在便攜式消費性電子產品、鋰電池保護、小型負載開關和低功耗電源管理等電路設計中，低功耗 MOSFET 的導通損耗、開關速度、驅動相容性和封裝尺寸直接影響終端設備的電池壽命和小型化程度。 Slkor FDV305N 是一款採用小型 SOT-23 表面黏著封裝的 N 通道通道功率 MOSFET (TrenchFET)。它具有 20V 的漏源擊穿電壓和 0.9A 的連續漏極電流，同時具備低導通電阻、低閘極電荷和低電壓驅動相容性。適用於各種低電壓低功耗控制場景，是便攜式電子產品和小功率系統經濟高效的功率開關解決方案。

1. 核心產品參數

• 元件類型：N通道溝槽功率MOSFET（溝槽FET）
• 漏源擊穿電壓 (VDS)：20V
• 柵極源極電壓 (VGS)：±12V
• 導通電阻 (RDS(on))：最大 220mΩ（VGS=4.5V，ID=0.9A）；最大 300mΩ（VGS=2.5V，ID=0.7A）
• 連續漏極電流（ID，TC=25℃）：0.9A
• 脈衝漏極電流 (IDM)：2.0A
• 最大功耗（PD，TC=25℃）：0.35W
• 閘極閾值電壓 (VGS(th)): 0.6V ~ 1.5V
• 總閘極電荷 (Qg)：典型值 0.8nC
• 最高工作結溫 (TJ)：150℃
• 儲存溫度範圍：-50℃～155℃
• 封裝：SOT-23 表面貼裝

2. 核心產品優勢

2.1 具有低導通損耗的溝槽FET架構

該元件採用 TrenchFET 製程技術製造，具有最佳化的導通性能。在 4.5V 閘極驅動電壓下，其典型導通電阻僅為 170mΩ，有效降低了導通狀態的功率損耗，提高了電路的能量轉換效率，並適用於低電壓低電流工作場景。

2.2 低閘極電荷實現快速開關響應

此元件具有0.8nC的典型總閘極電荷，以及奈秒級的開關延遲和上升/下降時間。它能夠實現快速開關速度和低動態損耗，支援高頻開關操作，滿足小型電源管理和負載開關應用的快速開關需求。

2.3 低電壓驅動對多種控制訊號的兼容性

此元件的閘極閾值電壓範圍為0.6V至1.5V，在低至2.5V的閘極電壓下即可完全導通。它相容於多種低電壓控制電平，包括1.8V、2.5V、3.3V和4.5V，可由MCU和PMIC等低電壓主控晶片直接驅動，適應便攜式設備的低電壓系統架構。

2.4 用於產品小型化的微型SMD封裝

超緊湊型SOT-23表面貼裝封裝佔用PCB空間極小，支援標準自動化SMT組裝，焊接品質穩定可靠。它適用於高密度、緊湊型電路設計，滿足便攜式電子產品的微型化需求。

2.5 低漏電，降低待機功耗

零閘極漏極電流和閘極漏電流均保持在較低水平，降低了電路待機模式下的靜態功耗。這非常適合電池供電的便攜式設備，並有助於延長產品電池壽命。

3.主要應用領域

FDV305N 具有低壓驅動、低損耗和小封裝等優點，廣泛應用於各種低壓低功耗控制場景：鋰電池保護板、便攜式設備的負載開關、USB 電源開關、小型電源管理模組、可穿戴電子產品、消費性電子產品中的低功耗控制電路以及電池供電系統中的電源開關電路。

4. 工程設計指南

驅動匹配：建議使用 4.5V 閘極驅動電壓以獲得最佳導通性能。當使用 2.5V 或更低的閘極電壓時，請注意導通電阻增加導致的損耗增加，並驗證載流能力是否符合設計要求。溫度降額：在實際應用中，應根據環境溫度、散熱條件和占空比進行電流降額設計。確保裝置結溫不超過 150℃，以確保長期運作可靠性。 PCB佈局：建議適當加寬電源走線路徑，以優化元件散熱路徑。保持閘極驅動走線較短，以降低寄生參數對開關速度的影響。靜電放電保護：MOSFET 是靜電敏感元件。在生產、儲存和組裝過程中，應實施標準的靜電放電保護程序，以避免閘極靜電擊穿。體二極體應用：內建源漏體二極體可用於低電流續流場景。在存在較大反向電流湧的情況下，應根據實際工作條件驗證二極體參數。

5.產品概要

Slkor FDV305N 是一款專為低電壓低功率應用而設計的 N 通道溝槽 MOSFET，採用小型 SOT-23 封裝。它具有 20V 耐壓、0.9A 電流承載能力、低導通電阻、低閘極電荷和低電壓驅動相容性。憑藉均衡的參數和緊湊的尺寸，它廣泛適用於電池保護、負載切換和便攜式設備的電源管理等應用，是低功率低電壓控制電路中經濟高效的家用電源裝置之選。

Slkor 介紹
據宋世強稱，斯科爾半導體 (https://www.slkormicro.com2026年8月14日，該公司在華強北盛大開設了第三家加盟店。該店主要提供MOSFET、電源管理IC、霍爾元件、光耦合器、IGBT、SiC碳化矽元件、AC/DC元件、TVS二極體、肖特基二極體、閘流管等電子元件。



FDV305N 至產品頁面