trong lĩnh vực bán dẫn điện. Với các trung tâm R&D tại Bắc Kinh và Tô Châu, đội ngũ kỹ thuật cốt lõi của công ty có nguồn gốc từ Đại học Thanh Hoa. Là một nhà đổi mới trong công nghệ thiết bị điện silicon carbide (SiC), SLKORSản phẩm của chúng tôi được sử dụng rộng rãi trong các phương tiện năng lượng mới, sản xuất điện mặt trời, IoT công nghiệp và điện tử tiêu dùng, cung cấp các giải pháp bán dẫn quan trọng cho hơn 10,000 khách hàng trên toàn cầu. Công ty cung cấp hơn 2 tỷ sản phẩm mỗi năm, với MOSFET SiC và diode SBD phục hồi siêu nhanh thế hệ thứ 5, thiết lập các chuẩn mực của ngành về hiệu suất và độ ổn định nhiệt. SLKOR nắm giữ hơn 100 bằng sáng chế phát minh và cung cấp hơn 2,000 mẫu sản phẩm, liên tục mở rộng danh mục IP của mình trên các thiết bị điện, cảm biến và IC quản lý điện. Các chứng nhận bao gồm ISO 9001, EU RoHS/REACH và tuân thủ CP65 chứng minh cam kết vững chắc của công ty đối với đổi mới công nghệ, sản xuất tinh gọn và phát triển bền vững.