Em projetos de circuitos como eletrônicos portáteis de consumo, proteção de baterias de lítio, chaves de carga pequenas e gerenciamento de energia de baixa potência, a perda de condução, a velocidade de comutação, a compatibilidade de acionamento e o tamanho do encapsulamento de MOSFETs de baixa potência afetam diretamente a vida útil da bateria e o nível de miniaturização do equipamento final. O Slkor FDV305N é um MOSFET de potência de canal N com encapsulamento em forma de trincheira (TrenchFET) em um encapsulamento de montagem em superfície SOT-23 miniaturizado. Ele apresenta uma tensão de ruptura dreno-fonte de 20V e uma corrente de dreno contínua de 0.9A, com baixa resistência de condução, baixa carga de porta e compatibilidade com acionamento de baixa tensão. Adequado para diversos cenários de controle de baixa tensão e baixa potência, ele serve como uma solução de comutação de energia de baixo custo para eletrônicos portáteis e sistemas de energia de pequena escala.

1. Parâmetros Essenciais do Produto

• Tipo de dispositivo: MOSFET de potência de canal N com canal em forma de trincheira (TrenchFET)
• Tensão de ruptura dreno-fonte (VDS): 20V
• Tensão porta-fonte (VGS): ±12V
• Resistência em condução (RDS(on)): 220mΩ máx. @ VGS=4.5V, ID=0.9A; 300mΩ máx. @ VGS=2.5V, ID=0.7A
• Corrente de dreno contínua (ID, TC=25℃): 0.9A
• Corrente de dreno pulsada (IDM): 2.0A
• Dissipação de potência máxima (PD, TC=25℃): 0.35W
• Tensão de limiar de porta (VGS(th)): 0.6V ~ 1.5V
• Carga total da porta (Qg): 0.8 nC típico
• Temperatura máxima de operação na junção (TJ): 150℃
• Faixa de temperatura de armazenamento: -50℃ ~ 155℃
• Encapsulamento: SOT-23 para montagem em superfície

2. Principais vantagens do produto

2.1 Arquitetura TrenchFET com baixa perda de condução

Construído com a tecnologia de processo TrenchFET, o dispositivo oferece desempenho de condução otimizado. Com uma resistência típica de apenas 170 mΩ a uma tensão de acionamento de porta de 4.5 V, ele reduz efetivamente a perda de energia no estado ligado, melhora a eficiência de conversão de energia do circuito e é adequado para cenários de operação de baixa tensão e baixa corrente.

2.2 Baixa carga de porta para resposta de comutação rápida

O dispositivo apresenta uma carga de porta total típica de 0.8 nC, combinada com um atraso de comutação e tempos de subida/descida na escala de nanossegundos. Isso permite alta velocidade de comutação e baixa perda dinâmica, suporta operação de comutação em alta frequência e atende aos requisitos de comutação rápida de aplicações de gerenciamento de baixa potência e chaveamento de carga.

2.3 Compatibilidade com acionamentos de baixa tensão para múltiplos sinais de controle

Com uma tensão de limiar de porta variando de 0.6 V a 1.5 V, o dispositivo pode ser totalmente ativado com uma tensão de porta de apenas 2.5 V. É compatível com diversos níveis de controle de baixa tensão, incluindo 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V e 4.5 V, e pode ser acionado diretamente por microcontroladores de baixa tensão, como MCUs e PMICs, adaptando-se à arquitetura de sistemas de baixa tensão de dispositivos portáteis.

Pacote SMD em miniatura de 2.4 mm para miniaturização de produtos

O encapsulamento SOT-23 ultracompacto para montagem em superfície ocupa um espaço mínimo na placa de circuito impresso e suporta montagem SMT automatizada padrão com qualidade de soldagem consistente. É adequado para projetos de circuitos compactos de alta densidade e atende aos requisitos de miniaturização de produtos eletrônicos portáteis.

2.5 Baixa fuga de corrente para menor consumo de energia em modo de espera

Tanto a corrente de dreno de porta zero quanto a corrente de fuga de porta são mantidas em níveis baixos, o que reduz o consumo de energia estática no modo de espera do circuito. Isso é ideal para dispositivos portáteis alimentados por bateria e ajuda a prolongar a vida útil da bateria do produto.

3. Principais campos de aplicação

Graças às suas vantagens de acionamento em baixa tensão, baixa perda e tamanho reduzido, o FDV305N é amplamente utilizado em diversos cenários de controle de baixa tensão e baixa potência: placas de proteção de baterias de lítio, chaves de carga para dispositivos portáteis, chaves de alimentação USB, pequenos módulos de gerenciamento de energia, eletrônicos vestíveis, circuitos de controle de baixa potência em eletrônicos de consumo e circuitos de comutação de energia em sistemas alimentados por bateria.

4. Diretrizes de Projeto de Engenharia

Ajuste de Tensão de Acionamento : Recomenda-se uma tensão de acionamento de gate de 4.5 V para um desempenho de condução ideal. Ao usar tensões de gate de 2.5 V ou inferiores, atente-se ao aumento das perdas causadas pela maior resistência de condução e verifique se a capacidade de condução de corrente atende aos requisitos do projeto. Redução de Corrente por Temperatura : Realize o projeto de redução de corrente com base na temperatura ambiente, nas condições de dissipação de calor e no ciclo de trabalho em aplicações práticas. Certifique-se de que a temperatura da junção do dispositivo não exceda 150 °C para garantir a confiabilidade operacional a longo prazo. Layout da PCB : Recomenda-se ampliar adequadamente as trilhas de alimentação para otimizar o caminho de dissipação de calor do dispositivo. Mantenha as trilhas de acionamento de gate curtas para reduzir a influência de parâmetros parasitas na velocidade de comutação. Proteção ESD : Os MOSFETs são dispositivos sensíveis à eletricidade estática. Procedimentos padrão de proteção ESD devem ser implementados durante a produção, armazenamento e montagem para evitar a ruptura eletrostática do gate. Aplicação do Diodo de Corpo : O diodo de corpo integrado entre dreno e fonte pode ser usado em cenários de roda livre de baixa corrente. Em caso de grandes surtos de corrente reversa, verifique os parâmetros do diodo de acordo com as condições reais de operação.

5. sumario de produtos

O Slkor FDV305N é um MOSFET de canal N com estrutura de trincheira, projetado para aplicações de baixa tensão e baixo consumo de energia, encapsulado em um pacote SOT-23 miniaturizado. Ele apresenta resistência a 20V, capacidade de corrente de 0.9A, baixa resistência de condução, baixa carga de porta e compatibilidade com acionamento de baixa tensão. Com parâmetros balanceados e tamanho compacto, é amplamente adaptável a aplicações como proteção de bateria, chaveamento de carga e gerenciamento de energia para dispositivos portáteis, sendo uma opção de baixo custo para circuitos de controle de baixa tensão e baixo consumo.

Introdução ao Slkor
Segundo Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comA empresa inaugurou sua terceira loja franqueada em Huaqiangbei no dia 14 de agosto de 2026. A loja oferece principalmente MOSFETs, circuitos integrados de gerenciamento de energia, elementos Hall, optoacopladores, IGBTs, componentes de carbeto de silício (SiC), dispositivos AC/DC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores e outros componentes eletrônicos.



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