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SL100N08 N チャネルエンハンスメント MOSFET TO-200

●放熱性に優れたパッケージです。

● アバランシェ電圧と電流を完全に特性化

● 高いESD耐性を実現する特殊プロセス技術

一般的な特徴  
●VDS =80V、ID =100A RDS(ON) < 12m? @ VGS= 10V  
● 高いESD耐性を実現する特殊プロセス技術  
●超低Rを実現する高密度セル設計息子  
● アバランシェ電圧と電流を完全に特性化
●高いEによる優れた安定性と均一性AS  
●放熱性に優れたパッケージです。

用途  
●電源切替用途  
●ハードスイッチおよび高周波回路
●無停電電源装置



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耐用性アップ

 

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