主要IGBT公司概览！

2022-03-16 555

什么是IGBT

所谓IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合型全可控电压驱动功率半导体器件，由BJT（双极结型晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成。它具有自关断特性。

简单来说，IGBT 就是一个只有开和关两种状态的开关。它不具备电压放大功能。导通时，它相当于一根导线；关断时，它相当于开路。IGBT 结合了 BJT 和 MOSFET 的优点，例如驱动功率低、饱和压降小。

目前，思兰微电子的5英寸和6英寸芯片生产线运行稳定，8英寸芯片生产线也已成功投产。公司已陆续完成了高压BCD、超薄沟槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快速恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发。
华微电子
官方网站：http://www.hwdz.com.cn/
吉林华微电子有限公司成立于1999年，是一家集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试和产品销售于一体的企业。其官网信息显示，公司拥有多条4英寸、5英寸和6英寸功率半导体分立器件及集成电路芯片生产线，芯片年加工能力达400万片，封装资源年达2.4亿片，模块年产能达360万片。今年4月，吉林华微电子计划为一条8英寸生产线项目筹集资金，该项目重点研发电压范围为600V-1700V、电流范围为600V至1700V的IGBT芯片。
华润微电子
官方网站：https://www.crmicro.com/
华润微电子（原中航（重庆）微电子有限公司）是一家集半导体设计、研发、制造和服务于一体的企业。公司以功率半导体器件和功率/模拟集成电路为产业基础，目标市场涵盖工业电子、消费电子、汽车电子和5G通信。公司拥有功率器件、氮化镓（GaN）、微机电系统（MEMS）传感器等技术的研发和制造平台。
华润微电子拥有国内首条自主研发的8英寸功率器件专用晶圆生产线，月产能51,000万片，工艺精度达0.18微米，并配备一条8英寸特殊工艺生产线。目前，公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封装测试生产线的建设规划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
扬杰科技
官方网站：http://www.21yangjie.com/
扬州扬捷电子科技有限公司成立于2006年8月，致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其主要产品包括各类功率电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN封装产品、SGT MOS和碳化硅SBD、碳化硅JBS等。
据了解，在IGBT领域，杨捷科技于2018年3月接管了位于宜兴的一条6英寸晶圆生产线。目前，该生产线已实现IGBT芯片的量产，主要用于电磁炉等小型家用电器。杨捷科技在互动平台上表示，2018年公司实际生产了近6,000颗IGBT芯片。

模块

IGBT模块是一种模块化半导体产品，它由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）和FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成；封装后的IGBT模块可直接用于逆变器、UPS不间断电源等设备；IGBT模块具有节能、易于安装维护、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分模块化产品都是此类产品。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保理念的不断深入，此类产品将在市场上越来越普及。

上海鲁鑫电子科技有限公司

专注于功率半导体（IGBT、SJMOS 和 SiC）的设计与应用，包括芯片、单晶体管和模块。其优势如下：通过优化耐压端环，实现 IGBT 高阻断电压，有效减小芯片面积，并达到工业级和汽车级可靠性标准；通过控制少数载流子寿命，优化饱和压降和开关速度；实现安全工作区 (SOA) 和短路 SCSOA，在当前安全工作区内性能最佳；提高 IGBT 有源区单元设计的可靠性，抑制 IGBT 闩锁效应；调整背面减薄、离子注入、退火、背面镀金等工艺；实现 60μm~180μm 晶圆厚度的大规模量产。

江苏东海半导体

江苏东海半导体科技有限公司成立于2004年12月，注册资本5330万元，现有员工325人。公司是一家集半导体功率器件的设计、研发、封装、测试于一体的高新技术企业。公司累计投资2.8亿元，合作芯片制造厂投资600亿元。公司已通过ISO90001质量管理体系认证、ISO140001环境管理体系认证和TS16949质量管理体系认证，并先后获得无锡市高新技术企业认证和国家高新技术企业认证。公司产品荣获无锡市和江苏省著名商标。公司被国家工商行政管理总局认定为守合同重信用企业。江苏东海半导体科技有限公司拥有多项实用新型专利和发明专利。公司已累计申请近百项发明专利和实用新型专利，并经江苏省科技厅批准成立江苏省工程技术研究中心。它是中国最具竞争力的半导体封装测试公司之一。

江苏东海半导体科技有限公司始终致力于提升产品质量，并在封装、测试设备、封装技术和材料选择等方面保持与国际先进水平的同步。公司配备了ASM全自动晶体键合机、ASM全自动引线键合机、自动肋条切割设备、自动测试分拣机等先进设备。公司持续加大对集成电路和功率器件封装研发的投入，并在生产加工过程中始终贯彻严格的质量控制体系。自公司成立以来，其产品已根据不同客户的要求，通过了RoHS和无卤素环保认证。公司主要封装TO251、TO252、TO263、TO220、TO220F、TO3P、TO247、SOT和QFN系列封装。产品系列包括：MOSFET、肖特基二极管、快速恢复二极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT等。

深圳市新能半导体科技有限公司成立于2013年，由深圳正轩科技、深圳市国有资产监督管理委员会、深圳人才创新基金、大辰创投、方光资本、厦门猎鹰等知名机构共同投资，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片及大功率智能功率模块的研发、应用及销售。
目前，新能专注于600V和1200V中小功率IGBT产品，拥有IGBT单管、IPM、IGBT模块和HVIC四大领域的完整产品系列，产品性能在国内处于领先地位。
嘉兴之星
官方网站：http://www.powersemi.cc/
嘉兴星半导体有限公司成立于2005年4月，是一家国家高新技术企业，专业从事功率半导体器件，特别是IGBT模块的研发、生产和销售。公司主要产品为功率半导体器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等。公司已成功开发近600种IGBT模块产品，电压范围从100V到3300V，电流范围从10A到3600A。
在技术方面，嘉兴星已开发出全系列平面栅NPT型1200V IGBT芯片和全系列沟槽栅场中断式650V、750V、1200V和1700V IGBT芯片。公司已攻克包括8英寸晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火活化技术和沟槽栅沟槽成型技术在内的关键工艺技术。
宏微科技
官方网站：http://www.macmicst.com/
宏伟科技有限公司成立于2006年8月，是一家专注于电力电子元器件行业的企业。其业务范围涵盖新型功率半导体芯片、分立器件及模块的设计、研发、生产和销售，产品包括FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块和用户定制模块（CSPM）。此外，公司还提供高效节能电力电子器件的模块化设计、制造和系统解决方案。
2018年，宏碁科技与北汽新能源成立了宏碁-北汽新能源IGBT联合实验室，计划共同构建从芯片设计、模块设计、封装到电机控制器设计与生产的完整电机控制器产业链。宏碁微科技的年报显示，2018年其面向电动汽车的IGBT模块在SVG行业应用领域的销量逐步增长，客户定制产品也开始批量销售。

IGBT技术发展历程

官方网站：http://www.ncepower.com/
无锡新清洁能源有限公司成立于2013年，主要从事MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发、设计和销售。主要产品按是否封装可分为芯片和封装产品两大类，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
目前，无锡新清洁能源的主要产品包括12V~200V沟槽式功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET以及600V~1350V沟槽栅场截止IGBT。相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均被认定为江苏省高新技术产品。

大信半导体官方网站：http://www.daxin-semi.com/ 宁波大信半导体有限公司成立于2013年，是一家由归国医生创办的中外合资高新技术企业。公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片及器件的设计、制造和销售。公司拥有IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，并建立了IGBT产品性能测试、应用及可靠性实验室，以及配备齐全的测试和制造设备的IGBT模块研发生产线。

上海先进半导体制造有限公司（原上海飞利浦半导体有限公司）是中荷合资企业，成立于1988年，拥有5英寸、6英寸和8英寸晶圆生产线，专注于模拟电路和功率器件的制造。公司官网：http://www.asmcs.com/其技术能力包括PT、NPT、场停止以及平面和沟槽IGBT等。其6英寸晶圆厂专注于平面IGBT和FRD工艺平台，电压范围为1200V~6500V；其8英寸晶圆厂专注于沟槽场停止IGBT工艺平台，电压范围为450V~1700V。

华润微电子股份有限公司（CSMC）官方网站：http://www.csmc.com.cn/ 无锡华润微电子科技有限公司隶属于华润集团旗下负责半导体业务的华润微电子股份有限公司。CSMC为客户提供广泛的晶圆制造技术，包括BCD、混合信号、高压CMOS、射频CMOS、嵌入式非易失性存储器（NVM）、双极型CMOS、逻辑、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、双极型等标准工艺以及一系列定制工艺平台。
中积电拥有国内最大的6英寸晶圆生产线和8英寸晶圆生产线。6英寸晶圆生产线月产能超过110,000万片，8英寸晶圆生产线目前月产能已达35,000万片。未来，计划将总月产能提升至60,000万片，并将工艺技术升级至0.11微米。在IGBT方面，中积电于2012年宣布已完成600V和1700V平面NPT IGBT以及600V沟槽PT IGBT工艺平台的研发。