Với sự tiến bộ và phát triển của xã hội, việc ứng dụng ống MOS trong ngành điện tử ngày càng trở nên rộng rãi. Là một "chuyên gia về cacbua silic" có thể phát triển các sản phẩm cacbua silic, Sark Microex SLKOR phải đến với khoa học về vấn đề này.

MOS là tên viết tắt của MOSFET, tên đầy đủ là Transistor hiệu ứng trường oxit kim loại. Nó là một thiết bị bán dẫn sử dụng hiệu ứng điện trường của vòng đầu vào để điều khiển dòng điện của vòng đầu ra. Cấu trúc, nguyên lý, đặc điểm, quy tắc ký hiệu và loại gói của ống MOS đại khái như sau.

1. Cấu tạo của ống MOS:

     Cấu trúc của ống MOS là sử dụng công nghệ quang khắc bán dẫn và khuếch tán để tạo ra hai vùng N+ có nồng độ pha tạp cao trên đế silicon bán dẫn loại P có nồng độ pha tạp thấp và sử dụng nhôm kim loại để dẫn ra hai điện cực tương ứng dùng làm cống thoát nước. cực D và nguồn S. Sau đó, bề mặt chất bán dẫn loại P giữa cực máng và nguồn được phủ một lớp màng cách điện mỏng silicon dioxide (SiO2) và một điện cực nhôm được lắp trên màng cách điện này làm cổng G. Điều này tạo thành một bóng bán dẫn MOS cải tiến kênh N (loại NPN). Cổng của nó và các điện cực khác được cách điện.

Theo cách tương tự như trên, trên đế silicon bán dẫn loại N có nồng độ pha tạp thấp, hai vùng P+ có nồng độ pha tạp cao được chế tạo bằng quá trình in thạch bản bán dẫn và khuếch tán, đồng thời sử dụng quy trình chế tạo cổng tương tự như mô tả ở trên. Được chế tạo thành ống MOS cải tiến kênh P (loại PNP). (a) và (b) được hiển thị trong Hình 1-1 lần lượt là sơ đồ cấu trúc và ký hiệu đại diện của đường ống MOS kênh P.

2、MOS 管的工作原理:

Có thể thấy trong Hình 1-2-(a) rằng có hai điểm nối PN quay lưng lại giữa cực máng D và nguồn S của bóng bán dẫn MOS chế độ tăng cường. Khi điện áp nguồn cổng VGS = 0, ngay cả khi thêm điện áp nguồn thoát VDS, luôn có một điểm nối PN ở trạng thái phân cực ngược và không có kênh dẫn điện giữa nguồn thoát nước (không có dòng điện), vì vậy tại thời điểm này, ID hiện tại bị cạn kiệt = 0. Tại thời điểm này, nếu một điện áp chuyển tiếp được đặt giữa cổng và nguồn, như trong Hình 1-2-(b), tức là VGS>0, thì một cổng sẽ được tạo ra trong lớp cách điện SiO2 giữa cổng và chất nền silicon. Điện trường hướng vào đế silicon loại P, do lớp oxit cách điện nên điện áp VGS đặt vào cổng không thể tạo thành dòng điện và một tụ điện được hình thành ở cả hai phía của lớp oxit. VGS tương đương với việc sạc tụ điện này và tạo thành một điện trường, khi VGS tăng dần, bị điện áp cổng dương thu hút và một số lượng lớn electron tập trung ở phía bên kia của tụ điện này và tạo thành kênh dẫn loại N từ cống đến nguồn. Khi VGS lớn hơn điện áp bật của ống VT (thường khoảng 2V), ống kênh N bắt đầu dẫn điện, tạo thành dòng thoát ID. Chúng tôi gọi điện áp nguồn cổng khi kênh bắt đầu hình thành điện áp bật, thường được biểu thị bằng VT. Việc kiểm soát độ lớn của điện áp cổng VGS sẽ thay đổi cường độ của điện trường, do đó có thể đạt được mục đích kiểm soát kích thước của dòng điện thoát ID.

3. Đặc điểm của ống MOS:

  Từ nguyên lý làm việc của ống MOS trên có thể thấy cổng G và nguồn S của ống MOS được cách điện. Do có lớp cách điện SiO2 nên giữa cổng G và nguồn S có điện dung tương đương, điện áp VGS tạo ra một điện trường dẫn đến phát sinh dòng điện thoát nguồn. Điện áp cổng VGS tại thời điểm này xác định độ lớn của dòng thoát và cường độ của dòng thoát ID có thể được kiểm soát bằng cách kiểm soát độ lớn của điện áp cổng VGS. Điều này dẫn đến các kết luận sau:

   1) Ống MOS là thiết bị điều khiển dòng điện bằng cách thay đổi điện áp nên nó là thiết bị điện áp.

   2) Đặc tính đầu vào của đường ống MOS là điện dung nên trở kháng đầu vào cực kỳ cao.

4. Quy tắc phân cực điện áp và ký hiệu của ống MOS:

Hình 1-4-(a) là ký hiệu của Transistor MOS kênh N. Trong hình, D là cống, S là nguồn, G là cổng và mũi tên ở giữa tượng trưng cho chất nền. Nếu mũi tên hướng vào trong nghĩa là đó là ống MOS kênh N, mũi tên hướng ra ngoài chỉ ra đó là ống MOS kênh P.

Thực tế trong quá trình sản xuất ống MOS, đế được nối với nguồn trước khi xuất xưởng nên theo quy luật ký hiệu, mũi tên tượng trưng cho đế cũng phải được nối với nguồn để phân biệt cống với nguồn. . Hình 1-4-(c) là ký hiệu của Transistor MOS kênh P. Cực tính điện áp đặt vào của ống MOS giống như cực tính của bóng bán dẫn thông thường của chúng ta, kênh N tương tự như bóng bán dẫn NPN, cực D nối với điện cực dương, nguồn S nối với điện cực âm và kênh dẫn được thiết lập khi cổng G có điện áp dương và kênh N được kết nối. Ống MOS bắt đầu hoạt động như trong Hình 1-4-(b). Bóng bán dẫn kênh P tương tự như bóng bán dẫn PNP, cực D được nối với điện cực âm, nguồn S được nối với điện cực dương và cổng G được tích điện âm, kênh dẫn điện được thiết lập và P -bóng bán dẫn MOS kênh bắt đầu hoạt động, như minh họa trong Hình 1-4-(d).

Ký hiệu bóng bán dẫn MOS kênh N Hình 1-4-(a)

Phân cực điện áp bóng bán dẫn MOS kênh N và kết nối cơ chất 1-4-(b)

    (c)

（d)

Ký hiệu bóng bán dẫn MOS kênh P Hình 1-4-(c)

Phân cực điện áp bóng bán dẫn MOS kênh P và kết nối cơ chất 1-4-(d)

5. Gói chính của ống MOS:

Hiện nay, các gói thông thường phổ biến bao gồm ống đơn TO-220, TO-3P, TO-247 và các mô-đun khác nhau, đồng thời có thể cung cấp các gói đặc biệt theo yêu cầu sản phẩm cụ thể của khách hàng. Theo các model và gói thông dụng của Sako Micro SLKOR, chúng ta sẽ sắp xếp chúng như sau:

ĐẾN-3P

TO-220 XNUMX

TO-247 XNUMX

HÔM NAY-23

TO-252 XNUMX

SOT-227B