Sản phẩm
Sản phẩm
Transistor lưỡng cực (BJT) Transistor, Transistor bán dẫn hay còn gọi là Transistor lưỡng cực là thiết bị bán dẫn có khả năng điều khiển dòng điện. Theo cấu trúc của nó, nó được chia thành bóng bán dẫn NPN, bóng bán dẫn PNP. Nó có chức năng khuếch đại điện áp hoặc dòng điện, có thể được sử dụng trong các mạch khuếch đại, mạch dao động, mạch điều chế và giải điều chế, mạch chuyển mạch, v.v.
2SC1815 Transitor phẳng epiticular silicon TO-92 VCEO(V):50V PD(W)(PD(W)):400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):250mV fT(MHz)(fT(MHz)):80MHz Package(Package):TO-92 IC(A)(IC(A)):150mA
BC807-25 Transistor lưỡng cực PNP SOT-23 Bóng bán dẫn đa năng PNP được đựng trong một gói nhựa nhỏ SOT-23 Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD).
BC807-40 Transistor lưỡng cực PNP SOT-23 BC807-40 là bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực PNP (BJT) nổi tiếng với các ứng dụng linh hoạt trong các mạch điện tử yêu cầu khả năng chuyển mạch và khuếch đại công suất vừa phải. Với Vceo -45V và dòng thu tối đa (Ic) -500mA, nó phù hợp cho nhiều ứng dụng điện áp thấp đến trung bình. Bóng bán dẫn này được đặt trong gói SOT-23, đảm bảo sự nhỏ gọn và dễ dàng tích hợp vào các thiết kế mạch.
BC817-25 Transistor lưỡng cực NPN SOT-23 Bóng bán dẫn đa năng NPN được đựng trong một gói nhựa nhỏ dành cho Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD) SOT23 (TO-236AB).
BC817-40 Transistor lưỡng cực NPN SOT-23 Transitor lưỡng cực NPN được đặt trong gói SOT-23, được thiết kế cho các ứng dụng gắn trên bề mặt có công suất thấp hơn.
BC846B NPN Silicon Epiticular Planar Transistor SOT-23 Các bóng bán dẫn đa năng NPN 65 V, 100 mA được đựng trong một gói nhựa nhỏ dành cho Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD) SOT23.
BCX52-16 60V, 1A PNP Transitor công suất trung bình SOT-89 VCEO(V):60V PD(W)(PD(W)):500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):500mV fT(MHz)(fT(MHz)):null- Package(Package):SOT-89 IC(A)(IC(A)):1A
MBBT2222A VCEO(V):40V PD(W)(PD(W)):225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):1V fT(MHz)(fT(MHz)):300MHz Package(Package):SOT-23 IC(A)(IC(A)):600mA
SL5304DCP NPN Transistor lưỡng cựcTO-252 Vceo: 400V Ic:4A Pd:35W VCE(bão hòa):1.5V fT:- Nhiệt độ làm việc: 150oC@(Tj)
Transistor MMDT3946 BJT SOT-363 VCEO(V):40V PD(W)(PD(W)):200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):400mV fT(MHz)(fT(MHz)):300MHz Package(Package):SOT-363 IC(A)(IC(A)):200mA
Transistor lưỡng cực 2N5401 PNP TO-92 VCEO(V):150V PD(W)(PD(W)):625mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):500mV fT(MHz)(fT(MHz)):300MHz Package(Package):TO-92 IC(A)(IC(A)):600mA
Transistor lưỡng cực 2SA1015-B PNP TO-92 Transitor lưỡng cực PNP 2SA1015-B được thiết kế để mang lại hiệu suất và độ tin cậy vượt trội trong nhiều ứng dụng điện tử. Với thông số kỹ thuật tiên tiến và thiết kế chắc chắn, bóng bán dẫn này nổi bật về hiệu quả trong các hoạt động chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu.
Transistor lưỡng cực 2SA1037-R PNP SOT-23 Transistor kỹ thuật số PNP 2SA1037-R là một transistor PNP hiệu suất cao được thiết kế để cung cấp hoạt động đáng tin cậy trong các ứng dụng điện tử đòi hỏi khắt khe. Với điện áp cực thu-cực phát (Vceo) tối đa là 50V, nó rất phù hợp cho nhiều tác vụ chuyển mạch và khuếch đại khác nhau. Transistor tự hào có tần số chuyển tiếp cao (fT) là 140MHz, làm cho nó trở nên lý tưởng cho xử lý tín hiệu tốc độ cao.
whatsapp

Đường dây nóng dịch vụ

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950