1. Các khía cạnh kỹ thuật như lựa chọn vật liệu, độ chính xác của thiết bị và kiểm soát trường nhiệt đòi hỏi thời gian tích lũy kiến ​​thức chuyên môn lâu dài. Các nhà sản xuất trong nước bắt đầu khá muộn và đầu tư ít hơn, tạo ra khoảng cách rõ rệt với các nhà sản xuất hàng đầu nước ngoài.

2. Các nhà sản xuất trong nước có ít khách hàng hơn và phân bố rải rác, tốc độ phản hồi chậm hơn và nội dung phản hồi không đầy đủ. Dòng sản phẩm của CREE bao gồm chất nền, lớp màng mỏng, thiết bị và thậm chí cả mô-đun, và phản hồi từ phía nhà sản xuất đầy đủ và kịp thời.

thiết kế:Thiết kế thiết bị SiC tương đối đơn giản, và khoảng cách với các nước khác không đáng kể.

sản xuất:Có một khoảng cách rõ rệt giữa ngành sản xuất thiết bị SiC và các nước ngoài.

• Hầu hết các dây chuyền sản xuất thiết bị SiC SBD hiện đang trong giai đoạn khởi động. Chúng vẫn cần trải qua các giai đoạn như tăng dần công suất sản xuất, và vẫn còn một khoảng cách nhất định giữa sản xuất quy mô lớn và sản xuất hàng loạt ổn định.

• Hiện nay, tất cả các nền tảng sản xuất thiết bị MOSFET SiC trong nước vẫn đang trong giai đoạn xây dựng, dây chuyền sản xuất của một số công ty vẫn đang trong giai đoạn lập kế hoạch, và còn một chặng đường dài trước khi sản xuất hàng loạt chính thức.

Tình hình cạnh tranh hiện tại của các công ty trong nước trong các lĩnh vực SIC:

Nhiều nhà sản xuất xe năng lượng mới trong nước đã có những thay đổi mang tính đột phá trong bố trí mặt bằng và xây dựng dây chuyền sản xuất mô-đun SiC riêng để đáp ứng nhu cầu của mình và bao quát toàn bộ quy trình từ đầu đến cuối. Đồng thời, một số nhà sản xuất mô-đun truyền thống cũng đang tiến hành nghiên cứu và phát triển mô-đun SiC theo chiều ngang, dựa trên kinh nghiệm từ các mô-đun nền Si để đẩy nhanh tiến độ nghiên cứu và phát triển.

Tuy nhiên, phần lớn việc xây dựng các dây chuyền sản xuất mô-đun của các nhà sản xuất xe năng lượng mới trong nước bắt đầu từ năm 2019/20 và sẽ mất ít nhất 22 năm để đạt được năng suất tối đa. Hầu hết các nhà sản xuất mô-đun mới nổi ở Trung Quốc đều nhỏ và chưa đạt được sản xuất hàng loạt quy mô lớn. Mức độ trưởng thành của ngành công nghiệp trong nước vẫn còn thấp.

Bên cạnh sự cạnh tranh giữa các nhà sản xuất trong nước, áp lực cạnh tranh thực sự trong lĩnh vực SIC vẫn đến từ các ông lớn nước ngoài. Hiện nay, các điốt bán dẫn silicon carbide (SBD) và MOSFET dải điện áp 600-1700V của các nhà sản xuất quốc tế lớn như Infineon, ST và Rohm đã đạt được sản xuất hàng loạt. Các nhà sản xuất silicon carbide trong nước hiện chủ yếu tập trung vào sản xuất điốt. Chỉ một số ít nhà sản xuất MOSFET đang sản xuất hàng loạt, và vẫn còn nhiều dư địa để đột phá. Về dây chuyền sản xuất, Cree, Infineon, v.v. đã bắt đầu xây dựng dây chuyền 8 inch, trong khi các nhà sản xuất trong nước vẫn đang chuyển đổi sang dây chuyền 6 inch. Riêng Cree đã chiếm khoảng 40% thị trường chất nền.

Trong một thời gian dài nữa, con đường tấn công của các công ty trong chuỗi ngành công nghiệp SiC nội địa vẫn còn rất rõ ràng. Chặng đường phía trước vẫn còn dài! Nhưng may mắn thay, SiC đã thể hiện rất tốt trong nhiều lĩnh vực như 5G, xe năng lượng mới và quang điện. Thị trường đủ lớn và nhu cầu thay thế sản phẩm nội địa vẫn tiếp tục, vì vậy các công ty trong nước vẫn có thể cạnh tranh!