на SK На AI Summit 4 ноября южнокорейский гигант в области хранения данных SK Hynix представил первый в мире 48-слойный продукт HBM16E емкостью 3 ГБ, при этом и емкость, и количество слоев являются самыми высокими в отрасли.

SK Hynix заявила, что производительность обучения ИИ ее 16-высотного HBM3E на 18% выше, чем у предыдущего поколения 12-высотного продукта, а производительность вывода даже увеличилась на 32%. Эта память HBM по-прежнему использует передовую технологию соединения MR-MUF (mass reflow molded underfill). SK Hynix также разрабатывает более совершенную гибридную связку.

Генеральный директор SK Hynix Квак Но-Джунг заявил, что ожидается рост рынка 16-слойной памяти HBM с HBM4. Однако SK Hynix заранее разработала 48-гигабайтную 16-слойную память HBM3E и планирует предоставить образцы клиентам в начале 2025 года. На саммите Квак поделился видением компании стать «поставщиком хранилищ с полным стеком ИИ», то есть посредством тесного сотрудничества со всеми сторонами, предоставляя полную линейку продуктов для хранения ИИ, охватывающих области DRAM и NAND.

В области памяти DRAM SK Hynix заявила, что в дополнение к 16-высоким HBM3E, она также разрабатывает LPCAMM2 на основе 1c нм LPDDR5 и LPDDR6. Эти модули памяти нацелены как на рынок ПК, так и на рынок центров обработки данных. В области флэш-памяти NAND предприятие также готовит твердотельные накопители PCIe 6.0, твердотельные накопители корпоративного уровня большой емкости на основе QLC и флэш-память следующего поколения UFS 5.0.

Ранее, в конце сентября, компания SK Hynix объявила о начале массового производства первого в мире 12-слойного продукта HBM36E емкостью 3 ГБ.

Компания SK Hynix планирует использовать усовершенствованный процесс MR-MUF для производства 16-слойного HBM3E и одновременно разрабатывать технологию гибридного склеивания в качестве резервного плана.

Кроме того, SK Hynix также подчеркнула свою конкурентоспособность в области маломощных и высокопроизводительных продуктов. Она разрабатывает модули LPCAMM2, а именно 1cnm LPDDR5 и LPDDR6, и готовится к выпуску SSD-накопителей PCIe шестого поколения, eSSD-накопителей высокой емкости на базе QLC и UFS 5.0.