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描述
SMAJ26CA 是一款双向表面贴装瞬态电压抑制器 (TVS)，采用标准 SMA (DO-214AC) 封装。它采用玻璃钝化芯片技术，旨在保护电子电路和敏感元件免受正负瞬态电压尖峰和浪涌电流的影响。在 10/1000μs 波形下，其峰值脉冲功率可达 400W，可为各种电子设备提供可靠的双向过压保护。
产品特性
- 400W峰值脉冲功率，对应10/1000μs浪涌波形
- 最大单次浪涌电流：40A（8.3毫秒单半正弦波）
- 25℃时的核心电气参数：VRWM=26.0V，VBR=28.90V（1mA），IR≤5μA，VC=40.60V，IPP=7.5A
- 双向保护，防止双极性电压瞬变
- 玻璃钝化芯片确保性能稳定和使用寿命长
- 卓越的夹持能力和超快的响应速度
- 采用模压环氧树脂外壳，阻燃等级为UL94V-0
- 符合 MIL-STD-750 方法 2026 的镀锡端子
- 宽广的工作和存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
我们的优势
- 双向设计可处理双向浪涌，以满足各种电路保护需求。
- 出色的钳位性能可快速吸收浪涌能量，保护精密电子元件。
- 超快响应有效抑制瞬时电压波动
- 紧凑型SMA封装节省PCB空间，非常适合小型化产品。
- 成熟的玻璃钝化工艺提高了耐久性和长期运行可靠性。
- 优异的焊接性能支持高效的自动化SMT大规模生产
- 低反向漏电流可减少不必要的待机功耗
- 在宽广的温度范围内性能稳定，能够适应恶劣的工作环境
机械数据
- 封装：JEDEC SMA（DO-214AC），传递模塑环氧树脂
- 极性：双向型，无极性限制
- 端子：镀锡，完全可焊，符合 MIL-STD-750 方法 2026 标准
- 尺寸：标准SMA尺寸（以英寸和毫米为单位）
- 工作及存储温度：-55℃ ~ +150℃
应用
这种双向TVS二极管广泛应用于消费电子产品、家用电器、通信设备、计算机外围设备、工业控制系统以及其他需要双向ESD和瞬态浪涌保护的设备。
名称
标题
说明
数据手册
支持
SMF11A瞬态保护二极管 SOT-23封装
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
SMA6J5.0A TVS二极管 SMA
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
SMA6J5.0CA TVS二极管 SMA
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA6.8A TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA6.8CA TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA15A TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA15CA TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA16CA TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA18A TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
P4SMA18CA TVS二极管 SMA(DO-214AC)
品牌: 萨科微， VRWM(V)： 26V VBR min(V)： 28.9V VBR max(V)： 31.9V IR(uA)： 5.0μA VC(V)： 42.1V Package： SMA
深圳市萨科微半导体有限公司
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