پر SK 4 نومبر کو AI سمٹ میں، جنوبی کوریا کی سٹوریج کمپنی SK Hynix نے دنیا کی پہلی 48GB 16 پرتوں والی HBM3E پروڈکٹ کی نمائش کی، جس کی صلاحیت اور پرتوں کی تعداد دونوں صنعت میں سب سے زیادہ ہیں۔

SK Hynix نے بتایا کہ اس کے 16-HBM3E کی AI تربیتی کارکردگی پچھلی نسل کے 18-ہائی پروڈکٹ کے مقابلے میں 12% زیادہ ہے، اور قیاس کی کارکردگی میں بھی 32% اضافہ ہوا ہے۔ یہ HBM میموری اب بھی جدید ترین MR-MUF (ماس ریفلو مولڈ انڈر فل) بانڈنگ ٹیکنالوجی استعمال کرتی ہے۔ SK Hynix ایک بہترین ہائبرڈ بانڈنگ بھی تیار کر رہا ہے۔

SK Hynix کے CEO Kwak Noh-Jung نے کہا کہ HBM16 سے 4 پرتوں والی HBM مارکیٹ میں اضافہ متوقع ہے۔ تاہم، SK Hynix نے 48GB 16-پرت والا HBM3E پیشگی تیار کر لیا ہے اور 2025 کے اوائل میں صارفین کو نمونے فراہم کرنے کا ارادہ رکھتا ہے۔ Kwak نے سمٹ میں، یعنی قریب سے ایک "فل اسٹیک AI سٹوریج فراہم کرنے والا" بننے کے کمپنی کے وژن کا اشتراک کیا۔ تمام فریقوں کے ساتھ تعاون، DRAM اور NAND فیلڈز کو ڈھکنے والی AI سٹوریج پروڈکٹس کی مکمل لائن فراہم کرنا۔

DRAM میموری فیلڈ میں، SK Hynix نے کہا کہ 16-high HBM3E کے علاوہ، یہ 2c nm LPDDR1 اور LPDDR5 پر مبنی LPCAMM6 بھی تیار کر رہا ہے۔ ان میموری ماڈیولز کو PC اور ڈیٹا سینٹر دونوں مارکیٹوں میں نشانہ بنایا جاتا ہے۔ NAND فلیش میموری فیلڈ میں، انٹرپرائز PCIe 6.0 سالڈ اسٹیٹ ڈرائیوز، QLC پر مبنی اعلیٰ صلاحیت والی انٹرپرائز لیول سالڈ اسٹیٹ ڈرائیوز، اور اگلی نسل کی UFS 5.0 فلیش میموری بھی تیار کرتا ہے۔

اس سے پہلے، SK Hynix نے ستمبر کے آخر میں اعلان کیا تھا کہ اس نے دنیا کے پہلے 12-پرتوں والے 36GB HBM3E پروڈکٹ کی بڑے پیمانے پر پیداوار شروع کر دی ہے۔

SK Hynix 16-پرت HBM3E تیار کرنے کے لیے جدید ترین MR-MUF عمل کو استعمال کرنے کی توقع رکھتا ہے، اور ساتھ ہی بیک اپ پلان کے طور پر ہائبرڈ بانڈنگ ٹیکنالوجی تیار کرے گا۔

اس کے علاوہ، SK Hynix نے کم بجلی کی کھپت اور اعلیٰ کارکردگی والی مصنوعات کے میدان میں اپنی مسابقت پر بھی زور دیا۔ یہ LPCAMM2 ماڈیولز تیار کر رہا ہے، یعنی 1cnm LPDDR5 اور LPDDR6، اور PCIe چھٹی نسل کے SSDs، اعلیٰ صلاحیت والے QLC پر مبنی eSSDs اور UFS 5.0 کو شروع کرنے کی تیاری کر رہا ہے۔