Nei progetti di circuiti come quelli per dispositivi elettronici portatili di consumo, protezione delle batterie al litio, interruttori di carico ridotto e gestione dell'alimentazione a bassa potenza, le perdite di conduzione, la velocità di commutazione, la compatibilità con i driver e le dimensioni del package dei MOSFET di potenza a bassa potenza influiscono direttamente sulla durata della batteria e sul livello di miniaturizzazione delle apparecchiature finali. Lo Slkor FDV305N è un MOSFET di potenza a canale N (TrenchFET) in un package miniaturizzato SOT-23 per montaggio superficiale. Presenta una tensione di rottura drain-source di 20 V e una corrente di drain continua di 0.9 A, con bassa resistenza di conduzione, bassa carica di gate e compatibilità con driver a bassa tensione. Adatto a vari scenari di controllo a bassa tensione e bassa potenza, rappresenta una soluzione di commutazione di potenza economica per dispositivi elettronici portatili e piccoli sistemi di alimentazione.

1. Parametri principali del prodotto

• Tipo di dispositivo: MOSFET di potenza a canale N con trincea (TrenchFET)
• Tensione di rottura drain-source (VDS): 20V
• Tensione gate-sorgente (VGS): ±12V
• Resistenza di conduzione (RDS(on)): 220 mΩ max. @ VGS=4.5 V, ID=0.9 A; 300 mΩ max. @ VGS=2.5 V, ID=0.7 A
• Corrente di drenaggio continua (ID, TC=25℃): 0.9 A
• Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 2.0 A
• Dissipazione di potenza massima (PD, TC=25℃): 0.35 W
• Tensione di soglia del gate (VGS(th)): 0.6 V ~ 1.5 V
• Carica totale del gate (Qg): 0.8 nC tipica
• Temperatura massima di giunzione (TJ) di esercizio: 150℃
• Intervallo di temperatura di conservazione: da -50℃ a 155℃
• Contenitore: SOT-23 per montaggio superficiale

2. Vantaggi principali del prodotto

2.1 Architettura TrenchFET con basse perdite di conduzione

Realizzato con la tecnologia di processo TrenchFET, il dispositivo offre prestazioni di conduzione ottimizzate. Con una resistenza di conduzione tipica di soli 170 mΩ a 4.5 V di pilotaggio del gate, riduce efficacemente la perdita di potenza nello stato di conduzione, migliora l'efficienza di conversione energetica del circuito ed è adatto a scenari operativi a bassa tensione e bassa corrente.

2.2 Bassa carica di gate per una risposta di commutazione rapida

Il dispositivo presenta una carica di gate totale tipica di 0.8 nC, abbinata a tempi di commutazione e di salita/discesa dell'ordine dei nanosecondi. Consente una velocità di commutazione elevata e basse perdite dinamiche, supporta operazioni di commutazione ad alta frequenza e soddisfa i requisiti di commutazione rapida delle applicazioni di gestione della potenza e di commutazione del carico di piccola cilindrata.

2.3 Compatibilità con azionamenti a bassa tensione per segnali di controllo multipli

Grazie a una tensione di soglia del gate compresa tra 0.6 V e 1.5 V, il dispositivo può essere completamente attivato con una tensione di gate di soli 2.5 V. È compatibile con diversi livelli di controllo a bassa tensione, tra cui 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V e 4.5 V, e può essere pilotato direttamente da chip master a bassa tensione come MCU e PMIC, adattandosi all'architettura di sistema a bassa tensione dei dispositivi portatili.

2.4 Contenitore SMD miniaturizzato per la miniaturizzazione del prodotto

Il package SOT-23 ultracompatto per montaggio superficiale occupa uno spazio minimo sul PCB e supporta l'assemblaggio SMT automatizzato standard con una qualità di saldatura costante. È adatto per progetti di circuiti compatti ad alta densità e soddisfa i requisiti di miniaturizzazione dei prodotti elettronici portatili.

2.5 Bassa dispersione per un consumo energetico in standby ridotto

Sia la corrente di drain a gate zero che la corrente di dispersione del gate vengono mantenute a livelli bassi, riducendo il consumo di potenza statica in modalità standby del circuito. È ideale per i dispositivi portatili alimentati a batteria e contribuisce a prolungare la durata della batteria del prodotto.

3. Principali campi di applicazione

Grazie ai vantaggi di pilotaggio a bassa tensione, basse perdite e dimensioni ridotte, l'FDV305N è ampiamente utilizzato in diversi scenari di controllo a bassa tensione e bassa potenza: schede di protezione per batterie al litio, interruttori di carico per dispositivi portatili, interruttori di alimentazione USB, piccoli moduli di gestione dell'alimentazione, elettronica indossabile, circuiti di controllo a bassa potenza nell'elettronica di consumo e circuiti di commutazione di potenza nei sistemi alimentati a batteria.

4. Linee guida per la progettazione ingegneristica

Abbinamento del pilotaggio : si raccomanda una tensione di pilotaggio del gate di 4.5 V per prestazioni di conduzione ottimali. Quando si utilizzano tensioni di gate pari o inferiori a 2.5 V, prestare attenzione all'aumento delle perdite causato da una maggiore resistenza di conduzione e verificare che la capacità di trasporto di corrente soddisfi i requisiti di progettazione. Declassamento termico : eseguire la progettazione del declassamento della corrente in base alla temperatura ambiente, alle condizioni di dissipazione del calore e al duty cycle nelle applicazioni pratiche. Assicurarsi che la temperatura di giunzione del dispositivo non superi i 150 °C per garantire l'affidabilità operativa a lungo termine. Layout PCB : si raccomanda di allargare opportunamente i percorsi delle tracce di alimentazione per ottimizzare il percorso di dissipazione del calore del dispositivo. Mantenere corte le tracce di pilotaggio del gate per ridurre l'influenza dei parametri parassiti sulla velocità di commutazione. Protezione ESD : i MOSFET sono dispositivi sensibili alle scariche elettrostatiche. Durante la produzione, lo stoccaggio e l'assemblaggio devono essere implementate procedure standard di protezione ESD per evitare guasti elettrostatici del gate. Applicazione del diodo di corpo : il diodo di corpo source-drain integrato può essere utilizzato per scenari di ricircolo a bassa corrente. In caso di forti picchi di corrente inversa, verificare i parametri del diodo in base alle effettive condizioni di lavoro.

5. Riepilogo del prodotto

Lo Slkor FDV305N è un MOSFET a canale N progettato per scenari a bassa tensione e bassa potenza, alloggiato in un package SOT-23 miniaturizzato. Offre una tensione di tenuta di 20 V, una capacità di corrente di 0.9 A, bassa resistenza di conduzione, bassa carica di gate e compatibilità con pilotaggi a bassa tensione. Grazie ai parametri bilanciati e alle dimensioni compatte, è ampiamente adattabile ad applicazioni quali la protezione delle batterie, la commutazione del carico e la gestione dell'alimentazione per dispositivi portatili, rappresentando una scelta economica per circuiti di controllo a bassa potenza e bassa tensione in ambito domestico.

Introduzione di Slkor
Secondo Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comIl 14 agosto 2026, ) ha inaugurato il suo terzo negozio in franchising a Huaqiangbei. Il negozio offre principalmente MOSFET, circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione, elementi Hall, optoaccoppiatori, IGBT, componenti in carburo di silicio (SiC), dispositivi AC/DC, diodi TVS, diodi Schottky, tiristori e altri componenti elettronici.



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