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SL100N08 एन-चैनल एन्हांसमेंट MOSFET TO-200

● अच्छी गर्मी अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता

● उच्च ESD क्षमता के लिए विशेष प्रक्रिया प्रौद्योगिकी

जनरल सुविधाएँ  
● वीDS =80V,आईD =100ए आरडीएस (चालू) < 12मी? @ VGS= 10V  
● उच्च ESD क्षमता के लिए विशेष प्रक्रिया प्रौद्योगिकी  
● अल्ट्रा लो आर के लिए उच्च घनत्व सेल डिज़ाइनडीसन  
● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता
● उच्च ई के साथ अच्छी स्थिरता और एकरूपताAS  
● अच्छी गर्मी अपव्यय के लिए उत्कृष्ट पैकेज

आवेदन  
● पावर स्विचिंग एप्लिकेशन  
● हार्ड स्विच्ड और उच्च आवृत्ति सर्किट
● निर्बाध विद्युत आपूर्ति



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