Dalam reka bentuk litar seperti elektronik pengguna mudah alih, perlindungan bateri litium, suis beban kecil dan pengurusan kuasa kuasa rendah, kehilangan pengaliran, kelajuan pensuisan, keserasian pemacu dan saiz pakej MOSFET kuasa rendah secara langsung mempengaruhi hayat bateri dan tahap pengecilan peralatan akhir. Slkor FDV305N ialah MOSFET kuasa parit saluran-N (TrenchFET) dalam pakej pemasangan permukaan SOT-23 mini. Ia mempunyai voltan kerosakan sumber saliran 20V dan arus saliran berterusan 0.9A, dengan rintangan pada rendah, cas get rendah dan keserasian pemacu voltan rendah. Sesuai untuk pelbagai senario kawalan kuasa rendah voltan rendah, ia berfungsi sebagai penyelesaian pensuisan kuasa yang kos efektif untuk elektronik mudah alih dan sistem kuasa kecil.

1. Parameter Produk Teras

• Jenis Peranti: MOSFET Kuasa Trench N-Channel (TrenchFET)
• Voltan Kerosakan Sumber Saliran (VDS): 20V
• Voltan Sumber Pintu (VGS): ±12V
• Rintangan Hidup (RDS(hidup)): 220mΩ maksimum @ VGS=4.5V, ID=0.9A; 300mΩ maksimum @ VGS=2.5V, ID=0.7A
• Arus Saliran Berterusan (ID, TC=25℃): 0.9A
• Arus Saliran Berdenyut (IDM): 2.0A
• Pelesapan Kuasa Maksimum (PD, TC=25℃): 0.35W
• Voltan Ambang Pintu (VGS(th)): 0.6V ~ 1.5V
• Jumlah Cas Pintu (Qg): 0.8nC tipikal
• Suhu Persimpangan Operasi Maksimum (TJ): 150℃
• Julat Suhu Penyimpanan: -50℃ ~ 155℃
• Pakej: Pemasangan permukaan SOT-23

2. Kelebihan Produk Teras

2.1 Senibina TrenchFET dengan Kehilangan Pengaliran Rendah

Dibina dengan teknologi proses TrenchFET, peranti ini memberikan prestasi pengaliran yang dioptimumkan. Dengan rintangan hidup biasa hanya 170mΩ pada pemacu get 4.5V, ia berkesan mengurangkan kehilangan kuasa dalam keadaan hidup, meningkatkan kecekapan penukaran tenaga litar dan sesuai dengan senario operasi arus rendah voltan rendah.

2.2 Caj Pintu Rendah untuk Respons Pensuisan Pantas

Peranti ini mempunyai jumlah cas get biasa sebanyak 0.8nC, digandingkan dengan kelewatan pensuisan skala nanosaat dan masa naik/turun. Ia membolehkan kelajuan pensuisan pantas dan kehilangan dinamik yang rendah, menyokong operasi pensuisan frekuensi tinggi dan memenuhi keperluan pensuisan pantas bagi aplikasi pengurusan kuasa dan suis beban kecil.

2.3 Keserasian Pemacu Voltan Rendah untuk Pelbagai Isyarat Kawalan

Dengan voltan ambang get antara 0.6V hingga 1.5V, peranti ini boleh dihidupkan sepenuhnya pada voltan get serendah 2.5V. Ia serasi dengan pelbagai tahap kawalan voltan rendah termasuk 1.8V, 2.5V, 3.3V dan 4.5V, dan boleh dipacu secara langsung oleh cip induk voltan rendah seperti MCU dan PMIC, menyesuaikan diri dengan seni bina sistem voltan rendah peranti mudah alih.

2.4 Pakej SMD Miniatur untuk Pengecilan Produk

Pakej pemasangan permukaan SOT-23 ultra-padat ini menempati ruang PCB yang minimum dan menyokong pemasangan SMT automatik standard dengan kualiti pematerian yang konsisten. Ia sesuai untuk reka bentuk litar padat berketumpatan tinggi dan sepadan dengan keperluan pengecilan saiz produk elektronik mudah alih.

2.5 Kebocoran Rendah untuk Kuasa Siap Sedia yang Dikurangkan

Kedua-dua arus saliran pintu sifar dan arus kebocoran pintu dikekalkan pada tahap rendah, yang mengurangkan penggunaan kuasa statik dalam mod siap sedia litar. Ia sesuai untuk peranti mudah alih berkuasa bateri dan membantu memanjangkan hayat bateri produk.

3. Medan Aplikasi Utama

Dengan kelebihan pemacu voltan rendah, kehilangan rendah dan pakej kecil, FDV305N digunakan secara meluas dalam pelbagai senario kawalan kuasa rendah voltan rendah: papan perlindungan bateri litium, suis beban untuk peranti mudah alih, suis kuasa USB, modul pengurusan kuasa kecil, elektronik boleh pakai, litar kawalan kuasa rendah dalam elektronik pengguna dan litar pensuisan kuasa dalam sistem berkuasa bateri.

4. Garis Panduan Reka Bentuk Kejuruteraan

Pemadanan Pemacu : Voltan pemacu get 4.5V disyorkan untuk prestasi pengaliran optimum. Apabila menggunakan voltan get 2.5V atau lebih rendah, beri perhatian kepada peningkatan kehilangan yang disebabkan oleh rintangan atas yang lebih tinggi, dan sahkan sama ada kapasiti pembawa arus memenuhi keperluan reka bentuk. Penurunan Suhu : Lakukan reka bentuk penurunan arus berdasarkan suhu ambien, keadaan pelesapan haba dan kitaran tugas dalam aplikasi praktikal. Pastikan suhu simpang peranti tidak melebihi 150℃ untuk menjamin kebolehpercayaan operasi jangka panjang. Susun Atur PCB : Adalah disyorkan untuk meluaskan laluan jejak kuasa dengan sewajarnya untuk mengoptimumkan laluan pelesapan haba peranti. Pastikan jejak pemacu get pendek untuk mengurangkan pengaruh parameter parasit pada kelajuan pensuisan. Perlindungan ESD : MOSFET ialah peranti sensitif elektrostatik. Prosedur perlindungan ESD standard hendaklah dilaksanakan semasa pengeluaran, penyimpanan dan pemasangan untuk mengelakkan kerosakan elektrostatik get. Aplikasi Diod Badan : Diod badan saliran sumber terbina dalam boleh digunakan untuk senario freewheeling arus rendah. Sekiranya berlaku lonjakan arus songsang yang besar, sahkan parameter diod mengikut keadaan kerja sebenar.

5. Ringkasan Produk

Slkor FDV305N ialah MOSFET parit saluran-N yang direka untuk senario kuasa rendah voltan rendah, ditempatkan dalam pakej SOT-23 mini. Ia mempunyai ketahanan voltan 20V, keupayaan membawa arus 0.9A, rintangan pada rendah, cas get rendah dan keserasian pemacu voltan rendah. Dengan parameter yang seimbang dan saiz yang padat, ia boleh disesuaikan secara meluas untuk aplikasi seperti perlindungan bateri, pensuisan beban dan pengurusan kuasa untuk peranti mudah alih, berfungsi sebagai pilihan peranti kuasa domestik yang kos efektif untuk litar kawalan voltan rendah kuasa rendah.

Pengenalan Slkor
Menurut Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) dengan megahnya membuka kedai francais ketiganya di Huaqiangbei pada 14 Ogos 2026. Kedai ini terutamanya menawarkan MOSFET, IC pengurusan kuasa, elemen Hall, optocoupler, IGBT, komponen silikon-karbida SiC, peranti AC/DC, diod TVS, diod Schottky, tirostor dan komponen elektronik lain.



FDV305N Ke Halaman Produk