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7 MOSFET गेट सर्किट की सामान्य भूमिका, इसे न देखें!
सारांश
MOSFET एक सामान्य वोल्टेज-प्रकार का नियंत्रण उपकरण है, जिसके कई फायदे हैं जैसे तेज़ स्विचिंग गति, उच्च आवृत्ति प्रदर्शन, उच्च इनपुट प्रतिबाधा, कम शोर, कम ड्राइविंग शक्ति, बड़ी गतिशील रेंज और विस्तृत सुरक्षित कार्य क्षेत्र (SOA)। इसलिए, इसका व्यापक रूप से स्विचिंग बिजली आपूर्ति, मोटर नियंत्रण, बिजली उपकरण और अन्य उद्योगों में उपयोग किया जाता है। MOSFET की कमज़ोर कड़ी होने के नाते, यदि सर्किट डिज़ाइन अनुचित है, तो यह आसानी से डिवाइस या सिस्टम की विफलता का कारण बन सकता है। इसलिए, यह लेख आपके संदर्भ और चर्चा के लिए गेट के सामान्य सर्किटों को प्रस्तुत करेगा, और आप अपने विचार प्रस्तुत करने के लिए स्वतंत्र हैं।
MOSFET गेट सर्किट के सामान्य कार्य इस प्रकार हैं:
1、सर्किट में जुड़े शोर को हटाएं और सिस्टम की विश्वसनीयता में सुधार करें।
2、MOSFET के चालन में तेजी लाएं और चालन हानि को कम करें।
3、MOSFET के टर्न-ऑफ को तेज करें और टर्न-ऑफ नुकसान को कम करें।
4、MOSFET का di/dt कम करें, MOSFET DI/DT को सुरक्षित रखें तथा EMI हस्तक्षेप को रोकें।
5、असामान्य उच्च वोल्टेज के तहत ग्रिड टूटने को रोकने के लिए ग्रिड को सुरक्षित रखें।
6、ड्राइविंग क्षमता में वृद्धि, MOSFET को एक छोटे सिग्नल के तहत संचालित किया जा सकता है।
उपरोक्त गेट सर्किट का कार्य है जिसके बारे में मैं सोच सकता हूं। अपने विचार जोड़ने के लिए आपका स्वागत है, और मैं आपकी चर्चा के लिए संबंधित सर्किट पोस्ट करूंगा। उपरोक्त गेट सर्किट का कार्य है जिसके बारे में मैं सोच सकता हूं। अपने विचार जोड़ने के लिए आपका स्वागत है, और मैं आपकी चर्चा के लिए संबंधित सर्किट पोस्ट करूंगा।
सबसे पहले, आइए पावर आईसी के डायरेक्ट ड्राइविंग के बारे में बात करते हैं। नीचे दिया गया चित्र हमारा सबसे आम डायरेक्ट ड्राइविंग मोड है। इस मोड में, हमने ड्राइविंग सर्किट पर बहुत ज़्यादा प्रोसेसिंग नहीं की है, इसलिए हमें पीसीबी लेआउट को ऑप्टिमाइज़ करने की पूरी कोशिश करनी चाहिए। उदाहरण के लिए, आईसी से MOSFET गेट तक ट्रेस की लंबाई कम करें, ट्रेस की चौड़ाई बढ़ाएँ, और Rg को MOSFET गेट से जितना हो सके दूर रखें, ताकि परजीवी इंडक्शन कम हो और शोर खत्म हो।
सबसे पहले, आइए पावर आईसी के डायरेक्ट ड्राइविंग के बारे में बात करते हैं। नीचे दिया गया चित्र हमारा सबसे आम डायरेक्ट ड्राइविंग मोड है। इस मोड में, हमने ड्राइविंग सर्किट पर बहुत ज़्यादा प्रोसेसिंग नहीं की है, इसलिए हमें पीसीबी लेआउट को ऑप्टिमाइज़ करने की पूरी कोशिश करनी चाहिए। उदाहरण के लिए, आईसी से MOSFET गेट तक ट्रेस की लंबाई कम करें, ट्रेस की चौड़ाई बढ़ाएँ, और Rg को MOSFET गेट से जितना हो सके दूर रखें, ताकि परजीवी इंडक्शन कम हो और शोर खत्म हो।
बेशक, एक और समस्या जिस पर हमें विचार करना होगा, वह है PWM नियंत्रक की ड्राइविंग क्षमता। जब MOSFET बड़ा होता है, तो IC की ड्राइविंग क्षमता कम होती है, और बहुत धीमी ड्राइविंग, बहुत ज़्यादा स्विचिंग लॉस या यहाँ तक कि ड्राइविंग में असमर्थता जैसी समस्याएँ होंगी। डिज़ाइन करते समय हमें इस पर ध्यान देने की ज़रूरत है।
बेशक, हम आईसी की अपर्याप्त आंतरिक ड्राइविंग क्षमता की समस्या को हल करने के लिए निम्नलिखित तरीकों का भी उपयोग कर सकते हैं।
ड्राइविंग क्षमता बढ़ाने का यह तरीका न केवल ऑन टाइम बढ़ाता है, बल्कि ऑफ टाइम को भी तेज़ करता है, और साथ ही, यह बर्र और पावर लॉस को नियंत्रित करने पर भी एक निश्चित प्रभाव डालता है। बेशक, हमें इन दोनों ट्यूबों को लेआउट में MOSFET के गेट के पास रखने की पूरी कोशिश करनी चाहिए। इससे परजीवी प्रेरकत्व कम होने और सर्किट के हस्तक्षेप-रोधी प्रदर्शन में सुधार होने का लाभ मिलता है।
यदि हम केवल MOSFET की टर्न-ऑफ गति को बढ़ाना चाहते हैं, तो हम इसे निम्नलिखित तरीके से कर सकते हैं।
जब टर्न-ऑफ करंट ज़्यादा होता है, तो MOSFET इनपुट कैपेसिटर की डिस्चार्ज स्पीड तेज़ हो सकती है, जिससे टर्न-ऑफ लॉस कम हो जाता है। कम आउटपुट इम्पीडेंस वाले MOSFET या N-चैनल कट-ऑफ वाले नेगेटिव वोल्टेज डिवाइस का चयन करके उच्च डिस्चार्ज करंट प्राप्त किया जा सकता है, और सबसे आम तरीका है एक्सेलरेटिंग डायोड लगाना।
जब गेट बंद होता है, तो प्रतिरोधक पर धारा के कारण उत्पन्न वोल्टेज ड्रॉप, डायोड के चालू होने पर उत्पन्न वोल्टेज ड्रॉप से अधिक होता है, और तब डायोड चालू हो जाता है, इस प्रकार प्रतिरोधक को बायपास कर देता है। चालू होने के बाद, धारा में कमी के साथ, परिपथ में डायोड की भूमिका छोटी और छोटी होती जाती है, जिससे MOSFET को बंद करने में लगने वाला विलंब समय काफी कम हो जाता है।
बेशक, इस सर्किट में एक निश्चित नुकसान है, यानी, गेट पर करंट को अभी भी आईसी के अंदर आउटपुट ड्राइव प्रतिबाधा से गुजरना पड़ता है। इस समस्या के समाधान के लिए क्या किया जा सकता है?
आइए पीएनपी त्वरित शटडाउन ड्राइव सर्किट के बारे में बात करें:
आइए निम्नलिखित पीएनपी त्वरित शटडाउन सर्किट के बारे में बात करें।
पीएनपी टर्न-ऑफ सर्किट वर्तमान में सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला सर्किट है, जो त्वरित डायोड की क्रिया के तहत तात्कालिक गेट-सोर्स शॉर्ट सर्किट को साकार कर सकता है, जिससे सबसे कम डिस्चार्ज समय प्राप्त होता है। डायोड को जोड़ने का कारण एक ओर डायोड के आधार की सुरक्षा करना और दूसरी ओर चालन धारा के लिए एक सर्किट और बायस प्रदान करना है। इस सर्किट का लाभ यह है कि यह लगभग पुश-पुल प्रभाव प्राप्त कर सकता है, और त्वरण प्रभाव स्पष्ट है। नुकसान यह है कि गेट वास्तव में 0 वोल्ट तक नहीं पहुँच सकता क्योंकि यह दो पीएन खंडों से होकर गुजरता है।
जब स्रोत आउटपुट उच्च वोल्टेज होता है, तो हमें सर्किट ऑपरेशन के उद्देश्य को प्राप्त करने के लिए पूर्वाग्रह सर्किट का उपयोग करने की आवश्यकता होती है, यानी, हम संदर्भ बिंदु के रूप में स्रोत के साथ पूर्वाग्रह सर्किट स्थापित करते हैं, ड्राइविंग वोल्टेज दो वोल्टेज के बीच उतार-चढ़ाव करता है, और ड्राइविंग वोल्टेज का विचलन निम्न वोल्टेज द्वारा प्रदान किया जाता है, जैसा कि निम्नलिखित चित्र में दिखाया गया है।
बेशक, इस तस्वीर में कुछ गड़बड़ है। मुझे आश्चर्य है कि क्या कोई नायक इसे देख सकता है?
दरअसल, समस्या यह है कि "ड्राइविंग पावर सप्लाई" को निलंबित करने की जरूरत है, और एमओएस के स्रोत को "ग्राउंडेड" किया जाना चाहिए (हर किसी को प्रभावित करने के लिए)
यह सही रेखांकन है. आपके संदर्भ के लिए:
सुरक्षा अलगाव की आवश्यकताओं को पूरा करने या उच्च-स्तरीय फ़्लोटिंग गेट ड्राइव प्रदान करने के लिए, अक्सर ट्रांसफ़ॉर्मर ड्राइव का उपयोग किया जाता है। यह ड्राइव ड्राइव नियंत्रण को MOSFET से अलग करती है और इसे निम्न-वोल्टेज और उच्च-वोल्टेज सर्किट पर लागू किया जा सकता है, जैसा कि निम्नलिखित चित्र में दिखाया गया है:
स्पष्ट रूप से कहें तो, ट्रांसफार्मर ड्राइव पृथक ड्राइव है। अब, बेशक, इसे हल करने के लिए विशेष ड्राइवर आईसी हैं, लेकिन ट्रांसफार्मर ड्राइव की अपनी विशेषताएं हैं, जो कई लोगों को हर समय इसका उपयोग करने पर जोर देती हैं।
चित्र में युग्मन संधारित्र का कार्य चुंबकीय चुंबकीय कोर के लिए रीसेट वोल्टेज प्रदान करना है। इस संधारित्र के बिना, चुंबकीय संतृप्ति घटित होगी।
संधारित्र के साथ श्रृंखला में जुड़े अवरोधक का कार्य एलसी दोलन के कारण कर्तव्य चक्र में अचानक परिवर्तन को रोकना है, इसलिए इसे राहत देने के लिए इस अवरोधक को जोड़ा जाता है।
निम्नलिखित वास्तविक बूटस्ट्रैप इन्वर्टर आरेख संदर्भ के लिए है:
अस्वीकरण: यह लेख "इलेक्ट्रॉनिक हार्डवेयर एप्लीकेशन टेक्नोलॉजी" से पुन: प्रस्तुत किया गया है। यह लेख केवल लेखक के व्यक्तिगत विचारों का प्रतिनिधित्व करता है, और सैको माइक्रो और उद्योग के विचारों का प्रतिनिधित्व नहीं करता है। यह केवल बौद्धिक संपदा अधिकारों की सुरक्षा का समर्थन करने के लिए पुनर्मुद्रण और साझा करने के लिए है। कृपया पुनर्मुद्रण करते समय मूल स्रोत और लेखक का उल्लेख करें। यदि कोई उल्लंघन है, तो कृपया उसे हटाने के लिए हमसे संपर्क करें।
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