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SL100N08 MOSFET de aprimoramento de canal N TO-200

● Excelente pacote para boa dissipação de calor

● Tensão e corrente de avalanche totalmente caracterizadas

● Tecnologia de processo especial para alta capacidade ESD

Características gerais  
●VDS = 80 V, euD =100ARDS (ON) < 12m? @ VGS= 10V  
● Tecnologia de processo especial para alta capacidade ESD  
● Design de célula de alta densidade para R ultra baixofilho  
● Tensão e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
● Boa estabilidade e uniformidade com alto EAS  
● Excelente pacote para boa dissipação de calor

Aplicação  
● Aplicação de comutação de energia  
● Circuitos comutados e de alta frequência
● Fonte de alimentação ininterrupta



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Suporte

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Longevidade

 

O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.

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