À medida que links seriais como USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 e SerDes de 16 Gbps elevam as taxas de dados single-ended para além de 20 Gb/s, qualquer dispositivo ESD cuja capacitância exceda 0.3 pF se comporta como um indutor oculto que desacelera as bordas. O diodo TVS unidirecional SLPESDMC2FD5VB da Slkor combina uma capacitância de junção típica de 0.25 pF com um nível de clamp de 13 V, tensão de trabalho reversa (VRWM) de 5 V e tensão de ruptura mínima (VBR) de 6 V para fornecer proteção eletrostática praticamente sem carga adicional em linhas single-ended ou diferenciais de alta velocidade de 5 V, enquanto sua fuga reversa é de apenas 100 nA, ajudando dispositivos móveis e vestíveis a reduzir tempos de espera ainda maiores.

Missão: interceptar pulsos ESD, CDE ou EFT nanossegundos antes de atingirem a E/S do CI e desviar sua energia para o plano de aterramento, atuando como um "fusível invisível" entre o sistema de alta velocidade e o mundo externo hostil. Soluções tradicionais trocam maior capacidade de processamento por maior capacitância, reduzindo diagramas de olho; o SLPESDMC2FD5VB equilibra 88 W de potência de pulso de pico (8/20 μs) com 0.25 pF de capacitância por meio do processo de poço profundo proprietário da Slkor, tornando-o o guardião silencioso ideal para smartphones, tablets, notebooks, câmeras automotivas e headsets de RA/RV.

Uma janela de proteção ajustada com precisão
Tensão de trabalho reversa VRWM = 5 V
Quebra reversa mínima VBR = 6 V
Essa janela garante que os sinais normais de 5 V nunca sejam perturbados, mas o dispositivo ainda mantém o grampo de forma confiável sob descargas de ar de ±15 kV e de contato de ±8 kV (IEC 61000-4-2 Nível 4) e rajadas EFT de 40 A e 5/50 ns, cobrindo totalmente as especificações elétricas de USB-C SuperSpeed, DisplayPort AUX, banda lateral PCIe e outras interfaces de 5 V.

13 V baixa tensão de fixação
A 1 A, 8/20 μs, o VC de fixação típico é de 13 V; a 4 A, ele sobe apenas para 22 V, bem abaixo da classificação transitória de 20 V+ dos processos CMOS de 5 V, minimizando o estresse de ultrapassagem e prevenindo danos latentes de óxido de porta.

Capacitância de junção de 0.25 pF — 30% menor que as ofertas tradicionais
CJ = 0.25 pF típico (@ VR = 0 V, f = 1 MHz, máx. 0.4 pF)

perda de inserção < –0.15 dB e perda de retorno < –25 dB a 20 GHz mantêm bordas de extremidade única nítidas e olhos bem abertos acima de 10 Gbps.

Vazamento ultrabaixo de 100 nA
IR = 100 nA típico (@ VR = 5 V, 25 °C) e permanece abaixo de 500 nA a 85 °C, adicionando minutos preciosos de vida útil da bateria a telefones, fones de ouvido TWS e dispositivos vestíveis que devem permanecer ligados 24 horas por dia, 7 dias por semana.

Embalagem ultrafina DFN1006
Medindo apenas 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm, ocupa 60% menos espaço na placa de circuito impresso do que o SOT-23; a altura de 0.5 mm desliza facilmente sob uma lingueta USB-C. Uma placa de circuito impresso centralmente exposta cria o caminho de aterramento mais curto possível, reduzindo a indutância do loop e acelerando a descarga ESD. As terminações Ni/Pd/Au são compatíveis com reflow sem chumbo, e a fita e o rolo de 7 polegadas comportam 10 kpcs para linhas pick-and-place de alta velocidade.

Aplicações típicas
? Móvel: linhas USB-C SuperSpeed, entradas para fone de ouvido, bandejas para SIM, teclas laterais, câmera MIPI D-PHY/CSI-2
? Computação: Thunderbolt? 4/5 pistas em notebooks ultrafinos, portas HDMI 2.1, slots SSD M.2
? Automotivo: câmera FPD-Link III, links GMSL, hubs USB IVI, sintonizadores GPIOs
? Industrial e médico: cartões DAQ de alta velocidade, câmeras de visão de máquina, portas de sonda de ultrassom portáteis
? RA/RV e wearables: links Micro-OLED de vidro AR, portas combinadas de carregamento/dados para relógios inteligentes

Dicas de design
Posicione o SLPESDMC2FD5VB a 2 mm da entrada do conector. Mantenha trilhas de terminação única ou diferenciais simétricas e com impedância controlada. Abra uma janela de plano de aterramento sólido diretamente abaixo do pad exposto do TVS — não compartilhe um longo caminho de retorno de aterramento.

Além disso, o site da Slkor (www.slkoric.com) oferece uma ampla variedade de outras famílias de produtos, dando aos designers ainda mais opções.

Com sua capacitância ultrabaixa de 0.25 pF, grampo preciso de 13 V, janela de proteção estreita de 5 V/6 V e vazamento de 100 nA, o SLPESDMC2FD5VB define um novo padrão de ESD “invisível” para interfaces diferenciais e single-ended de alta velocidade de 5 V, oferecendo proteção silenciosa, porém sólida, para produtos finais mais leves, rápidos e confiáveis.

Sobre Slkor:

SLKOR, com sede em Shenzhen, China, é uma empresa nacional de alta tecnologia em rápido crescimento no setor de semicondutores de energia. Com centros de P&D em Pequim e Suzhou, sua equipe técnica principal é formada pela Universidade de Tsinghua. Como inovadora em tecnologia de dispositivos de energia de carboneto de silício (SiC), SLKOROs produtos da são amplamente utilizados em veículos de nova energia, geração de energia fotovoltaica, IoT industrial e eletrônicos de consumo, fornecendo soluções críticas em semicondutores para mais de 10,000 clientes em todo o mundo. A empresa entrega mais de 2 bilhões de unidades anualmente, com seus MOSFETs de SiC e diodos SBD de recuperação ultrarrápida de 5ª geração estabelecendo padrões do setor em relação à eficiência e estabilidade térmica. SLKOR detém mais de 100 patentes de invenção e oferece mais de 2,000 modelos de produtos, expandindo continuamente seu portfólio de propriedade intelectual em dispositivos de energia, sensores e circuitos integrados de gerenciamento de energia. Certificações como ISO 9001, RoHS/REACH da UE e conformidade com CP65 demonstram o firme compromisso da empresa com a inovação tecnológica, a manufatura enxuta e o desenvolvimento sustentável.