در SK در اجلاس هوش مصنوعی در 4 نوامبر، غول ذخیره‌سازی کره جنوبی SK Hynix اولین محصول 48 گیگابایتی 16 لایه HBM3E جهان را به نمایش گذاشت که هم ظرفیت و هم تعداد لایه‌ها بالاترین در صنعت بود.

SK Hynix بیان کرد که عملکرد آموزش هوش مصنوعی HBM16E 3-high آن 18٪ بیشتر از محصول 12-high نسل قبلی است و عملکرد استنتاج حتی 32٪ افزایش یافته است. این حافظه HBM همچنان از فناوری پیوند پیشرفته MR-MUF (تولید مجدد با جریان انبوه) استفاده می کند. SK Hynix همچنین در حال توسعه پیوند هیبریدی بسیار عالی است.

کواک نو جونگ، مدیرعامل SK Hynix گفت که انتظار می‌رود بازار 16 لایه HBM از HBM4 افزایش یابد. با این حال، SK Hynix از قبل HBM48E 16 لایه 3 گیگابایتی را توسعه داده است و قصد دارد نمونه هایی را در اوایل سال 2025 به مشتریان ارائه دهد. کواک دیدگاه شرکت مبنی بر تبدیل شدن به یک "ارائه دهنده ذخیره سازی هوش مصنوعی تمام پشته" را در اجلاس به اشتراک گذاشت، یعنی از طریق نزدیک شدن همکاری با همه طرف ها، ارائه یک خط کامل از محصولات ذخیره سازی هوش مصنوعی که زمینه های DRAM و NAND را پوشش می دهد.

در زمینه حافظه DRAM، SK Hynix گفت که علاوه بر HBM16E 3 بالا، LPCAMM2 را نیز بر اساس 1c nm LPDDR5 و LPDDR6 توسعه می‌دهد. این ماژول های حافظه هم در بازار رایانه های شخصی و هم در بازار مرکز داده هدف قرار می گیرند. در زمینه حافظه فلش NAND، شرکت همچنین درایوهای حالت جامد PCIe 6.0، درایوهای حالت جامد سطح سازمانی با ظرفیت بالا مبتنی بر QLC و نسل بعدی فلش مموری UFS 5.0 را آماده می کند.

پیش از این، SK Hynix در پایان سپتامبر اعلام کرده بود که تولید انبوه اولین محصول 12 لایه 36 گیگابایتی HBM3E جهان را آغاز کرده است.

SK Hynix انتظار دارد از فرآیند پیشرفته MR-MUF برای تولید 16 لایه HBM3E استفاده کند و در عین حال فناوری پیوند هیبریدی را به عنوان یک طرح پشتیبان توسعه دهد.

علاوه بر این، SK Hynix نیز بر رقابت پذیری خود در زمینه محصولات کم مصرف و عملکرد بالا تاکید کرد. این شرکت در حال توسعه ماژول های LPCAMM2، یعنی 1cnm LPDDR5 و LPDDR6 است و در حال آماده سازی برای راه اندازی SSD های نسل ششم PCIe، eSSD های مبتنی بر QLC با ظرفیت بالا و UFS 5.0 است.