如何正确选择MOS？应注意哪些细节？

MOS由多数载流子参与导通，又称单极晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^7~10^12ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的强劲竞争对手。

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1）N沟道还是P沟道？

选择优质 MOS 晶体管器件的第一步是确定使用 N 沟道 MOSFET 还是 P 沟道 MOSFET。在典型的电源应用中，当 MOSFET 接地且负载连接到电源电压时，MOSFET 构成低压侧开关。在低压侧开关中，考虑到器件关断或导通所需的电压，应使用 N 沟道 MOSFET。当 MOSFET 连接到总线且负载接地时，则使用高压侧开关。在这种拓扑结构中通常使用 P 沟道 MOSFET，同样是为了电压驱动。

2）确定MOSFET的额定电流

额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生峰值电流，也要确保所选的 MOS 晶体管能够承受此额定电流。考虑的两种电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS 晶体管处于稳定状态，电流继续流过器件。脉冲尖峰是指有较大的电流浪涌（或尖峰）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需选择能够承受最大电流的器件即可。

3）MOSFET选择的下一步是系统的散热要求。

必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用最坏情况计算，因为它可以提供更大的安全裕度，并保证系统不会发生故障。

4）MOSFET选择的最后一步是确定MOSFET的开关性能。

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极电容、栅极/源极电容以及漏极/源极电容。这些电容会在器件中造成开关损耗，因为每次开关时都需要充电。因此，MOSFET 的开关速度会降低，器件效率也会降低。为了计算器件在开关过程中的总损耗，应该计算开关损耗 (Eon) 和开关损耗 (Eoff)。